Samsung nộp bằng sáng chế HBM mới cho bộ nhớ 12+ lớp vào ngày 30 tháng 6, cải thiện độ tin cậy

2026-06-30 10:49:29

Theo BlockBeats trích dẫn nhà nghiên cứu Citrini Jukan, Samsung Electronics đã nộp đơn xin cấp bằng sáng chế HBM mới vào ngày 30 tháng 6 nhằm nâng cao độ tin cậy trong bộ nhớ xếp chồng cao (12+ lớp). Bằng sáng chế cải thiện cấu trúc lớp giả (dummy die) trên cùng bằng cách giới thiệu thiết kế bậc thang ba cấp với bề mặt cong, sử dụng công nghệ cắt rãnh sâu để giảm cong vênh, nứt gãy và bong tróc, đồng thời tối ưu hóa quản lý nhiệt và độ sạch của bề mặt liên kết. Sáng kiến này nhắm đến các sản phẩm HBM5 và 16+ lớp, có khả năng tăng tỷ lệ năng suất và độ ổn định lâu dài.

Xem nguồn

Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Thông tin trên trang này có thể đến từ các nguồn bên thứ ba và chỉ mang tính chất tham khảo. Thông tin này không phản ánh quan điểm hoặc ý kiến của Gate và không cấu thành bất kỳ lời khuyên tài chính, đầu tư hoặc pháp lý nào. Giao dịch tài sản ảo tiềm ẩn rủi ro cao. Vui lòng không chỉ dựa vào thông tin trên trang này khi đưa ra quyết định. Để biết thêm chi tiết, vui lòng xem Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm.

Tin tức liên quan

9giờ trước

Samsung, SK Hynix đạt tỷ trọng kết hợp kỷ lục 60% trong KOSPI vào ngày 30 tháng 6

9giờ trước

CXMT của Trung Quốc trở thành nhà sản xuất DRAM lớn thứ 4 thế giới, nhưng tình trạng khan hiếm nguồn cung ngắn hạn khó có thể giảm bớt

10giờ trước

Samsung, SK Hynix, Micron bị kiện vì định giá DRAM; Giá tăng 700% trong bốn năm.

15giờ trước

Khoản đầu tư 800 nghìn tỷ Won vào bán dẫn của Samsung và SK Hynix cho thấy tài sản kỹ thuật số đang tụt hậu trong cuộc cạnh tranh vốn, theo CoinDesk.

22giờ trước

Samsung, SK Hynix, Micron bị kiện vì cáo buộc thao túng giá DRAM; thị phần được tuyên bố vượt quá 90%

Phân tích chuyên sâu