Theo Tom's Hardware, Intel đã công bố đơn xin cấp bằng sáng chế vào ngày 2 tháng 7 cho một kiến trúc bộ nhớ mới có tên Cross-Batch Memory (XBM), được thiết kế để thay thế hoặc bổ sung cho HBM truyền thống bằng cách giảm chi phí đóng gói và cải thiện năng suất sản xuất.
Kiến trúc XBM chuyển các bóng bán dẫn DRAM sang các lớp sản xuất back-end-of-line (BEOL) và thay thế giao diện song song rộng của HBM bằng truyền dữ liệu nối tiếp ở tốc độ 32 GT/s sử dụng tiêu chuẩn kết nối chiplet UCIe. Intel nhấn mạnh các cơ chế sửa chữa tích hợp và cấu trúc đóng gói đơn giản hóa để giảm chi phí tổng thể so với các ngăn xếp HBM dựa trên interposer silicon. Bằng sáng chế, được nộp lần đầu vào tháng 12 năm 2024, hiện vẫn ở giai đoạn ý tưởng và chưa có sản phẩm hay mốc thời gian nào được công bố.