Президент SK Hynix Сон Хьон-джон висловив упевненість у тому, що наступне покоління пам’яті HBM4E компанії буде успішним, під час телефонної конференції за підсумками 2 кварталу 2026 року 29-го числа. Він зазначив, що застосовано оптимальні процеси з технічною зрілістю та виробничою стабільністю, а подальші графіки розробки просуваються безперешкодно. Оголошення з’явилося на тлі дефіциту пропозиції пам’яті, який підвищує здатність постачальників своєчасно забезпечувати обсяги, необхідні клієнтам, до рівня одного з ключових чинників конкурентоспроможності для виробників пам’яті. Сон наголосив, що SK Hynix зберігатиме лідерство в HBM завдяки комплексній конкурентоспроможності, що включає відмінну якість, стабільну пропускну спроможність на основі високого попиту, конкурентоспроможність за витратами та галузеве лідерство за продуктивністю, а також розкрив плани щодо інвестицій на суму понад 40 трлн KRW цього року та триваючий багатофакторний перегляд додаткових заходів із повернення коштів акціонерам.
SK Hynix просуває розгортання HBM4E та HBM4 у виробництві
SK Hynix розпочала серійні відвантаження HBM4 у 2 кварталі та планує розширити виробництво в другій половині року. У першій половині компанія постачала зразки HBM4E ключовим клієнтам. Сон заявив, що HBM4 продемонструвала диференційовану технологічну конкурентоспроможність, досягнувши галузевого лідерства за енергоефективністю та конкурентоспроможністю за витратами, а також упровадивши швидкості роботи, яких потребують клієнти, завдяки безперервній оптимізації продукту. Він додав, що компанія підтримуватиме лідерство в HBM завдяки комплексній конкурентоспроможності, яка охоплює відмінну якість, стабільну пропускну спроможність на основі високого попиту, конкурентоспроможність за витратами та галузеве лідерство за продуктивністю.
SK Hynix розширює портфель 1c Nano DRAM і покращений NAND
SK Hynix розпочала повномасштабне постачання продуктів DDR5 на основі 1c nano-процесу з 2 кварталу. Щодо NAND flash компанія планує пришвидшити переходи на передові процеси та посилити свій портфель, орієнтований на продукти великої ємності та високої продуктивності. Сон пояснив, що компанія й надалі нарощуватиме виробничі потужності, щоб відповідати попиту клієнтів, а також середньо- та довгостроковому зростанню: плани передбачають завчасне забезпечення інфраструктури для майбутньої пропускної спроможності на основі консультацій із клієнтами та прогнозів ринкового попиту.
SK Hynix планує інвестиції понад 40 трлн KRW і нові об’єкти
SK Hynix очікує, що масштаби інвестицій цього року перебуватимуть у діапазоні понад 40 трлн KRW. Нещодавно компанія оголосила інвестиційні плани для P&T7, щоб посилити можливості передового пакування, а також створити нову виробничу базу NAND. SK Hynix також розкрила плани на середньо- та довгострокову перспективу щодо формування нового вітчизняного кластера напівпровідників у регіоні Хонам. Сон заявив, що компанія надаватиме пріоритет інвестиціям у можливості зростання, здатні забезпечувати високу прибутковість і стратегічну цінність, водночас формуючи фінансову основу для стабільної роботи бізнесу навіть у разі ринкових коливань.
SK Hynix переглядає додаткові заходи повернення коштів акціонерам
SK Hynix проводить багатофакторний перегляд заходів щодо додаткового повернення коштів акціонерам. Сон заявив, що компанія має намір продовжувати ділитися з акціонерами результатами, створеними інвестиціями та стабільною діяльністю, додавши, що конкретні плани буде повідомлено ринку після їх завершення. Компанія планує паралельно продовжувати і інвестиції, і повернення коштів акціонерам.
Поширені запитання
Що SK Hynix оголосила щодо виробництва HBM4E 29-го числа?
Президент SK Hynix Сон Хьон-джон заявив під час телефонної конференції за підсумками 2 кварталу 2026 року 29-го числа, що HBM4E застосувала оптимальні процеси з технічною зрілістю та виробничою стабільністю, а подальші графіки розробки просуваються безперешкодно. Компанія постачала зразки HBM4E ключовим клієнтам у першій половині року.
Який обсяг інвестицій SK Hynix планує цього року?
SK Hynix очікує, що масштаби інвестицій цього року перебуватимуть у діапазоні понад 40 трлн KRW. Нещодавно компанія оголосила інвестиційні плани для передових потужностей пакування P&T7 і нової виробничої бази NAND, а також розкрила плани на середньо- та довгострокову перспективу щодо створення нового кластера напівпровідників у регіоні Хонам.