Le géant de la fabrication de mémoire Samsung Electronics est plongé dans une crise de grève, tandis que des pénuries d’approvisionnement déclenchent une frénésie d’achats sur le marché au comptant ; à Huaqiangbei, en Chine, les devis DDR4 ont bondi de 20 % en une semaine. Alors que la Chine accélère le soutien à son industrie nationale des semi-conducteurs, Yangtze Memory (YMTC) et CXMT tirent parti de la dynamique pour agrandir leurs usines et lancer leurs IPO ; des analystes estiment que les deux sociétés deviendront les placements les plus explosifs de l’année.
（Briser le mythe cyclique ! Une formule pour disséquer la structure de la demande en HBM : pourquoi la mémoire ne ferait qu’augmenter ?）
La rupture des négociations entre Samsung et ses salariés engendre une vague de grèves ; le marché mondial de la mémoire s’enflamme
Le 13, aux premières heures, les négociations entre Samsung Electronics en Corée du Sud et le syndicat ont été déclarées rompues. Plus de 40 000 membres du syndicat annoncent qu’ils lanceront à partir du 21 une grève de grande ampleur durant 18 jours, déstabilisant davantage un marché de la mémoire déjà sous tension en termes d’approvisionnement.
La demande mondiale en serveurs d’IA continue de croître à grande vitesse, et la disponibilité de la mémoire à haut débit (HBM) et de la DDR5 se trouvait déjà dans un état de tension extrême, « produite au fil de la consommation ». Si Samsung arrête la production, ce n’est pas seulement l’offre disponible sur le marché qui se contracte directement : c’est aussi un coup dur porté à la confiance des clients pour leurs stocks.
L’analyse de Economic Daily indique que l’impact de cette grève sur le marché au niveau de la psychologie pourrait être bien plus important que l’ampleur réelle de la réduction de production. L’effet en chaîne de clients qui anticipent pour faire des stocks amplifie encore la hausse des prix.
En Chine, les devis DDR4 à Huaqiangbei bondissent : la hausse hebdomadaire atteint 20 % ; Nanya et Winbond profitent aussi
En tant qu’indicateur clé et baromètre du marché mondial des composants électroniques au comptant, Huaqiangbei, à Shenzhen, ressent en premier les effets de ce choc. D’après les dernières données de la société chinoise de veille du secteur de la mémoire China Flash Market (CFM), le prix spot de la DDR4 8Gb au format 3200 atteint cette semaine 18 dollars, avec une hausse de 20 % sur une seule semaine.
En parallèle, les prix des wafers NAND Flash, qui avaient auparavant continué de baisser, se stabilisent et passent à la tendance plate. Sur le segment DDR5 destiné aux serveurs : les produits RDIMM de 64GB progressent de 11 % par mois, et les produits de 96GB montent de 10 % en synchronisation. Cela reflète une demande toujours vigoureuse en serveurs d’IA.
Les fondeurs taiwanais Nanya Technology (2408) et Winbond (2344), qui expédient majoritairement de la DDR4, sont également considérés comme susceptibles d’en tirer profit. Leurs cours, à la clôture au moment de la rédaction, ont respectivement grimpé de 8,3 % et 6,6 % sur la journée.
La Chine accélère l’autonomie des semi-conducteurs : Yangtze Memory et ses trois phases d’usines visent une mise en production fin 2026
Alors que les turbulences internes de Samsung affectent le marché mondial de la mémoire, la Chine, elle aussi, profite de cette « super-période de la mémoire » pour renforcer à fond l’autonomie de sa chaîne d’approvisionnement nationale en semi-conducteurs.
Yangtze Memory (YMTC), le plus grand fabricant chinois de NAND Flash, dispose aujourd’hui de deux usines de wafers dont la capacité mensuelle totale avoisine 200 000 tranches. Il est rapporté que la nouvelle usine de la troisième phase à Wuhan est achevée et entre dans l’étape d’installation des équipements ; la production de masse devrait démarrer fin 2026, avec pour objectif d’atteindre 50 000 tranches par mois avant 2027.
Des informations précédentes indiquent que plus de 50 % des équipements de l’usine de troisième phase proviennent de fournisseurs nationaux, y compris des équipements clés nécessaires à l’empilement vertical des puces. Cela montre que, sous la pression des contrôles à l’exportation américains, Yangtze Memory a considérablement approfondi sa coopération avec les fabricants chinois d’équipements.
Sur l’expansion de sa gamme produit, Yangtze Memory est également sortie de la zone de confort du NAND Flash : la société attaque officiellement le marché DRAM, et a déjà envoyé à ses clients des échantillons de DRAM basse consommation (LPDDR), avec l’espoir d’obtenir un retour avant la fin de l’année afin de servir de base à la décision de production de masse. CXMT, également, sous l’impulsion des autorités de Pékin, accélère l’extension de capacités, et devient avec Yangtze Memory l’un des deux moteurs de la chaîne d’approvisionnement autonome chinoise de mémoire.
UBS salue la hausse de part de marché ! Les analystes citent Yangtze Memory et CXMT comme valeurs fortes de l’année
D’après le rapport d’UBS, la part de marché de Yangtze Memory sur le marché mondial du NAND Flash l’an dernier a atteint 11,8 %, à égalité avec Sandisk. L’écart avec SK Hynix (16 %), Kioxia (15,9 %) et Micron (13,3 %) continue de se réduire, tandis que Samsung conserve la tête avec 30,4 %. UBS prévoit que la part de marché mondiale de Yangtze Memory dépassera 14 % au début de 2027.
À ce sujet, l’analyste Citrini, Zephyr, a cité directement : « Yangtze Memory et CXMT seront parmi les transactions les plus explosibles de l’année. » Son raisonnement tient au fait que, pendant la période favorable de la super-période de la mémoire, les deux sociétés profitent en même temps de l’écart d’offre de Samsung, des subventions nationales, ainsi que du potentiel de grandes capacités après une expansion rapide des usines.
Cependant, les communautés en ligne soulignent que, techniquement à court terme, Yangtze Memory et CXMT ne menaceront pas directement les acteurs de premier plan comme Samsung, SK Hynix ou Micron. Elles pourraient d’abord prendre des parts de marché à Sandisk et à Nanya. Si, en plus, une correction survient dans le contexte des prix élevés actuels de la mémoire, et avec le soutien des subventions nationales chinoises aux expansions à grande échelle, Sandisk et Nanya pourraient au contraire être les premières touchées, avec la plus forte pression concurrentielle.
Les contrôles à l’exportation américains sont renforcés : un effet inverse qui devient un catalyseur pour l’autonomie des semi-conducteurs chinois
Du point de vue géopolitique, les États-Unis intensifient en continu leurs restrictions d’exportation de semi-conducteurs vers la Chine ; à court terme, cela rendra plus difficile l’obtention d’équipements avancés et créera des défis pour la maintenance des équipements existants. À long terme toutefois, cette mesure pourrait au contraire accélérer la recherche et le développement d’équipements domestiques en Chine, produisant un effet de « contrainte vers l’autonomie ». L’usine de la troisième phase de Yangtze Memory, où plus de la moitié des équipements utilisent déjà des fournisseurs nationaux, illustre précisément cette tendance.
Dans le contexte des grèves chez Samsung, de l’élargissement de l’écart d’offre mondial en mémoire et de l’élan de soutien total accordé aux semi-conducteurs nationaux en Chine, la dynamique de l’essor de Yangtze Memory et de CXMT pourrait arriver plus vite que ce que le marché anticipe.
Cet article « Grève chez Samsung : les grands fabricants de mémoire en profitent ? Les analystes misent sur le potentiel de croissance 2026 de Yangtze Memory et CXMT » est apparu pour la première fois sur Chaîne News ABMedia.
