A Samsung e a Broadcom assinaram uma parceria de semicondutores de IA com a $200B até 2030

A Samsung Electronics assinou, a 24, (hora local) um memorando de entendimento de parceria estratégica com a Broadcom, no AI Summit, em São Francisco. A colaboração, no valor de mais de 200 mil milhões de dólares (aproximadamente 280 biliões de won), vai decorrer até 2030 e incidirá na construção de infraestruturas centrais de inteligência artificial de próxima geração. A parceria responde à crescente adoção, por parte das grandes empresas globais de tecnologia, de circuitos integrados específicos para aplicações (ASIC), combinando a força da Broadcom no desenho de semicondutores personalizados com as capacidades da Samsung em memória, fundição e empacotamento (packaging) para reforçar a competitividade dos semicondutores para IA.

A cerimónia de assinatura contou com a presença de Han Jin-man, Presidente do Negócio de Foundry da Samsung Electronics, Hock Tan, CEO da Broadcom, executivos de ambas as empresas e responsáveis governamentais. O Presidente Lee Jae-myung e o Presidente do Conselho da Samsung Electronics, Lee Jae-yong, também estiveram presentes no evento.

Parceria Samsung-Broadcom Abrange Memória, Foundry e Packaging Até 2030

As duas empresas vão expandir a cooperação em memória, fundição e empacotamento avançado nos próximos cinco anos. A Samsung Electronics fornecerá produtos avançados de memória, incluindo memory high bandwidth (HBM), para os aceleradores de IA de próxima geração da Broadcom. A parceria vai aplicar processos de foundry de 2 nanómetros e inferiores e tecnologias avançadas de empacotamento aos principais produtos da Broadcom.

Samsung Fornece HBM4 e Aplica Processo de Foundry de 2nm aos Produtos da Broadcom

A Samsung Electronics produziu em massa e enviou HBM4, aplicando tecnologia de base die de 1c DRAM e 4nm, em Fevereiro. Em Maio, a empresa forneceu amostras de HBM4E a clientes. A HBM da Samsung será utilizada para melhorar o desempenho computacional e a eficiência energética dos aceleradores de IA da Broadcom.

No setor de foundry, a parceria vai aplicar processos de 2 nanómetros e inferiores aos principais produtos da Broadcom, incluindo semicondutores de comunicação de dados de alta velocidade de próxima geração. As empresas pretendem encurtar os períodos de desenvolvimento de produtos, ligando o desenho de semicondutores, a otimização de processos, o empacotamento e a produção em massa.

Executivos Destacam Soluções Integradas de Semicondutores para a Era da IA

Jeon Young-hyun, Vice-Presidente da Divisão DS da Samsung Electronics, afirmou que “na era da IA, são importantes soluções de semicondutores que integrem de forma estreita memória, lógica e empacotamento avançado”. Acrescentou: “Vamos expandir a cooperação com a Broadcom para acelerar o desenvolvimento da futura infraestrutura de IA e proporcionar mais valor aos clientes.”

Charlie Kawas, Presidente do Grupo de Soluções de Semicondutores da Broadcom, disse: “Através da cooperação com a Samsung Electronics, vamos criar soluções de próxima geração otimizadas para diversificar, em conjunto, as exigências do mercado.”

Perguntas Frequentes

Qual é o valor da parceria Samsung-Broadcom anunciada a 24?

A parceria estratégica entre a Samsung Electronics e a Broadcom é valorizada em mais de 200 mil milhões de dólares (aproximadamente 280 biliões de won) e vai decorrer até 2030. A colaboração abrange memória, fundição e empacotamento avançado para o desenvolvimento de infraestruturas de IA.

Que produtos específicos da Samsung é que a Broadcom vai usar nos seus aceleradores de IA?

A Broadcom vai usar os produtos de memory high bandwidth da Samsung, incluindo HBM4 e HBM4E, nos seus aceleradores de IA de próxima geração. A Samsung produziu em massa HBM4 em Fevereiro e forneceu amostras de HBM4E a clientes em Maio. A parceria vai também aplicar os processos de foundry de 2 nanómetros e inferiores da Samsung aos principais produtos da Broadcom.