Las nueve principales asociaciones industriales de Estados Unidos envían una carta conjunta a Trump: la IA se lleva el 25% de la capacidad de DRAM y desata una crisis de escasez de suministro

Según un informe de Bloomberg, nueve asociaciones industriales estadounidenses de sectores como automóviles, dispositivos médicos, retail y telecomunicaciones, enviaron el 4 de junio una carta conjunta al secretario del Tesoro y al secretario de Comercio para advertirles. En la carta se señala que los centros de datos de IA están consumiendo una “capacidad de chips de memoria” de forma “desproporcionada”, lo que provoca un aumento sin precedentes en los precios de la memoria y, al mismo tiempo, reduce rápidamente la oferta tanto de la industria manufacturera como de las industrias en el lado del consumo. Estimaciones de análisis de mercado calculan que HBM (memoria de alto ancho de banda) ya representa aproximadamente el 25% de la capacidad total de obleas de DRAM.

Demandas concretas de la carta conjunta: tres líneas de acción gubernamental

De acuerdo con el reportaje de Bloomberg sobre esta carta conjunta, las acciones que las nueve asociaciones industriales piden al gobierno se dividen en tres direcciones: colaborar con fabricantes de memoria y compradores aguas abajo para ampliar capacidad en territorio estadounidense y en países aliados; aprovechar los mecanismos de acuerdos comerciales o el marco de la Ley de Chips para garantizar la seguridad de la cadena de suministro; y exigir de forma explícita que el alcance de las políticas de protección incluya a los mercados del lado del consumo y de la manufactura, y no se limite solo a clientes relacionados con la IA.

La Ley de Chips citada en la carta conjunta es la política de subsidios a semiconductores y fabricación local aprobada en EE. UU. en 2022. Hasta ahora, se ha utilizado principalmente para impulsar a fabricantes de obleas como TSMC a establecer fábricas en el país; el planteamiento de las asociaciones industriales es extender la fuerza de la política desde el extremo de cómputo de IA hacia la manufactura tradicional y el lado del consumo.

Situación de la capacidad en EE. UU. de tres empresas de memoria: planes de construcción confirmados y progreso real

Actualmente, Micron Technology es el único fabricante dentro de EE. UU. que produce obleas de memoria; las principales capacidades de obleas de Samsung y SK Hynix siguen concentradas en Corea del Sur. Micron está impulsando planes de una nueva planta en el estado de Nueva York y en Idaho, pero Bloomberg señala que estas capacidades aún requieren varios años para entrar en operación.

El secretario de Comercio de EE. UU., Howard Lutnick, ya ha presionado a dos empresas de Corea para que instalen fábricas en EE. UU.; Samsung y SK Hynix. Samsung actualmente construye en Austin, Texas, una planta de chips lógicos; SK Hynix planea construir en Indiana una planta de encapsulado. Ambas no son fábricas de obleas de memoria. Micron y SK Hynix rompieron el mes pasado ambos la barrera del billón en capitalización de mercado; en las dos compañías, sus precios de las acciones han aumentado más de un 240% desde principios de año.

Preguntas frecuentes

¿Por qué HBM y la DRAM estándar no pueden compartir la misma capacidad de obleas?

HBM (memoria de alto ancho de banda) es una estructura especial que apila verticalmente múltiples chips de memoria, colocándolos muy cerca de los chips de cómputo de IA. Su proceso de fabricación y requisitos tecnológicos son distintos a los de la DRAM estándar. Samsung, SK Hynix y Micron, para cumplir pedidos de HBM de fabricantes de chips de IA como Nvidia, han reasignado la capacidad de obleas que originalmente se usaba para producir DRAM estándar, porque la rentabilidad de HBM es mayor; esto reduce directamente la cantidad de DRAM estándar que se puede asignar para industrias como la automotriz y dispositivos médicos.

¿Qué industrias incluye la carta conjunta de nueve asociaciones estadounidenses?

El texto original confirma que los sectores incluidos son automóviles, dispositivos médicos, retail y telecomunicaciones, y lo describe como “las principales industrias que abarcan tanto la manufactura como el lado del consumo”. La carta conjunta señala que lo afectado no son industrias marginales, sino el núcleo de la economía estadounidense.

Aunque Samsung y SK Hynix construyan fábricas en EE. UU., ¿por qué la brecha de suministro no puede resolverse a corto plazo?

El proyecto de construcción de Samsung en Austin, Texas, y los planes de SK Hynix en Indiana, corresponden a plantas de chips lógicos o de encapsulado, no a fábricas de obleas de memoria, por lo que no pueden aumentar directamente el suministro de DRAM. Los planes de Micron para nuevas fábricas en Nueva York e Idaho sí son de obleas de memoria, pero Bloomberg indica que estas capacidades aún tardarán varios años en entrar realmente en funcionamiento. En ese periodo de vacío, no cambiará el panorama en el que la manufactura tradicional y los grandes fabricantes de IA compiten por el suministro de memoria.