Le 15 juillet 2026, il a été rapporté que Samsung Electronics prévoyait la construction d’une nouvelle usine de DRAM à Giheung, dans la province de Gyeonggi, avec une capacité mensuelle de 100 000 tranches et un investissement total atteignant plusieurs dizaines de milliers de milliards de wons. L’intelligence artificielle est en train de transformer en profondeur la dynamique mondiale de l’offre et de la demande ainsi que la logique de tarification des puces mémoire.
Composant clé de l’infrastructure de l’IA, la DRAM (mémoire vive dynamique) connaît une reconfiguration de son cycle, portée par une mutation radicale de la structure de la demande. Ce nouveau cycle diffère fondamentalement des cycles mémoire traditionnels : il n’est plus alimenté par les vagues de renouvellement des équipements électroniques grand public, mais par une explosion de la demande en mémoire à large bande passante pour l’entraînement et l’inférence des modèles d’IA. Comprendre l’évolution de ce cycle DRAM est essentiel pour appréhender l’orientation de l’industrie des semi-conducteurs et les mutations de l’infrastructure de base du marché des actifs numériques.
L’écart offre-demande atteint un sommet inédit depuis près de 15 ans
En juillet 2026, les prix mondiaux des puces mémoire ont augmenté pour un troisième trimestre consécutif. Dans un rapport publié début juillet, UBS a nettement relevé ses prévisions de prix pour la mémoire, anticipant une hausse de 32 % en glissement trimestriel des prix contractuels DDR au troisième trimestre, puis de 18 % supplémentaires au quatrième trimestre. La banque estime que la tension sur l’offre et la demande dans l’industrie DRAM devrait se maintenir au moins jusqu’au premier semestre 2028.
De nombreux indicateurs confirment ce constat. Selon TrendForce, le marché global de la DRAM reste extrêmement tendu au troisième trimestre 2026, avec des prix contractuels attendus en hausse de 13 % à 18 % sur le trimestre. Le 7 juillet, Morgan Stanley a relevé ses prévisions de hausse des prix moyens pondérés de la DRAM PC de 3 %-8 % à 15 %-20 %, et pour la DRAM serveur de 13 %-18 %.
La profondeur du déséquilibre entre l’offre et la demande atteint des extrêmes historiques. Les analystes d’UBS notent qu’en excluant l’effet tampon du réapprovisionnement des stocks en aval, le véritable écart offre-demande devrait s’élargir de -8,1 % en 2026 à -13,6 % en 2027, atteignant ainsi un déséquilibre rarement observé en 30 ans. Goldman Sachs indique que le déséquilibre actuel entre l’offre et la demande mondiale de mémoire est à son plus haut niveau depuis près de 15 ans. Kim Dong-won, analyste chez KB Securities, prévoit même que 2027 marquera la période de tension sur l’offre la plus forte de l’histoire de l’industrie des semi-conducteurs mémoire, qui s’étend sur 70 ans.
Les hausses de prix en amont se répercutent désormais sur l’ensemble de la chaîne d’approvisionnement. Samsung Electronics prévoit d’augmenter de 20 % en glissement trimestriel le prix de vente moyen de la DRAM générale au troisième trimestre 2026, tandis que les prix de la mémoire mobile LPDDR progresseraient également de plus de 20 %. Selon Yicai, certains fabricants d’électronique grand public ont déjà reçu des notifications verbales de Samsung concernant ces hausses de prix.
HBM : la variable structurelle du cycle DRAM
La clé de compréhension de ce cycle DRAM réside dans la montée en puissance du HBM (High Bandwidth Memory). Le HBM atteint une bande passante ultra-élevée grâce à l’empilement vertical de plusieurs puces DRAM, ce qui en fait une solution mémoire essentielle pour les GPU d’IA.
La croissance de la demande est spectaculaire. Li Feng, président de SEMI China, souligne que le marché du HBM devrait croître de 58 % pour atteindre 54,6 milliards de dollars en 2026, soit près de 40 % du marché DRAM. Bien que Samsung, SK Hynix et Micron aient orienté 70 % des nouvelles capacités vers le HBM, le déficit global de capacité reste compris entre 50 % et 60 %. Selon Omdia, la production mondiale de HBM devrait plus que doubler en 2026, avec une hausse de 103 % sur un an.
L’« effet d’éviction » du HBM sur la capacité DRAM constitue le cœur du déséquilibre offre-demande. Les données sectorielles indiquent que la part du HBM dans la capacité en tranches DRAM est passée de 2 % en 2020 à environ 25 % en 2026. Une tranche de HBM consomme à elle seule l’équivalent de trois tranches DDR5. Chaque puce HBM est plus de deux fois plus grande qu’une puce DRAM standard et, à capacité de stockage équivalente, le HBM requiert au moins trois fois plus de surface de tranche et d’espace en salle blanche qu’une DRAM classique.
Cette réorientation des capacités entraîne une contraction structurelle de l’offre de DRAM générale. KB Securities prévoit que la part du HBM dans la production mondiale de tranches DRAM passera de 15 % en 2026 à 34 % en 2027. Autrement dit, la majeure partie des nouvelles capacités sera absorbée par le HBM, limitant de fait l’expansion de l’offre de DRAM générale.
Les serveurs d’IA sont devenus le premier marché applicatif de la DRAM, la demande des serveurs représentant désormais plus de 50 % de la demande totale. Un serveur d’IA utilise 8 à 10 fois plus de DRAM qu’un serveur standard. La DRAM moyenne installée par serveur devrait passer de 1 032 Go en 2025 à 1 432 Go en 2026, soit une hausse d’environ 39 %. TrendForce estime qu’environ 70 % de la capacité mémoire haut de gamme en 2026 sera destinée aux centres de données d’IA.
Course à la capacité et bataille des parts de marché entre les trois géants
Dans ce cycle porté par le HBM, les stratégies de SK Hynix, Samsung Electronics et Micron redessinent le paysage industriel.
SK Hynix domine actuellement largement le marché du HBM. Selon Counterpoint Research, au premier trimestre 2026, SK Hynix détenait 58 % des revenus mondiaux du HBM, contre 21 % chacun pour Samsung Electronics et Micron. Les analystes estiment que les revenus HBM de SK Hynix pourraient atteindre 5,95 milliards de dollars en 2026. Toute la capacité HBM de 2026 de l’entreprise est déjà sécurisée par des contrats à long terme avec des fournisseurs de cloud.
Cependant, cette avance est sous pression. Un rapport du 13 juillet de Korea Investment & Securities prévoit un chiffre d’affaires de 80,9 mille milliards de wons au deuxième trimestre (en hausse de 264 % sur un an) et un bénéfice opérationnel de 60,4 mille milliards de wons (en hausse de 556 % sur un an), soit environ 8 % en dessous du consensus de marché de 65 mille milliards de wons. La raison principale est que la part plus élevée de ventes HBM chez SK Hynix, par rapport à ses concurrents, s’est traduite par des hausses de prix moyennes inférieures à la moyenne du marché. Les analystes anticipent qu’avec la montée en puissance de la production de masse du HBM4 au troisième trimestre, les hausses de prix reviendront dans la norme du marché.
Samsung Electronics s’efforce de combler son retard. L’entreprise prévoit d’investir plus de 110 mille milliards de wons (environ 73,3 milliards de dollars) en équipements et R&D en 2026, soit une hausse d’environ 22 % par rapport à l’année précédente. Au 15 juillet, Samsung a annoncé son intention de construire une nouvelle usine de DRAM à Giheung, avec une capacité mensuelle de 100 000 tranches, et un démarrage des travaux potentiellement dès le troisième trimestre 2026.
Samsung a également réalisé la première production et expédition de masse au monde de produits HBM4. Selon un rapport de TrendForce de juin, il existe désormais des écarts significatifs dans la validation du HBM4 entre les trois grands fabricants, Samsung étant en tête. Samsung prévoit de tripler ses ventes de HBM en 2026 par rapport à l’année précédente.
Micron, bien que disposant de la plus faible capacité HBM des trois, affiche la croissance la plus rapide. Au troisième trimestre fiscal 2026 (clos en mai), Micron a enregistré un chiffre d’affaires de 41,46 milliards de dollars, en hausse de 346 % sur un an. La DRAM a généré 31,3 milliards de dollars, soit 76 % du chiffre d’affaires total. La marge brute a atteint 84,9 %, dépassant celle de Nvidia.
Encore plus remarquable, les prévisions pour le quatrième trimestre : un chiffre d’affaires d’environ 50 milliards de dollars, une marge brute d’environ 86 % et un bénéfice par action d’environ 31 dollars. Toute la capacité HBM 2026 de Micron a été vendue via des contrats à prix fixe. Le plan d’investissement en équipements de l’entreprise doit augmenter de plus de 90 % par rapport à l’année précédente.
Du cyclique au structurel : la mutation profonde de la logique DRAM
La différence la plus fondamentale de ce cycle DRAM par rapport aux précédents réside dans la transformation structurelle de ses moteurs.
IDC prévoit que le chiffre d’affaires mondial du marché DRAM atteindra 418,6 milliards de dollars en 2026, soit une hausse de 177 % sur un an. Le marché NAND devrait atteindre 174,1 milliards de dollars, en hausse de 138,5 %. La valeur annuelle totale de l’industrie du stockage dépassera 550 milliards de dollars, avec le stockage serveur dépassant les smartphones comme principal débouché. UBS estime que la hausse des prix portera le chiffre d’affaires du secteur mémoire à 992 milliards de dollars en 2026.
Cette croissance ne s’apparente pas à un simple rebond cyclique. IDC est formel : il ne s’agit pas d’une nouvelle phase de hausse dans le cycle traditionnel d’expansion-contraction de la mémoire, mais d’une transformation structurelle du secteur. Les clients des centres de données hyperscale achètent désormais un type de puce mémoire fondamentalement différent, plus coûteux, et sont prêts à payer une prime pour sécuriser leur approvisionnement.
Les contraintes du côté de l’offre sont également structurelles. Après les lourdes pertes subies par le secteur en 2025, les fabricants ont généralisé les stratégies de contrôle de la production et de protection des prix. Le développement des procédés avancés et la construction de nouvelles usines prennent des années, compliqués par des obstacles liés aux talents, à l’énergie et aux autorisations réglementaires, rendant impossible une montée en capacité rapide. Les dirigeants de Micron estiment que la tension sur l’offre devrait perdurer jusqu’après 2027, avec une amélioration progressive du côté de l’offre à partir de 2028 seulement.
La généralisation des contrats à long terme (LTA, Long-Term Agreements) modifie les modèles de tarification et de rentabilité du secteur. SK Hynix, Samsung et Micron verrouillent désormais volumes et prix d’approvisionnement sur 1 à 2 ans pour leurs grands clients comme Nvidia grâce à ces LTA. Micron a signé 16 accords d’approvisionnement à long terme couvrant centres de données, électronique grand public et automobile, avec un chiffre d’affaires minimum garanti de 100 milliards de dollars rien que pour ces contrats. Korea Investment & Securities souligne qu’avec la généralisation des LTA sur 3 à 5 ans, la valorisation des entreprises du secteur dépendra de leur capacité à maintenir une rentabilité élevée dans la durée, et non plus de la croissance trimestrielle du prix moyen de vente.
Conclusion
La demande des serveurs d’IA propulse l’industrie DRAM dans un cycle inédit. Les caractéristiques distinctives de ce cycle ne se limitent pas à la hausse des prix : il s’agit d’une restructuration systémique de la demande, de l’allocation des capacités, des modèles de tarification et du paysage concurrentiel.
L’essor du HBM a redéfini la matrice produit de la DRAM, tandis que la réallocation des capacités par les trois grands groupes a provoqué une pénurie structurelle de DRAM générale. La multiplication des LTA atténue la volatilité cyclique du secteur. UBS prévoit que la tension sur l’offre DRAM se maintiendra au moins jusqu’au premier semestre 2028, et KB Securities anticipe que 2027 sera l’année la plus tendue de l’histoire du secteur — ce qui conduit à une conclusion : la durée et l’intensité de ce cycle DRAM pourraient largement dépasser les attentes initiales du marché.
Pour les investisseurs, comprendre le passage de la DRAM d’une « commodité cyclique » à un « actif stratégique » pourrait apporter plus de valeur à long terme que la simple anticipation de l’évolution des prix au prochain trimestre. À mesure que les puces mémoire deviennent l’infrastructure centrale de l’ère de l’IA, la logique de l’offre et de la demande ainsi que la répartition du pouvoir de fixation des prix auront un impact profond sur l’ensemble de la chaîne de valeur technologique, des semi-conducteurs aux actifs numériques.
FAQ
Q : De combien la demande de DRAM pour serveurs d’IA dépasse-t-elle celle des serveurs standards ?
Un serveur d’IA utilise 8 à 10 fois plus de DRAM qu’un serveur standard. La DRAM moyenne installée par serveur devrait passer de 1 032 Go en 2025 à 1 432 Go en 2026. L’inférence à grande échelle des modèles et l’expansion des agents IA accéléreront encore la croissance de la demande de stockage.
Q : Quelles différences de coûts de production entre HBM et DRAM traditionnelle ?
Le HBM est fabriqué par empilement vertical de plusieurs puces DRAM. Chaque puce HBM est plus de deux fois plus grande qu’une DRAM standard et, à capacité de stockage égale, le HBM consomme au moins trois fois plus de surface de tranche et d’espace en salle blanche. Une tranche HBM consomme environ autant de capacité que trois tranches DDR5. Ce coût de production élevé s’accompagne de marges brutes tout aussi élevées — chaque puce HBM affiche une marge brute de 60 %-70 %, soit quatre fois celle d’une DRAM standard.
Q : Quand la tension sur l’offre DRAM devrait-elle s’atténuer ?
UBS estime que la tension sur l’offre et la demande dans l’industrie DRAM devrait se maintenir au moins jusqu’au premier semestre 2028. KB Securities prévoit que la pénurie pourrait durer au moins jusqu’en 2028. Les dirigeants de Micron anticipent une poursuite de la tension jusqu’après 2027, avec une amélioration progressive du côté de l’offre à partir de 2028. Les trois institutions s’accordent sur la persistance de la tension ; leur principale divergence porte sur sa durée.
Q : Quelle est la répartition des parts de marché entre les trois géants du HBM ?
Au premier trimestre 2026, SK Hynix était en tête avec 58 % des revenus, tandis que Samsung Electronics et Micron détenaient chacun 21 %. Pour la part de marché annuelle des livraisons, les prévisions sont d’environ 52 % pour SK Hynix, 39 % pour Samsung et 8 % pour Micron. Sur le segment HBM4, Counterpoint Research prévoit une part de marché de 54 % pour SK Hynix en 2026, 28 % pour Samsung et 18 % pour Micron. Samsung est en tête sur l’avancement de la validation HBM4.
Q : Quel impact la hausse des prix DRAM aura-t-elle sur les prix finaux de l’électronique grand public ?
Les hausses de prix DRAM se répercutent désormais des fabricants en amont vers l’électronique grand public. Selon l’analyse sectorielle, les marques de PC et de smartphones devraient augmenter leurs prix de 15 % à 20 %. Dans des hubs de distribution comme Huaqiangbei, les prix peuvent évoluer trois fois par jour, et les revendeurs recommandent de différer les achats non essentiels. Les constructeurs automobiles ont également commencé à réévaluer certaines fonctions de conduite intelligente pour maîtriser les coûts des composants.
