Rendimento do HBM4E da Samsung Excede 70%, Processo D1d DRAM Visa Aprovação de Produção em Novembro

De acordo com Song Jae-hyuk, CTO da divisão DS da Samsung Electronics, o rendimento dos testes de fiabilidade do HBM4E excedeu 70% a partir de 30 de junho, com o desenvolvimento a entrar numa fase estável. A empresa, que iniciou a produção em massa do HBM4 em fevereiro, está a avançar a sua tecnologia de processo D1d DRAM de próxima geração, com o objetivo de obter aprovação de prontidão de produção em novembro. O D1d será aplicado ao HBM5 da Samsung e aos produtos subsequentes.
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