A 15 de julho de 2026, foi noticiado que a Samsung Electronics planeava construir uma nova fábrica de DRAM em Giheung, província de Gyeonggi, com uma capacidade mensal de 100 000 wafers e um investimento total que poderá atingir dezenas de biliões de won. A inteligência artificial está a transformar de forma fundamental a dinâmica global de oferta e procura, bem como a lógica de preços dos chips de memória.
Enquanto componente central da infraestrutura de IA, a DRAM (Memória Dinâmica de Acesso Aleatório) está a atravessar um processo de reconstrução do ciclo, impulsionado por uma mudança drástica na estrutura da procura. Este novo ciclo distingue-se radicalmente dos ciclos tradicionais de memória: em vez de ser alimentado por vagas de substituição de eletrónica de consumo, é desencadeado por uma procura explosiva de memória de elevada largura de banda para treino e inferência de IA. Compreender a evolução deste ciclo da DRAM é essencial para perceber o rumo da indústria dos semicondutores e as mudanças na infraestrutura de base do mercado de ativos digitais.
Diferença entre Oferta e Procura Atinge Máximos de Quase 15 Anos
Em julho de 2026, os preços globais dos chips de memória registaram uma subida pelo terceiro trimestre consecutivo. Num relatório publicado no início de julho, o UBS reviu em alta as suas previsões para os preços da memória, antecipando que os preços contratuais de DDR aumentem 32% em cadeia no terceiro trimestre e mais 18% no quarto trimestre. O banco prevê que a situação de forte restrição entre oferta e procura na indústria de DRAM se mantenha pelo menos até ao primeiro semestre de 2028.
Vários indicadores corroboram esta avaliação. Segundo a TrendForce, o mercado global de DRAM no terceiro trimestre de 2026 mantém-se extremamente restrito, prevendo-se que os preços contratuais subam entre 13% e 18% em cadeia. A 7 de julho, o Morgan Stanley reviu em alta a previsão de aumento dos preços médios de venda (ASP) da DRAM para PC de 3%-8% para 15%-20% em cadeia, e para a DRAM de servidores para 13%-18%.
A profundidade do desequilíbrio entre oferta e procura aproxima-se de extremos históricos. Os analistas do UBS referem que, excluindo o efeito de amortecimento do reabastecimento de inventários a jusante, a diferença real entre oferta e procura em 2027 deverá alargar-se de -8,1% em 2026 para -13,6%, atingindo um desequilíbrio raramente visto nos últimos 30 anos. O Goldman Sachs indica que o atual desequilíbrio global entre oferta e procura de memória é o maior dos últimos quase 15 anos. O analista da KB Securities, Kim Dong-won, prevê ainda que 2027 será o período de maior restrição de oferta em 70 anos de história da indústria de semicondutores de memória.
Os aumentos de preços a montante já se repercutiram por toda a cadeia de valor. A Samsung Electronics planeia aumentar o preço médio de venda da DRAM convencional em 20% em cadeia no terceiro trimestre de 2026, sendo que os preços da memória móvel LPDDR deverão subir mais de 20%. De acordo com a Yicai, alguns fabricantes de eletrónica de consumo já receberam comunicações verbais da Samsung sobre aumentos nos preços da DRAM.
HBM Afirma-se como Variável Estrutural no Ciclo da DRAM
A chave para compreender este ciclo da DRAM reside na ascensão da HBM (High Bandwidth Memory). A HBM atinge uma largura de banda ultraelevada através da sobreposição vertical de múltiplos chips de DRAM, tornando-se uma solução de memória essencial para GPUs de IA.
O crescimento da procura tem sido impressionante. O presidente da SEMI China, Li Feng, destacou que o mercado de HBM deverá crescer 58% para 54,6 mil milhões USD em 2026, representando quase 40% do mercado de DRAM. Apesar de a Samsung, SK Hynix e Micron terem direcionado 70% da nova capacidade para HBM, o défice global de capacidade mantém-se entre 50% e 60%. Dados da Omdia indicam que a produção mundial de HBM em 2026 deverá mais do que duplicar face ao ano anterior, crescendo 103%.
O "efeito de deslocamento" da HBM sobre a capacidade de DRAM é o principal mecanismo do desequilíbrio entre oferta e procura. Dados do setor mostram que a quota da HBM na capacidade de wafers de DRAM aumentou de 2% em 2020 para cerca de 25% em 2026. Um wafer de HBM consome aproximadamente a mesma capacidade que três wafers de DDR5. Cada chip de HBM é mais do que o dobro do tamanho de um chip de DRAM convencional e, para a mesma capacidade de armazenamento, a HBM ocupa pelo menos três vezes mais área de wafer e espaço de sala limpa do que a DRAM padrão.
O resultado direto desta preferência de capacidade é uma contração estrutural da oferta de DRAM convencional. A KB Securities prevê que a quota da HBM na produção global de wafers de DRAM aumente de 15% em 2026 para 34% em 2027. Isto significa que a maioria da nova capacidade será dedicada à HBM, limitando efetivamente a expansão da oferta de DRAM convencional.
Os servidores de IA tornaram-se o maior mercado de aplicação para DRAM, sendo que a procura de servidores representa já mais de 50% da procura total de DRAM. Um servidor de IA utiliza entre 8 a 10 vezes mais DRAM por unidade do que um servidor convencional. A média de DRAM instalada por servidor deverá aumentar de 1 032 GB em 2025 para 1 432 GB em 2026, um crescimento de cerca de 39%. A TrendForce estima que cerca de 70% da capacidade de memória de gama alta em 2026 será destinada a centros de dados de IA.
Corrida à Capacidade e Batalha pela Quota de Mercado entre os Três Grandes
Neste ciclo impulsionado pela HBM, as estratégias da SK Hynix, Samsung Electronics e Micron estão a redesenhar o panorama do setor.
A SK Hynix é atualmente a líder incontestada no mercado de HBM. Dados da Counterpoint Research mostram que, no primeiro trimestre de 2026, a SK Hynix detinha 58% da quota de receitas do mercado global de HBM, com a Samsung Electronics e a Micron a registarem 21% cada. Os analistas preveem que as receitas de HBM da SK Hynix possam atingir 5,95 mil milhões USD em 2026. Toda a capacidade de HBM da empresa para 2026 já está contratualizada através de acordos de longo prazo com fornecedores de cloud.
No entanto, esta liderança está sob pressão. Um relatório de 13 de julho da Korea Investment & Securities prevê receitas da SK Hynix no segundo trimestre de 80,9 biliões de won (mais 264% em termos homólogos) e um lucro operacional de 60,4 biliões de won (mais 556% em termos homólogos), mas cerca de 8% abaixo do consenso de mercado de 65 biliões de won. A principal razão é que a maior quota de vendas de HBM, face à concorrência, resultou em aumentos do preço médio de venda abaixo da média do mercado. Os analistas esperam que, com o arranque da produção em massa da HBM4 no terceiro trimestre, os aumentos de preço médio regressem aos níveis do mercado.
A Samsung Electronics está a acelerar para recuperar terreno. A empresa planeia investir mais de 110 biliões de won (cerca de 73,3 mil milhões USD) em equipamento e I&D em 2026, um aumento de cerca de 22% face ao ano anterior. A 15 de julho, a Samsung anunciou planos para construir uma nova fábrica de DRAM em Giheung, com uma capacidade mensal de 100 000 wafers, podendo iniciar as obras já no terceiro trimestre de 2026.
A Samsung concretizou ainda a primeira produção em massa e expedição mundial de produtos HBM4. Segundo um relatório da TrendForce de junho, existem atualmente diferenças significativas no progresso de validação da HBM4 entre os três principais fabricantes, com a Samsung na dianteira. A Samsung prevê que as suas vendas de HBM em 2026 tripliquem face ao ano anterior.
A Micron, apesar de deter a menor capacidade de HBM entre os três, regista o crescimento mais rápido. No terceiro trimestre fiscal de 2026 (terminado em maio), a Micron apresentou receitas de 41,46 mil milhões USD, um aumento de 346% em termos homólogos. A DRAM contribuiu com 31,3 mil milhões USD, representando 76% das receitas totais. A margem bruta atingiu 84,9%, superando a Nvidia.
Ainda mais relevante é a orientação para o quarto trimestre: receitas projetadas de cerca de 50 mil milhões USD, margem bruta de cerca de 86% e um lucro por ação de cerca de 31 USD. Toda a capacidade de HBM da Micron para 2026 foi vendida sob contratos de preço fixo. O plano de investimento em equipamento da empresa deverá crescer mais de 90% face ao ano anterior.
De Cíclico a Estrutural: A Mudança de Paradigma na Lógica da DRAM
A diferença mais fundamental deste ciclo da DRAM face aos anteriores reside na alteração estrutural dos seus fatores de dinamização.
A IDC prevê que as receitas globais do mercado de DRAM atinjam 418,6 mil milhões USD em 2026, um aumento de 177% em termos homólogos. As receitas do mercado de NAND deverão atingir 174,1 mil milhões USD, mais 138,5%. O valor total anual da indústria de armazenamento superará os 550 mil milhões USD, com o armazenamento em servidores a ultrapassar os telemóveis como principal cenário de procura. O UBS considera que o aumento dos preços fará a indústria da memória atingir receitas de 992 mil milhões USD em 2026.
Este crescimento não é apenas mais uma recuperação cíclica. A IDC é clara: não se trata de mais uma fase ascendente do tradicional ciclo de expansão e contração da memória, mas sim de uma transformação estrutural do setor. Os clientes de centros de dados de grande escala estão agora a adquirir um tipo de chip de memória fundamentalmente diferente e mais caro, estando dispostos a pagar um prémio para garantir o fornecimento.
As restrições do lado da oferta são também estruturais. Após perdas profundas no setor em 2025, os fabricantes adotaram amplamente estratégias de controlo da produção e proteção de preços. O desenvolvimento de processos avançados de semicondutores e a construção de fábricas demoram anos, agravados por barreiras ao nível de talento, energia e aprovações regulatórias, o que impossibilita o aumento rápido da capacidade. Os executivos da Micron acreditam que a situação de restrição de oferta se manterá até depois de 2027, com uma melhoria gradual apenas a partir de 2028.
A adoção generalizada de Acordos de Longo Prazo (LTA) está a alterar os modelos de preços e rentabilidade do setor. SK Hynix, Samsung e Micron estão a garantir volumes e preços de fornecimento para 1-2 anos para grandes clientes como a Nvidia através de LTAs. A Micron assinou 16 acordos de fornecimento de longo prazo abrangendo centros de dados, eletrónica de consumo e automóvel, com receitas mínimas garantidas nestes contratos a atingirem 100 mil milhões USD. A Korea Investment & Securities destaca que, à medida que a indústria da memória transita para LTAs de 3 a 5 anos, o valor de uma empresa dependerá da sua capacidade de manter margens elevadas por mais tempo, em vez do crescimento trimestral do preço médio de venda.
Conclusão
A procura de servidores de IA está a impulsionar a indústria da DRAM para um ciclo sem precedentes. As características distintivas deste ciclo não se resumem a preços mais elevados, mas sim a uma reestruturação sistémica da procura, da alocação de capacidade, dos modelos de preços e do panorama do setor.
A ascensão da HBM reformulou a matriz de produtos DRAM, enquanto a aposta dos três grandes na HBM originou uma escassez estrutural de DRAM convencional. A proliferação de LTAs está a suavizar a volatilidade cíclica do setor. O UBS prevê que a restrição entre oferta e procura de DRAM se prolongue pelo menos até ao primeiro semestre de 2028, e a KB Securities antecipa que 2027 será o ano mais restritivo dos 70 anos de história do setor—apontando para uma conclusão clara: a duração e intensidade deste ciclo da DRAM poderão superar largamente as expectativas iniciais do mercado.
Para os investidores, compreender a transição da DRAM de "commodity cíclica" para "ativo estratégico" poderá representar mais valor a longo prazo do que simplesmente prever a evolução dos preços no trimestre seguinte. À medida que os chips de memória se tornam infraestrutura central da era da IA, a lógica da oferta e procura e a distribuição do poder de fixação de preços terão um impacto profundo em toda a cadeia de valor tecnológica, dos semicondutores aos ativos digitais.
FAQ
P: Em quanto é superior a procura de DRAM para servidores de IA face a servidores convencionais?
Um servidor de IA utiliza entre 8 a 10 vezes mais DRAM por unidade do que um servidor convencional. A média de DRAM instalada por servidor deverá aumentar de 1 032 GB em 2025 para 1 432 GB em 2026. A inferência de modelos de grande escala e a expansão de agentes de IA irão acelerar ainda mais o crescimento da procura de armazenamento.
P: Em que diferem os custos de produção da HBM e da DRAM tradicional?
A HBM é produzida através da sobreposição vertical de múltiplos chips de DRAM. Cada chip de HBM é mais do que o dobro do tamanho de um chip de DRAM convencional e, para a mesma capacidade de armazenamento, a HBM consome pelo menos três vezes mais área de wafer e espaço de sala limpa. Um wafer de HBM consome aproximadamente a mesma capacidade que três wafers de DDR5. O elevado custo de produção é compensado por margens brutas igualmente elevadas—cada chip de HBM apresenta uma margem bruta de 60%-70%, quatro vezes superior à da DRAM convencional.
P: Quando se espera que a restrição entre oferta e procura de DRAM alivie?
O UBS considera que a forte restrição entre oferta e procura na indústria de DRAM se manterá pelo menos até ao primeiro semestre de 2028. A KB Securities prevê que a escassez deverá durar até, pelo menos, 2028. Os executivos da Micron esperam que a restrição de oferta se mantenha até depois de 2027, com uma melhoria gradual apenas a partir de 2028. As três instituições concordam quanto à existência de restrição; a principal diferença reside na duração prevista.
P: Qual é a repartição de quotas de mercado entre os três gigantes da HBM?
No primeiro trimestre de 2026, a SK Hynix liderava com 58% da quota de receitas, enquanto a Samsung Electronics e a Micron detinham 21% cada. Para a quota de mercado de expedições ao longo do ano, as previsões apontam para cerca de 52% para a SK Hynix, 39% para a Samsung e 8% para a Micron. No segmento HBM4, a Counterpoint Research projeta uma quota de mercado de cerca de 54% para a SK Hynix em 2026, 28% para a Samsung e 18% para a Micron. A Samsung lidera no progresso de validação da HBM4.
P: Como irão os aumentos de preços da DRAM afetar os preços finais da eletrónica de consumo?
Os aumentos de preços da DRAM já se repercutiram dos fabricantes a montante para a eletrónica de consumo. A análise do setor sugere que as marcas de PC e smartphones deverão aumentar os preços dos produtos entre 15% e 20%. Em centros de distribuição como Huaqiangbei, os preços podem variar três vezes ao dia, sendo que os revendedores aconselham a adiar compras não essenciais. Os fabricantes automóveis também começaram a reavaliar algumas funcionalidades de condução inteligente para controlar os custos dos componentes.
