فازت Infineon بقضية براءات اختراع تخص تقنية GaN في ألمانيا، وأمرت شركة أشباه الموصلات GaN بوقف المبيعات ودفع تعويضات

بحسب محكمة ميونيخ الإقليمية (Landgericht München I)، فازت Infineon بقضية اعتداء على براءة اختراع ضد GaN Semiconductor في 19 يونيو، حيث أمرت المحكمة المدعى عليه بوقف تصنيع وبيع المنتجات القائمة على نيتريد الغاليوم المخالِفة للبراءة في ألمانيا، مع دفع تعويضات. وتُعدّ هذه المقتضيات هي الهزيمتان القانونيتان الثالثة والرابعة على التوالي لشركة GaN Semiconductor في سلسلة نزاعات براءات الاختراع هذه، وفقاً لـ Infineon. ويأتي هذا في تعارض مع قرار حديث صادر عن المحكمة الشعبية العليا في الصين، قضت فيه بأن Infineon انتهكت براءة اختراع GaN Semiconductor وأمرت بدفع 10 ملايين يوان كتعويضات ووقف المبيعات في الصين.
إخلاء المسؤولية: قد تكون المعلومات الواردة في هذه الصفحة مستمدة من مصادر خارجية وهي للمرجعية فقط. لا تمثل هذه المعلومات آراء أو وجهات نظر Gate ولا تشكل أي نصيحة مالية أو استثمارية أو قانونية. ينطوي تداول الأصول الافتراضية على مخاطر عالية. يرجى عدم الاعتماد حصرياً على المعلومات الواردة في هذه الصفحة عند اتخاذ القرارات. لمزيد من التفاصيل، يرجى الرجوع على إخلاء المسؤولية.
تعليق
0/400
لا توجد تعليقات