Infineon ชนะคดีสิทธิบัตร GaN ในเยอรมนี สั่งผู้ผลิตเซมิคอนดักเตอร์ GaN หยุดการขายและจ่ายค่าสินไหมทดแทน

ตามคำตัดสินของศาลระดับภูมิภาคมิวนิก (Landgericht München I) อินฟีเนียนชนะคดีละเมิดสิทธิบัตรกับ GaN Semiconductor เมื่อวันที่ 19 มิถุนายน โดยศาลสั่งให้จำเลยหยุดการผลิตและการขายผลิตภัณฑ์ที่ละเมิดสารประกอบไนไตรด์แกลเลียมในเยอรมนี และชดใช้ค่าเสียหาย คำตัดสินดังกล่าวถือเป็นความพ่ายแพ้ทางกฎหมายครั้งที่ 3 และ 4 ติดต่อกันของ GaN Semiconductor ในชุดข้อพิพาทด้านสิทธิบัตรนี้ ตามที่อินฟีเนียนระบุ ทั้งนี้สวนทางกับคำตัดสินล่าสุดของศาลฎีกาประชาชนของจีน ซึ่งวินิจฉัยว่าอินฟีเนียนละเมิดสิทธิบัตรของ GaN Semiconductor และสั่งให้ชดใช้ค่าเสียหาย 10 ล้านหยวน พร้อมทั้งหยุดการขายในจีน
news.article.disclaimer
แสดงความคิดเห็น
0/400
ไม่มีความคิดเห็น