[Exclusive] Samsung đạt tỷ lệ 70% trên HBM4E… Đẩy mạnh toàn lực cho vị thế thống trị HBM

Samsung Electronics, sau khi bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ sáu (HBM4) đầu tiên trên thế giới, hiện cũng đang đạt được những kết quả khả quan trong việc phát triển HBM4E (thế hệ thứ bảy) và DRAM thế hệ tiếp theo. Song Jai Hyuk, Giám đốc công nghệ kiêm Trưởng Trung tâm nghiên cứu bán dẫn của Samsung Electronics, gần đây đã phát biểu tại một cuộc họp giao ban nội bộ về quản lý rằng tỷ lệ đạt yêu cầu kiểm tra độ tin cậy (tỷ lệ sản phẩm tốt) của HBM4E đã tăng lên mức trên 70% và quy trình DRAM thế hệ thứ bảy (D1d) lớp 10 nanomet thế hệ tiếp theo đã giành được lợi thế so với các đối thủ cạnh tranh. Trên cơ sở này, dự kiến Samsung Electronics sẽ đẩy nhanh hơn nữa các nỗ lực nhằm tăng cường năng lực cạnh tranh về bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo.
Theo ngành công nghiệp bán dẫn vào ngày 1, ông Song được cho là đã phát biểu tại cuộc họp giao ban nội bộ về quản lý của bộ phận Giải pháp thiết bị (DS) được tổ chức vào ngày 30 tháng 6 rằng "tỷ lệ đạt yêu cầu kiểm tra độ tin cậy của HBM4E đã tăng lên mức trên 70%." Ngành công nghiệp thường coi tỷ lệ 80% trở lên là giai đoạn "tỷ lệ thành thục", tại đó quy trình được coi là đã ổn định. Do HBM4E vẫn đang ở giai đoạn kiểm tra độ tin cậy, mức trên 70% được xem là dấu hiệu cho thấy quá trình phát triển đang bước vào phạm vi ổn định.
Samsung Electronics là công ty đầu tiên trong ngành bắt đầu vận chuyển sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2 năm nay và vào ngày 29 tháng 5, họ đã công bố các thông số kỹ thuật chi tiết của sản phẩm HBM4E 12 lớp và gửi mẫu cho các khách hàng chính. HBM4 sẽ được gắn trên bộ tăng tốc AI "Vera Rubin" của Nvidia, dự kiến ra mắt vào nửa cuối năm nay, và HBM4E, sản phẩm kế nhiệm của HBM4, dự kiến sẽ được lắp đặt trong các bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo như "Vera Rubin Ultra" mà Nvidia dự định ra mắt vào năm tới. Ngành công nghiệp cho rằng quá trình phát triển sản xuất hàng loạt đang diễn ra suôn sẻ khi việc đánh giá mẫu của các khách hàng chính đang tiến triển.
Quá trình phát triển DRAM thế hệ tiếp theo cũng được cho là đang tiến hành tốt. Ông Song đánh giá rằng năng lực cạnh tranh công nghệ của quy trình D1d đang dẫn trước các đối thủ và giải thích rằng quá trình phát triển đang được tiến hành với mục tiêu Phê duyệt sẵn sàng sản xuất (PRA) vào tháng 11. PRA là giai đoạn đánh giá chất lượng nội bộ cuối cùng được thực hiện trước khi vận chuyển sản phẩm. Đây là một thủ tục xác minh toàn diện tỷ lệ đạt yêu cầu, hiệu suất và năng suất để xác định xem có thể sản xuất hàng loạt hay không và việc vượt qua nó cho phép chuyển đổi hoàn toàn sang hệ thống sản xuất hàng loạt.
Đặc biệt, D1d là quy trình DRAM cốt lõi mà Samsung Electronics dự định áp dụng bắt đầu từ HBM5 thế hệ tiếp theo (thế hệ thứ tám). Ngành công nghiệp kỳ vọng rằng nếu quá trình phát triển D1d diễn ra theo kế hoạch, nó sẽ có tác động tích cực không chỉ đối với DRAM thế hệ tiếp theo mà còn đối với năng lực cạnh tranh của HBM5 và các sản phẩm tiếp theo. Với các kết quả phát triển HBM4E và sự ổn định quy trình D1d kết hợp với nhau theo cách này, quan điểm cho rằng năng lực cạnh tranh công nghệ của Samsung Electronics trong cuộc đua bộ nhớ AI thế hệ tiếp theo sẽ được củng cố hơn nữa.
Trong khi đó, sau cuộc họp giao ban, những phàn nàn về vai trò và cơ cấu thù lao của nhân viên nghiên cứu và phát triển cũng đã xuất hiện trong tổ chức R&D. Các thành viên được cho là đã lên tiếng rằng sự đóng góp của tổ chức R&D cần được công nhận tích cực hơn. Trước đó, ban lãnh đạo và công đoàn của Samsung Electronics đã đồng ý thiết lập "tiền thưởng hiệu suất quản lý đặc biệt" cho bộ phận DS, được tài trợ bởi 10,5% hiệu suất kinh doanh (lợi nhuận hoạt động). Tuy nhiên, ngay cả trong cùng bộ phận DS, khoảng cách tiền thưởng giữa mảng kinh doanh bộ nhớ và các bộ phận chung bao gồm trung tâm nghiên cứu, cũng như các đơn vị kinh doanh phi bộ nhớ (System LSI và Foundry), là rất lớn và những lời kêu gọi cải thiện cơ cấu thù lao ngày càng tăng.