Згідно зі звітом Morgan Stanley від 2 липня, інвестиційна теза щодо мікросхем пам’яті зміщується від загального зростання до структурної диференціації. Банк рекомендує надавати перевагу DRAM над NAND Flash і віддавати перевагу виробникам мікросхем перед виробниками модулів.

Звіт прогнозує, що попит на NAND, зумовлений ШІ, зросте з 205 EB у 2025 році до 400 EB у 2026 році та 609 EB у 2027 році, що становить 60% щорічного зростання. Це призведе до дефіциту постачання на 15% у 2026 році та на 9% у 2027 році. DRAM має чотири переваги перед NAND: зрілі механізми довгострокових угод, краща видимість попиту з боку ШІ та серверів, обмежена потужність виробництва передових технологій, що обмежує збільшення пропозиції, і потенційне майбутнє виробництво HBM4E, яке ще більше посилить дефіцит.

Переглянути джерело

Застереження: інформація на цій сторінці може походити зі сторонніх джерел і надається виключно для ознайомлення. Вона не відображає позицію чи думку Gate і не є фінансовою, інвестиційною чи юридичною консультацією. Торгівля віртуальними активами пов’язана з високим ризиком. Будь ласка, не покладайтеся лише на інформацію з цієї сторінки під час прийняття рішень. Детальніше дивіться у Застереженні.

Пов’язані новини

5год тому

UBS підвищує прогнози цін на DRAM та NAND на друге півріччя 2026 року, продовжуючи бичачий цикл до 2027 року.

16год тому

Kioxia постачає зразки флеш-пам'яті наступного покоління для центрів обробки даних ШІ 4 липня

18год тому

JPMorgan попереджає, що «розрив ножиць» в індустрії ШІ є нестійким; ключовий перехід від капітальних витрат до монетизації

07-04 02:37

Morgan Stanley змінює логіку інвестицій у мікросхеми пам'яті: DRAM понад NAND, виробники мікросхем понад модульні компанії

07-03 17:31

SemiAnalysis очікує, що частка витрат Nvidia на пам’ять перевищить 40% до 2027 року.

Поглиблений аналіз