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>> 领先MLCC制造商国巨涨价……分销商确认“属实”
• 市场传闻称,被动元件巨头国巨向客户发出调价通知。据这些报道,公司已立即上调其全系列电容器产品价格,涵盖钽电容、片式多层陶瓷电容(MLCC)、铝电解电容、固态铝电容、薄膜电容以及超级电容等。
• 此次涨价所覆盖的产品约占国巨总营收的50%,并且首次将EMS和OEM等直供客户纳入涨价范围。
• 记者联系了多家国巨分销商,包括东莞超翔电子和深圳和丰信科技,以核实该消息。所有受访者均确认:国巨全系列电容器涨价属实。他们解释称,由于此次涨价不仅适用于分销商,也适用于直供客户,因此相当于现货和合同价格同步上调。
• 深圳和丰信科技的一位代表表示,原厂官方涨价幅度约为50%,而现货市场价格的涨幅可能还会更大。他补充称,尽管本轮涨价已由原厂正式宣布,但现货市场价格实际上自今年5月以来一直在持续上涨;且对于部分高端电容器产品,价格在单月内的涨幅甚至接近十倍。
• 他还指出,近期交货延迟变得更为频繁,并且不只是国巨,主要MLCC品牌整体范围内也都出现了交期延误的情况。
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[Exclusive] 三星HBM4E良率突破70%……全力推进HBM霸主地位
三星电子在率先实现全球首个第六代高带宽存储器(HBM4)量产之后,如今在HBM4E(第七代)以及下一代DRAM的开发中也取得了可见的进展。三星电子首席技术官、半导体研究中心负责人宋在赫近日在一次内部管理简报会上表示,HBM4E的可靠性测试良率(合格品比例)已提升至70%以上的水平,并称下一代10纳米级第七代(D1d)DRAM工艺已在竞争中抢得优势。基于此,三星电子预计将进一步加快强化其下一代AI存储竞争力的工作。
据半导体行业消息人士称,1日,据报道宋在赫在6月30日举行的器件解决方案(DS)部门内部管理简报会上表示:“HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上的水平。”业内通常认为,良率达到80%或以上属于“成熟良率”阶段,在该阶段工艺被视为已稳定。鉴于HBM4E仍处于可靠性测试阶段,70%以上的水平被视为开发进入稳定区间的信号。
三星电子今年2月率先在行业内启动HBM4的量产出货,并且在5月29日披露了其12层HBM4E产品的详细技术规格,同时向主要客户发送了样品。HBM4将安装到英伟达的AI加速器“Vera Rubin”上,该加速器计划于今年下半年推出;而HBM4E作为HBM4的后续产品,预计将安装在下一代AI加速器中,例如英伟达计划明年推出的“Vera Rubin Ultra”。业界认为,随着
DRAM2.31%
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半导体基板行业担忧下半年供货价格面临降价压力
未纳入原材料成本联动机制的主要中型半导体基板制造商担心,下半年盈利能力将进一步恶化。这种担忧源于这样一种可能:今年早些时候在金和铜等原材料成本大幅上涨之后,供货价格仅被小幅调整,之后可能会回到原先水平。基板行业呼吁扩大成本联动机制的应用范围,并请求主要半导体制造商客户给予协同支持。
据行业人士30日透露,国内主要半导体基板制造商目前正在就下半年供货价格与三星电子和SK海力士进行谈判。据称,基板制造商希望进一步提高价格,理由是金和铜等原材料的采购成本仍然偏高,且当前半导体市场处于景气周期。另一方面,据称半导体制造商正在考虑在下半年下调价格,因为第一季度的供货价格已经上调过一些。
韩国PCB及半导体封装行业协会(KPCA)秘书长安永宇指出,目前参与谈判的许多基板制造商正收到来自客户的要求,即下调下半年的供货价格;如果这些降价落地,那么第一季度的涨价幅度可能会被完全抵消。
据称,三星电子和SK海力士今年年初将半导体基板供货价格平均上调了3%至4%,此举在一定程度上反映了基板制造商在原材料成本承压较重情况下提出的诉求。然而,随着金和铜价格逐步趋于稳定,谈判似乎已转向降价。基板行业认为,供货价格最早可能在下个月下调。
这将有助于半导体制造商实现利润最大化,但会让基板行业无法摆脱“双重负担”:一方面原材料成本仍然很高,另一方面供
XCU-1.76%
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韩国半导体出口 | 2026年6月
[出口额]
- DRAM(含模组):出口额218.46亿美元,同比+385%,环比+17%
- DRAM(不含模组):出口额111.76亿美元,同比+388%,环比-2%
- 闪存(NAND):出口额24.86亿美元,同比+301%,环比+44%
- MCP(HBM):出口额126.81亿美元,同比+171%,环比+32%
- SSD:出口额51.58亿美元,同比+355%,环比+30%
[出口单价]
- DRAM(不含模组)出口单价为74,687美元/公斤,同比+514%,环比-4%
- DRAM(含模组)出口单价为59,717美元/公斤,同比+501%,环比-2%
- 闪存出口单价为62,115美元/公斤,同比+451%,环比+9%
- MCP(HBM)出口单价为94,132美元/公斤,同比+115%,环比+12%
- SSD出口单价为21,131美元/公斤,同比+309%,环比-5%
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• 台湾领先的无源元件公司国巨已对其全系列电容解决方案产品(包括MLCC、铝电解、钽、聚合物、薄膜和超级电容)实施价格上调。这是该公司近年来实施的最广泛的涨价之一,自7月1日起立即生效。
• 由于地缘政治风险、能源价格高企以及关键原材料成本上涨,制造成本压力已达到极限。尽管国巨此前通过工艺效率改进吸收了这些成本,但中东局势升级和国际运费上涨等外部不利因素使得价格调整不可避免。
• 鉴于电容产品约占国巨营收的50%,此次涨价预计将直接支撑盈利改善。此外,随着AI服务器、高性能计算和电动汽车的增长,对高规格产品的需求持续上升,加速了全行业的产能消耗。
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有意思。据报道,中国终于开始出货T-Glass。
日经:广源新材料最近已开始出货T-Glass。
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三星电子推动下一代HBM结构变革…申请应对高堆叠的新型专利
三星电子已确认提交了一项旨在解决高带宽内存(HBM)封装可靠性问题的新专利。随着HBM4E和HBM5高堆叠时代的临近,该公司正在对保护内存裸片的“虚拟裸片”结构进行创新,以追求结构稳定性和良率稳定性。根据28日公开的HBM封装专利,三星电子开发了一种技术,将堆叠中最上方虚拟裸片的侧面加工成三层阶梯加曲面结构。这是一种能够有效改善高堆叠HBM中常见的芯片分层、开裂和翘曲问题的方法。
HBM是一种将多个内存裸片垂直堆叠在基座裸片上的结构,最上方放置一个虚拟裸片。虚拟裸片使整个封装高度符合规格,并起到机械保护和散热的作用。然而,随着堆叠层数从12层攀升至16层或更多,最上方虚拟裸片的可靠性已成为影响良率和长期稳定性的关键变量。通常,从8层增加到12层会使良率下降10至20个百分点,而向16层发展时良率下降更剧烈,降至40%至60%的区间。在此,改进虚拟裸片结构可以解决翘曲问题和热膨胀不匹配问题,而这些是导致良率下降的重要原因之一。
三星电子针对虚拟裸片采用“深槽切割”工艺。深槽切割是一种高精度切割工艺,通过在晶圆上雕刻深槽来分离芯片(裸片),该技术能形成比传统普通刀片切割(机械切割)更深更精确的沟槽。其优势在于基于激光,可最小化对半导体晶体结构的损伤。
这种结构设计为倒金字塔形式,最上方虚拟裸片的底面(键合面)保
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LG电子基于台积电工艺启动ASIC设计服务业务
LG电子正凭借其独立的系统半导体设计能力,进入专用集成电路(ASIC)设计服务市场。自21世纪初以来,LG电子一直为其自有设备设计系统级芯片(SoC)产品,如今正将此业务拓展为面向外部的服务。其商业模式与美国半导体公司博通(Broadcom)和美满电子(Marvell)类似,目标客户为国内外无晶圆厂企业。
据半导体行业30日消息,LG电子已以其首席技术官(CTO)下属的SoC中心为核心,启动了设计服务业务。设计服务是指将半导体设计电路转换为适应代工厂生产线的物理电路。
与一般设计公司不同,LG电子提供的是ASIC设计服务。这沿用了与博通和美满电子相同的商业模式,其通过DQ-C等芯片积累的内部SoC专长构成了该业务的基础。
其首个成果是一款机器人吸尘器芯片组,正在“车载设备AI半导体”国家项目下进行量产。该芯片基于国内某无晶圆厂公司的订单,采用台积电6纳米(nm,十亿分之一米)工艺生产,之后由LG电子的HS业务部门回购并安装到机器人吸尘器中。据悉,LG电子正与多家国内外客户洽谈设计服务合作事宜。
一位半导体行业人士评价称:“LG电子的SoC中心是一个大规模专业组织,为家电和汽车零部件业务提供支持,并拥有自身IP开发能力。”他还补充道:“从业务多元化的角度来看,将其高端设计人才部署到外部设计服务的战略,在技术稳定性和业
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TrendForce:
3Q26 PC DRAM合约价格涨幅已从此前预测的季增8–13%上调至季增15–20%。4Q26的预测也从+0–5%上调至+3–8%。
3Q26服务器DRAM合约价格预计将季增13–18%。
$DRAM $MU
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日经亚洲报道称,小米、OPPO和vivo等中国智能手机品牌已将今年的出货目标削减了多达30%。
“就连明年新产品的发布计划也变得极其困难,因为我们完全不知道如何能真正获得这些新产品所需的组件,”日经援引一位消息人士的话称。
据报道,供应短缺不仅体现在存储器方面,还体现在某些类型的印刷电路板和其他配套芯片上,情况尤为严重。
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我对野村证券的精彩报告印象深刻。
从中我学到了很多。
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DigiTimes 又在散布恐慌、不确定和怀疑了……
一如既往,每当有什么看起来可能对台积电构成威胁时,他们就开始编造各种荒谬的说法。
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现在连中国公司也开始签署LTA了,哈哈。
RTRS:
- 中国的长鑫存储(CXMT)与腾讯签署了一项价值30亿美元的LTA。
- 长鑫存储还在与其他中国互联网公司谈判,包括阿里云、字节跳动和小米。
- 截至第一季度,长鑫存储的DDR5良率仍落后于西方同行。
- 长鑫存储目前在合肥运营两座12英寸DRAM晶圆厂,并在北京设有一座晶圆厂,总月产能约为30万片晶圆。
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中日铝电容龙头加入涨价潮
下半年伊始,铝电容已进入新一轮涨价周期。日本第三大铝电容制造商Rubycon已发布涨价通知,将自8月1日起上调价格,并未排除之后再次上调的可能性。巧合的是,中国领先的铝电容制造商江海也同样宣布涨价。随着中日两地的铝电容龙头企业相继加入涨价行列,条件正有利于台系厂商将成本压力向下游客户传导。
随着Rubycon加入涨价,日本前三大铝电容制造商Nippon Chemicon、Nichicon和Rubycon目前基本都已启动提价。
由于铝电容在终端设备中的用量比MLCC或芯片电阻更少,过去各轮涨价周期中其涨幅相对温和。然而这一次,在AI基础设施建设热潮背景下,领先的日本厂商同步上调价格,被业内供应链认为属不寻常。除三家日本厂商为AI服务器出货量颇为可观外,上游原材料如铅引脚和铝制外壳等的成本压力急剧上升,也支撑了日本铝电容厂商这一轮涨价浪潮。
Rubycon作为日本第三大铝电容制造商,在其涨价通知中强调了以下情况。尽管中东冲突正走向结束,但原油价格仍处在高位,且已对石油相关产品的价格与供应造成重大影响。因此,Rubycon的各个供应商已对覆盖范围广泛的项目实施提价,包括原材料、辅料,甚至物流成本。
Rubycon还指出,自去年以来以铝、铜、锡为主的金属材料价格持续走高,并且在当前情形下,这一上行趋势进一步加剧。尤其是主要原材料价格仍处于前所未
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>>台积电携手华邦电构建本土化AI DRAM供应链
• 在全球内存短缺日益加剧的背景下,台积电已将华邦电纳入其AI芯片供应链。两家公司将合作开发下一代WoW(晶圆对晶圆)3D堆叠技术,由华邦电提供DRAM晶圆,台积电将其与逻辑晶圆堆叠,用于AI芯片。
• 台积电历来依赖三星电子、SK海力士和美光,但随着供应短缺加剧,此举被视为在推动供应来源多元化。业界认为这一合作并非简单的供货协议,而是台积电培养台湾本土内存供应链、增强AI芯片供应稳定性的策略组成部分。对华邦电而言,预计将借此契机正式切入AI服务器及高性能计算供应链。
DRAM-3.48%
CHIP-4.61%
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根据Counterpoint Research的最新分析,苹果预计将在2026年实现智能手机、平板电脑和个人电脑市场份额的历史新高。
$AAPL
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