La sección de acciones de contratos de Gate se lanzará el 18 de mayo con contratos perpetuos de DRAM, HIMS, SHLD, IWM y FLNC, con soporte para operaciones con apalancamiento de 1 a 20 veces

Gate News 消消息, según el anuncio oficial de Gate del 18 de mayo de 2026

La sección de acciones tipo “stock” (contratos de acciones) de Gate lanzará por primera vez, el 18 de mayo de 2026 a las 14:30 (UTC+8), la operativa spot en contratos perpetuos reales de DRAM (ETF de chips de memoria de Leníshire), HIMS (salud de Hims), SHLD (ETF de defensa tecnológica Global X País X), IWM (ETF de iShares Russell 2000), FLNC (ETF de energía de Fluene) con liquidación en USDT, ofreciendo operaciones de 1-20x tanto para largos como para cortos.

DRAM es el primer ETF del mundo con temática puramente de chips de memoria; mantiene posiciones importantes en Micron, SK hynix, Samsung Electronics y otros gigantes del almacenamiento, y se enfoca en DRAM, memoria flash NAND y memoria de alto ancho de banda HBM. HIMS es una plataforma estadounidense de telemedicina en línea. SHLD sigue pasivamente el índice global de defensa y armamento, con posiciones importantes en empresas de defensa de EE. UU. IWM sigue el índice Russell 2000 y cubre 2000 empresas estadounidenses de mediana y pequeña capitalización con potencial de crecimiento. FLNC es el líder mundial de sistemas de almacenamiento de energía, con negocio principal en equipos de almacenamiento con baterías de litio a gran escala.