[Exclusive] 三星HBM4E良率突破70%...全力爭奪HBM霸主地位

三星電子在率先量產第六代高頻寬記憶體（HBM4）後，目前在HBM4E（第七代）及次世代DRAM的開發上也展現具體成果。三星電子技術長暨半導體研究中心負責人宋在赫近日在內部管理簡報中表示，HBM4E的信賴性測試良率（合格率）已提升至70%以上，且次世代10奈米等級第七代（D1d）DRAM製程已確保相較競爭對手的優勢。在此基礎上，三星電子預期將進一步加速強化其次世代AI記憶體競爭力的腳步。

根據半導體業界1日消息，宋在赫在6月30日舉行的裝置解決方案（DS）部門內部管理簡報中表示：「HBM4E的信賴性測試良率已提升至70%以上。」業界普遍將80%以上的良率視為「成熟良率」階段，此時製程被認為已趨穩定。考量HBM4E仍處於信賴性測試階段，70%以上的水準被視為開發進入穩定範圍的指標。

三星電子於今年2月業界率先開始量產出貨HBM4，並於5月29日公開12層HBM4E產品的詳細技術規格，向主要客戶出貨樣品。HBM4將搭載於預計下半年推出的Nvidia AI加速器「Vera Rubin」，而作為HBM4後繼產品的HBM4E，則計畫用於Nvidia明年推出的次世代AI加速器「Vera Rubin Ultra」等產品。隨著主要客戶的樣品評估順利進行，業界看好量產開發進展順利。

次世代DRAM製程的開發據悉也進展順利。宋在赫評估D1d製程技術競爭力領先競爭對手，並說明開發目標是在11月取得生產準備核准（PRA）。PRA是產品出貨前進行的最終內部品質評估階段，為全面驗證良率、效能及生產力以判斷是否能量產的程序，通過後即可全面轉向量產體系。

尤其D1d是三星電子計畫從次世代HBM5（第八代）開始應用的核心DRAM製程。業界預期，若D1d開發如計畫推進，不僅對次世代DRAM，也將對HBM5及後續產品的競爭力產生正面影響。隨著HBM4E開發成果與D1d製程穩定化雙管齊下，外界認為三星電子在次世代AI記憶體競賽中的技術競爭力將進一步增強。

另一方面，這場簡報後，研發組織內部也出現對研發人員角色與薪酬結構的抱怨。據悉成員們表示研發組織的貢獻應獲得更積極的認可。此前，三星電子的勞資雙方已同意為DS部門設立「特殊經營績效獎金」，資金來源為事業績效（營業利益）的10.5%。然而，即便在同一DS部門內，記憶體事業與包含研究中心在內的共同部門，以及非記憶體（系統LSI與晶圓代工）事業單位之間的獎金差距仍大，要求改善薪酬結構的聲音日益高漲。