Samsung sẽ cung cấp HBM tùy chỉnh cho chip AI Feynman của Nvidia thông qua công nghệ lai ghép (hybrid bonding).

2026-07-21 10:25:25

Theo BlockBeats, vào ngày 21 tháng 7, Samsung Electronics bắt đầu xây dựng dây chuyền sản xuất lai Die-to-Wafer hybrid bonding tại cơ sở P5 ở Pyeongtaek để hỗ trợ đóng gói nâng cao cho thế hệ tiếp theo đối với HBM và các bộ vi xử lý logic. Công ty dự kiến mua khoảng 50 hệ thống hybrid bonding từ nhà sản xuất thiết bị Besi của Hà Lan.

Nhà phân tích Jukan từ Citrini cho biết công nghệ hybrid bonding được kỳ vọng sẽ được triển khai trên bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo Feynman của Nvidia, thiết bị này sẽ sử dụng HBM tùy chỉnh. Samsung nội bộ dự phóng sản xuất hàng loạt vào khoảng 2029–2030, phù hợp với mốc thời gian dự kiến cho chip Feynman của Nvidia.

Xem nguồn

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.

Tin tức liên quan

12giờ trước

Samsung và SK Hynix công bố kế hoạch đầu tư 32 nghìn tỷ won cho chip, dự kiến xây dựng 7 nhà máy mới vào năm 2030

16giờ trước

Samsung Electronics công bố thành lập bộ phận robot vào ngày 21 tháng 7

17giờ trước

Samsung BioLogics mua lại CDMO peptide của Thụy Sĩ PolyPeptide, đặt mục tiêu giá ở mức 2 triệu KRW

07-20 08:09

Các nhà sản xuất chip lớn mở rộng sản xuất bộ nhớ khi nhu cầu AI tăng cao; nguy cơ dư cung có thể xuất hiện trong giai đoạn 2028–2029

Phân tích chuyên sâu

Giám đốc tuân thủ của Samsung phản hồi việc xem xét khoản đầu tư của Honam, phủ nhận tin đồn liên quan đến ADR

Lucas Bennett12giờ trước