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[Exclusive] 三星將量子計算嵌入半導體製程
三星正在開發利用量子電腦模擬微影技術的技術,這是半導體製造的核心工序。該計劃動用次世代資訊科技,追求晶片密度與良率的突破。三星SDS(018260)作為集團的系統整合子公司,主導此項研究,並計劃於今年下半年啟動概念驗證(POC)。
根據IT業界1日的消息,三星SDS近期一直在開發一種模擬演算法,利用量子電腦虛擬重現部分微影製程。微影是指利用光線在晶圓上繪製微觀電路的階段。由於這是在晶圓上實際蝕刻電路前先描繪輪廓的過程,因此被視為決定成品半導體品質的關鍵工序之一。
這項研究結合了量子電腦與古典電腦。三星SDS在量子電腦上執行核心模擬計算,再以古典電腦處理所得資訊。量子電腦充當核心引擎,無瓶頸地處理大規模計算。人工智慧(AI)被用來在早期偵測並修正使用量子電腦時發生的錯誤。研究的主要目標是結合多項先進技術,獲得更快、更精準的微影模擬設計技術。三星SDS已掌握部分演算法,並計劃於下半年透過POC驗證其有效性。
若該技術成功開發,三星將率先以次世代運算資源掌握製程效率能力。精密的模擬預期可減少繪製與蝕刻半導體圖案所需的時間與成本。三星SDS不打算將此技術作為獨立軟體商業化。因此,預計未來將與三星電子(005930)共享該技術,以提升晶片密度與效率。三星電子十多年來一直透過其半導體研究所開發製程模擬技術。在該研究所的製程開發部門內,研究團
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>> 領先MLCC製造商國巨漲價…經銷商證實「屬實」
• 市場傳聞被動元件巨頭國巨向客戶發送價格調整通知。根據這些報導,該公司立即全面調漲電容產品價格,包括鉭質電容、MLCC、鋁質電解電容、固態鋁質電容、薄膜電容和超級電容。
• 此次漲價涵蓋的產品約占國巨總營收的50%,並且首次將直接客戶(如EMS和OEM廠商)納入漲價範圍。
• 記者聯繫了多家國巨經銷商,包括東莞超翔電子和深圳赫豐鑫科技,以確認此消息。所有經銷商都證實國巨電容全系列漲價屬實。他們解釋說,由於此次漲價不僅針對經銷商,也包括直接客戶,因此相當於現貨和合約價格同步上漲。
• 深圳赫豐鑫科技的一位代表表示,原廠官方漲價幅度約為50%,而現貨市場的漲幅可能更大。他補充說,雖然這一輪漲價是由原廠正式宣布的,但現貨市場價格實際上自今年5月以來一直在持續上漲,部分高階電容產品的價格在一個月內漲幅甚至接近十倍。
• 他還指出,近期交貨延遲頻繁發生,不僅國巨出現交期延誤,主要MLCC品牌也普遍存在此情況。
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[Exclusive] 三星HBM4E良率突破70%...全力爭奪HBM霸主地位
三星電子在率先量產第六代高頻寬記憶體(HBM4)後,目前在HBM4E(第七代)及次世代DRAM的開發上也展現具體成果。三星電子技術長暨半導體研究中心負責人宋在赫近日在內部管理簡報中表示,HBM4E的信賴性測試良率(合格率)已提升至70%以上,且次世代10奈米等級第七代(D1d)DRAM製程已確保相較競爭對手的優勢。在此基礎上,三星電子預期將進一步加速強化其次世代AI記憶體競爭力的腳步。
根據半導體業界1日消息,宋在赫在6月30日舉行的裝置解決方案(DS)部門內部管理簡報中表示:「HBM4E的信賴性測試良率已提升至70%以上。」業界普遍將80%以上的良率視為「成熟良率」階段,此時製程被認為已趨穩定。考量HBM4E仍處於信賴性測試階段,70%以上的水準被視為開發進入穩定範圍的指標。
三星電子於今年2月業界率先開始量產出貨HBM4,並於5月29日公開12層HBM4E產品的詳細技術規格,向主要客戶出貨樣品。HBM4將搭載於預計下半年推出的Nvidia AI加速器「Vera Rubin」,而作為HBM4後繼產品的HBM4E,則計畫用於Nvidia明年推出的次世代AI加速器「Vera Rubin Ultra」等產品。隨著主要客戶的樣品評估順利進行,業界看好量產開發進展順利。
次世代DRAM製程的開發據悉也進展順利
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半導體基板產業擔憂下半年面臨交貨價格下調壓力
未納入原物料成本連動機制的主要中型半導體基板製造商,擔心下半年獲利能力惡化。這項擔憂源於金與銅等原物料成本大幅上漲後,今年初僅小幅調整的交貨價格,可能回到原有水準。基板產業呼籲擴大成本連動機制的適用範圍,並獲得大型半導體製造商客戶的合作支持。
根據30日業界消息,國內主要半導體基板製造商目前正與三星電子和SK海力士協商下半年交貨價格。據傳基板製造商希望額外調漲價格,理由是金與銅等原物料的採購成本仍處於高檔,加上目前半導體景氣熱絡。另一方面,半導體製造商則考慮在下半年調降價格,因為第一季交貨價格已有所調升。
韓國PCB暨半導體封裝產業協會(KPCA)秘書長安榮佑指出,目前正在協商的許多基板製造商收到客戶要求調降下半年交貨價格,若這些降價措施實施,第一季的漲幅可能完全被抹去。
據傳三星電子和SK海力士今年初將半導體基板交貨價格平均調漲3%至4%,此舉部分反映了基板製造商在原物料成本壓力下的要求。然而,隨著金與銅價格逐漸趨穩,協商似乎轉向降價。基板產業認為交貨價格最快可能在下個月調降。
這將讓半導體製造商得以極大化利潤,但卻會使基板產業陷入原物料成本仍高與交貨價格下降的「雙重負擔」。業界普遍認為這可能阻礙基板產業的成長,因為利潤成長放緩可能會限制資本投資和次世代技術的發展。
基板產業團結呼籲暫緩調降交貨價格,主張互惠成長需要將當前半導體景氣的
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韓國半導體出口 | 2026年6月
[出口金額]
- DRAM(含模組):出口金額21,846百萬美元,年增+385%,月增+17%
- DRAM(不含模組):出口金額11,176百萬美元,年增+388%,月增-2%
- 快閃記憶體(NAND):出口金額2,486百萬美元,年增+301%,月增+44%
- MCP(HBM):出口金額12,681百萬美元,年增+171%,月增+32%
- SSD:出口金額5,158百萬美元,年增+355%,月增+30%
[出口單價]
- DRAM(不含模組)出口單價為74,687美元/公斤,年增+514%,月增-4%
- DRAM(含模組)出口單價為59,717美元/公斤,年增+501%,月增-2%
- 快閃記憶體出口單價為62,115美元/公斤,年增+451%,月增+9%
- MCP(HBM)出口單價為94,132美元/公斤,年增+115%,月增+12%
- SSD出口單價為21,131美元/公斤,年增+309%,月增-5%
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• 台灣領先的被動元件公司國巨,已對其全系列電容解決方案實施價格調漲,包括MLCC、鋁質、鉭質、聚合物、薄膜及超電容。這是該公司近年來範圍最廣的漲價行動之一,並自7月1日起立即生效。
• 因地緣政治風險、能源價格高漲及關鍵原物料成本上升,製造成本壓力已達極限。雖然國巨先前透過製程效率改善吸收這些成本,但外部逆風如中東局勢升溫及國際運費高漲,使價格調整無可避免。
• 由於電容產品約占國巨營收的50%,此次漲價預計將直接帶動獲利改善。此外,受惠於AI伺服器、高效能運算及電動車需求成長,高規格產品需求持續攀升,加速業界產能消耗。
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有趣。據報導,中國終於開始出貨T-Glass。
日經:廣源新材料近期已開始出貨T-Glass。
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三星電子推動下一代HBM結構變革…申請高堆疊響應新專利
三星電子已確認提交了一項新專利,旨在解決高頻寬記憶體(HBM)封裝的可靠性問題。隨著HBM4E和HBM5的高堆疊時代來臨,該公司正在創新保護記憶體晶粒的「虛擬晶粒」結構,追求結構穩定性與良率穩定性的兼顧。根據28日公開的HBM封裝專利,三星電子開發了一種技術,將堆疊中最頂層虛擬晶粒的側面加工成三層階梯加曲線結構。這是一種能有效改善高堆疊HBM常見的晶片分層、裂紋和翹曲問題的方法。
HBM是一種將多個記憶體晶粒垂直堆疊在基底晶粒上的結構,最上方放置一個頂層虛擬晶粒。虛擬晶粒使整體封裝高度符合規格,並承擔機械保護和散熱功能。然而,隨著堆疊層數從12層攀升至16層以上,頂層虛擬晶粒的可靠性已成為影響良率與長期穩定性的關鍵變量。通常,從8層過渡到12層會使良率下降10到20個百分點,而邁向16層時,良率則急遽下降,落入40%到60%的範圍。在此,改善虛擬晶粒結構能解決翹曲問題與熱膨脹不匹配問題,這些都是導致良率下降的重要原因。
三星電子對虛擬晶粒採用「深槽切割」製程。深槽切割是一種高精度切割技術,通過在晶圓上雕刻深槽來分離晶片(晶粒),這項技術能形成比傳統普通刀片切割(機械切割)更深、更精確的溝槽。其優勢在於採用雷射技術,能將對半導體晶體結構的損害降至最低。
此結構設計為倒金字塔形式,其中頂層虛擬晶粒的底面(接合面)保
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LG電子開始基於台積電製程的ASIC設計服務
LG電子正進軍專用積體電路(ASIC)設計服務市場,運用自己的獨立系統半導體設計能力。LG電子自2000年代初期就為自家設備設計系統單晶片(SoC)產品,如今正將此擴展為外部服務。其商業模式與美國半導體公司博通與邁威爾相似,目標客戶為國內外無晶圓廠公司。
據半導體業界30日報導,LG電子已以首席技術長(CTO)旗下的SoC中心為核心,啟動設計服務業務。設計服務是將半導體設計電路轉換為適合晶圓代工廠生產線的實體電路。
與一般設計公司不同,LG電子提供ASIC設計服務。這與博通和邁威爾採用相同的商業模式,而公司透過DQ-C等晶片所累積的內部SoC專業知識,正是此業務的基礎。
其首項成果是一款掃地機器人晶片組,正在「K On Device AI半導體」國家計畫下量產。該晶片是基於國內一家無晶圓廠公司的訂單,以台積電6奈米(奈米,十億分之一公尺)製程生產,之後由LG電子HS事業部門回購並安裝於掃地機器人中。據報導,LG電子正與多家國內外客戶洽談設計服務合作。
一位半導體業界人士評估:「LG電子的SoC中心是一個大規模專業組織,支援家電與汽車零件業務,並擁有自身的IP開發能力。」他補充道:「從業務多元化的角度來看,將其高階設計人力部署到外部設計服務的策略,在技術穩定性與業務效率方面都是一個具競爭力的選擇。」
LG電子已擁有6奈米及以下製程的IP組
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TrendForce:
3Q26 PC DRAM 合约价格涨幅已从先前预测的季增 8–13% 上调至季增 15–20%。4Q26 的预测也从季增 0–5% 上调至季增 3–8%。
3Q26 服务器 DRAM 合约价格预计将季增 13–18%。
$DRAM $MU
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日經亞洲報導,小米、OPPO和vivo等中國智慧型手機品牌已將今年的出貨目標削減了多達30%。
「就連規劃明年的新產品推出也變得極度困難,因為我們完全不知道如何實際取得這些新產品所需的零組件。」日經引述一位消息人士說。
特別是,據報導供應短缺不僅在記憶體方面嚴重,某些類型的印刷電路板及其他輔助晶片也同樣短缺。
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野村證券的優秀報告讓我印象深刻。
我從中學到了很多。
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DigiTimes 又在散佈 FUD 了…
一如既往,每當有什麼東西看起來可能對台積電構成威脅時,他們就開始編造各種荒謬的說法。
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現在連中國公司也在簽署LTA了 lol
RTRS:
- 中國的CXMT已與騰訊簽署了一份30億美元的LTA。
- CXMT亦正在與其他中國互聯網公司洽談,包括阿里雲、字節跳動和小米。
- 截至第一季度,CXMT的DDR5良率仍落後於西方同業。
- CXMT目前在合肥運營兩座12英寸DRAM晶圓廠,在北京有一座晶圓廠,總晶圓產能約為每月30萬片。
DRAM2.31%
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中國與日本鋁電容龍頭聯手漲價
下半年一開始,鋁電容就迎來新一波漲價潮。日本第三大鋁電容廠Rubycon發布漲價通知,8月1日起調漲價格,且不排除之後再進行第二次調漲。無獨有偶,中國大陸鋁電容龍頭江海也宣布漲價。隨著中日兩大鋁電容龍頭相繼加入漲價行列,台廠順勢對客戶反映成本壓力的條件已成熟。
隨著Rubycon加入漲價行列,日本前三大鋁電容廠Nippon Chemicon、Nichicon、Rubycon,等於已經全面啟動漲價。
鋁電容在終端裝置用量比MLCC或晶片電阻少,以往漲價循環的反應相對輕微,不過,這一次日系三大廠在AI基礎建設熱潮中,同步啟動漲價,在供應鏈中較為少見。除了日系三大廠AI伺服器出貨量不小之外,上游導針、鋁殼等材料成本壓力驟升,也支撐這一波日系鋁電容漲價。
日本第三大鋁電容廠Rubycon在漲價通知中強調,雖然中東局勢走向結束衝突,但原油價格維持高檔,並已對石油相關產品的價格及供應產生重大影響。因此Rubycon所屬的各供應商,已全面針對原物料、輔助材料、甚至物流費用等進行全面調漲。
Rubycon也提到,以鋁、銅、錫為主的金屬材料,價格從去年開始就持續攀升,在目前局勢下有愈演愈烈的趨勢,尤其主要原物料的價格,處於前所未見的高檔局面。Rubycon在目前情勢下,已經很難單憑自身的努力,去吸收暴漲的成本,為了穩定供應並持續經營,不得不針對產品售價調漲,且視後續的國
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>>台積電攜手華邦電打造AI本土DRAM供應鏈
• 在全球記憶體短缺日益嚴峻之際,台積電已將華邦電納入其AI晶片供應鏈。兩家公司將合作開發下一代WoW(晶圓對晶圓)3D堆疊技術,由華邦電提供DRAM晶圓,台積電將其與邏輯晶圓進行堆疊,應用於AI晶片。
• 台積電過去主要依賴三星電子、SK海力士與美光,但隨著供應短缺加劇,外界認為台積電正尋求供應來源多元化。業界將此次合作視為不僅是單純的供貨協議,而是台積電在台灣培育記憶體供應鏈、強化其AI晶片供貨穩定性的策略一環。對華邦電而言,預期將以此為跳板,正式切入AI伺服器與高效能運算供應鏈。
DRAM-3.38%
CHIP-3.23%
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