Samsung aplica un proceso de 2 nm a la oblea base de HBM5 para lograr una mejora de velocidad del 50%.

Samsung Electronics anunció el 27 de que aplicará un proceso de fundición de 2 nanómetros con estructura Gate-All-Around (GAA) al die base de HBM5, la próxima generación de High Bandwidth Memory. La compañía señaló, a través de su newsroom de semiconductores, que se espera que la velocidad de operación de HBM5 sea más de un 50% superior a la de la generación anterior HBM4E, y que está preparando procesos de vanguardia para mejorar la velocidad y la eficiencia energética. El die base es un semiconductor lógico ubicado en la parte inferior de la estructura del stack de HBM, que conecta datos entre procesadores externos como GPUs y CPUs y el HBM, y ha surgido como un componente clave que determina el rendimiento general del producto y la eficiencia energética desde que HBM4 comenzó a utilizar procesos de fundición.

Samsung envió HBM4 y HBM4E con proceso de 4 nm

Samsung Electronics envió el primer HBM4 del mundo para producción en masa en febrero, seguido de muestras de HBM4E de 12 capas en mayo. Los dies base de HBM4 y HBM4E utilizan el proceso de 4 nanómetros de cuarta generación de Samsung Foundry, que ya ha entrado en su tercer año de producción en masa.

Samsung aplicó dispositivos de alta densidad y rendimiento ultraalto al die base de HBM4E

Gu Ja-heum, vicepresidente y responsable de desarrollo tecnológico en Samsung Electronics Foundry Business, explicó que se aplicaron dispositivos de alta densidad y dispositivos de rendimiento ultraalto al die base de HBM4E para lograr una operación de alta velocidad de 14 Gbps o más. Las capas de cableado metálico se organizaron de forma eficiente para reducir el consumo de energía, y también se optimizaron las rutas de disipación de calor.

Samsung destaca la capacidad integral de integrar memoria, fundición y empaquetado

Samsung Electronics subrayó su capacidad integral, que internaliza memoria, fundición y empaquetado avanzado. La estructura implica que el negocio de Memoria produce los dies centrales, el negocio de Fundición produce los dies base y la organización de empaquetado los ensambla en productos finales. Según la compañía, esto permite la optimización conjunta de velocidad, energía, calor y rendimiento desde la etapa de diseño. Samsung indicó que, durante el desarrollo del die base de HBM4, se formó un equipo de trabajo interdivisional, logrando objetivos de rendimiento y productividad desde la primera muestra, con aproximadamente tres meses necesarios desde la preparación del proceso hasta la confirmación del resultado.

Samsung inició la producción de 2 nm y planea el lanzamiento de productos móviles de 2 nm de 2.ª generación

Samsung Electronics está ampliando las áreas de aplicación de los procesos avanzados de fundición desde móviles hacia IA, computación de alto rendimiento (HPC), automoción y robótica. La compañía inició la producción en masa de su proceso de 2 nanómetros de 1.ª generación en la segunda mitad del año pasado. En la segunda mitad de este año, planea comenzar la producción en masa de productos móviles basados en el proceso de 2 nanómetros de 2.ª generación con rendimiento y productividad mejorados. Además, Samsung está ampliando soluciones de extremo a extremo que vinculan el empaquetado avanzado y el HBM, y persigue el desarrollo tecnológico basado en fotónica de silicio y óptica de empaquetado coproducido (CPO) para centros de datos. Con base en la experiencia del die base de 4 nanómetros acumulada con HBM4, Samsung planea aplicar de forma anticipada el proceso de 2 nanómetros a HBM5 para fortalecer su liderazgo tecnológico en el mercado de semiconductores para IA.

Preguntas frecuentes

¿Qué proceso de fundición aplicará Samsung al die base de HBM5?

Samsung Electronics anunció el 27 de que aplicará un proceso de fundición de 2 nanómetros con estructura Gate-All-Around (GAA) al die base de HBM5. La compañía indicó que la velocidad de operación de HBM5 se espera que sea más de un 50% superior a la de HBM4E.

¿Cuándo envió Samsung los productos HBM4 y HBM4E?

Samsung Electronics envió el primer HBM4 del mundo para producción en masa en febrero y envió muestras de HBM4E de 12 capas en mayo. Los dies base de ambos productos utilizan el proceso de 4 nanómetros de cuarta generación de Samsung Foundry.

¿Cuál es el cronograma de producción de Samsung para el proceso de 2 nm?

Samsung Electronics inició la producción en masa de su proceso de 2 nanómetros de 1.ª generación en la segunda mitad del año pasado. La compañía planea comenzar la producción en masa de productos móviles basados en el proceso de 2 nanómetros de 2.ª generación con rendimiento y productividad mejorados en la segunda mitad de este año.