Samsung presenta nueva patente HBM para memoria de 12+ capas el 30 de junio, mejora la fiabilidad

Según BlockBeats citando al investigador de Citrini, Jukan, Samsung Electronics presentó una nueva patente de HBM el 30 de junio para mejorar la fiabilidad en memorias de alta pila (12+ capas). La patente mejora la estructura del dummy die de la capa superior al introducir un diseño escalonado de tres niveles con superficies curvas, empleando tecnología de corte de ranuras profundas para reducir deformaciones, grietas y delaminación, mientras optimiza la gestión térmica y la limpieza de la interfaz de unión. La innovación está dirigida a productos HBM5 y de 16+ capas, potencialmente aumentando las tasas de rendimiento y la estabilidad a largo plazo.
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