SK hynixによると、同社は新しいHBM4E高帯域幅メモリの12層サンプルを顧客に提供した。12層製品は48GBの容量と、1ピンあたり最大16ギガビット毎秒（Gbps）を実現しており、HBM4と比べてエネルギー効率が20%以上向上している。SK hynixは、量産に向けて、構造の安定性を高め、熱抵抗を約17%低減するマスリフロー成形アンダーフィル工程を導入した。
SK hynixは2025年の第2四半期における世界のHBM出荷の62%を占めた。NvidiaはVera Rubinプラットフォーム向けのHBM4について、3社のメモリ供給業者を認証しており、初期のシステム出荷は2026年後半に見込まれている。
