Coreia do Sul e Japão revelam projetos de arquitetura vertical de HBM para aumentar em 80% a largura de banda de memória da IA

Na conferência IEEE/JSAP VLSI de 2026, equipes de pesquisa da UNIST, da Coreia do Sul, e da Universidade de Tóquio, do Japão, anunciaram independentemente duas novas arquiteturas de memória de alta largura de banda (HBM) — V-Die e MOSAIC — que rotacionam chips de DRAM de uma orientação horizontal para vertical para melhorar a dissipação térmica e lidar com gargalos de memória em chips de IA.

A arquitetura V-Die da UNIST rotaciona chips de DRAM em 90 graus e os posiciona verticalmente usando vias através do silício (TSV), liberando espaço para células de memória adicionais e, ao mesmo tempo, introduzindo canais de resfriamento líquido entre os chips. Os dados de simulação mostram que a V-Die atinge 540 tokens por segundo ao executar cargas de trabalho no nível do GPT-3, quase o dobro dos 296 tokens por segundo da HBM4 convencional.

A MOSAIC da Universidade de Tóquio usa empilhamento ortogonal de chips com interfaces inter-chip sem contato, usando acoplamento por microindutor, alcançando 4 Gbps por canal e podendo dobrar a capacidade da HBM4 em configurações de DRAM-on-GPU. Ambos os projetos buscam resolver o gargalo crítico de largura de banda de memória que limita os atuais aceleradores de IA, embora ambos ainda estejam na fase de simulações acadêmicas.