El 29 de abril de 2026, Samsung Electronics (005930.KS) publicó un informe financiero trimestral que podría redefinir la historia del desempeño corporativo en Corea.
Los ingresos consolidados alcanzaron los 133,87 billones de KRW (aproximadamente 90,1 mil millones de USD), lo que supone un aumento del 69,2 % interanual y del 42,7 % respecto al trimestre anterior, estableciendo un nuevo récord de ingresos en un solo trimestre. El beneficio operativo se disparó hasta los 57,23 billones de KRW (unos 38,4 mil millones de USD), un incremento del 756,1 % interanual y del 185,1 % respecto al trimestre anterior, superando con holgura tanto las previsiones internas como el consenso de mercado, que apuntaba a 55,28 billones de KRW.
Para ponerlo en contexto: el beneficio operativo total de Samsung en 2025 fue de 43,6 billones de KRW. Esto significa que en solo un trimestre de 2026 ya se ha superado el total de todo el año anterior.
Dentro de la estructura de beneficios, la división Device Solutions (DS), responsable de las operaciones de semiconductores, se consolidó como el auténtico motor de rentabilidad. Esta división registró un beneficio operativo de 53,7 billones de KRW en el trimestre, lo que representa aproximadamente el 93,9 % del beneficio operativo total de la compañía, frente a solo 1,1 billones de KRW en el mismo periodo del año anterior. Con un margen operativo del 65,7 % aproximadamente, DS fue el principal impulsor del salto del margen operativo global de Samsung hasta cerca del 42,8 %.
Tras la publicación de resultados, varios bancos de inversión internacionales elevaron rápidamente sus precios objetivo. Goldman Sachs incrementó su precio objetivo para 005930 de 205 000 KRW a 260 000 KRW, manteniendo la recomendación de "Comprar". Citi, el 12 de mayo, elevó su precio objetivo de 300 000 KRW a 460 000 KRW e inició una vigilancia de catalizadores alcistas a 90 días. Nomura fue aún más allá, subiendo su precio objetivo de 340 000 KRW a 590 000 KRW el 18 de mayo.
Sin embargo, lo que realmente provocó una reflexión en el mercado no fueron las cifras financieras, ya descontadas en precio, sino un comentario aparentemente casual de la dirección durante la llamada de resultados: en este momento, la DRAM tradicional es en realidad más rentable que la HBM.
Esta afirmación contradice directamente los supuestos predominantes del mercado. En el relato del "superciclo de memoria para IA", la HBM se considera el segmento más rentable y con mayores barreras de entrada. ¿Por qué la dirección transmitiría un mensaje tan "contradictorio" en un trimestre de récord histórico? La lógica empresarial subyacente es mucho más compleja que los datos financieros por sí solos.
Una estructura de beneficios "contradictoria"
La afirmación de que la DRAM tradicional es más rentable que la HBM no es una postura aislada de Samsung, sino que está respaldada por datos claros del sector.
Según el último informe de la firma de investigación de semiconductores TrendForce, publicado el 27 de mayo de 2026, los mecanismos de fijación de precios anuales y otros factores hicieron que el valor del wafer y el margen de beneficio de la HBM fueran superados por la DDR5 RDIMM en el primer trimestre de 2026. TrendForce ya había señalado en enero que los precios unitarios y márgenes de la DRAM para servidores habían superado a la HBM, convirtiéndose en el producto más rentable.
En concreto, el ciclo de precios de la HBM difiere estructuralmente del de la DRAM estandarizada. Los contratos de HBM suelen negociarse anualmente, con periodos de vigencia más largos y ajustes de precios que se retrasan respecto al mercado spot. En cambio, la DRAM tradicional (como la DDR5) utiliza un mecanismo de descubrimiento de precios más ágil, que refleja rápidamente los desajustes entre oferta y demanda y las subidas de precios.
Los datos de precios hacen aún más evidente este contraste. En el primer trimestre de 2026, los precios contractuales de la DRAM general aumentaron entre un 90 % y un 95 % respecto al trimestre anterior, mientras que los precios de la NAND Flash subieron entre un 55 % y un 60 %. Con la expansión masiva de la HBM ocupando buena parte de la capacidad disponible, la oferta de DRAM tradicional se redujo aún más rápido de lo que crecía la demanda, generando un círculo virtuoso: la escasez impulsa los precios, y los precios altos aumentan los beneficios.
El desempeño del mercado global de DRAM confirma esta tendencia. Según datos de Counterpoint Research publicados el 27 de mayo de 2026, los ingresos globales por DRAM en el primer trimestre se dispararon un 80 % respecto al trimestre anterior y un 260 % interanual, alcanzando un récord de 97 mil millones de USD, rozando la marca de los 100 mil millones en un solo trimestre. Samsung mantuvo su liderazgo con una cuota del 38 % de los ingresos globales por DRAM.
Tras este margen de beneficio invertido subyace una lógica de capacidad más profunda: el efecto de "estrangulamiento" de capacidad. Los chips de HBM son significativamente más grandes que los de DRAM estándar comparable, consumiendo mucha más capacidad de wafer. A medida que aumentan los envíos de HBM, la capacidad de procesos avanzados queda fuertemente ocupada, provocando una reducción efectiva de la oferta de DRAM tradicional. La combinación de un desajuste oferta-demanda y un mecanismo de precios flexible permite finalmente que la DRAM tradicional supere en rentabilidad marginal a la HBM, cuyo precio es relativamente rígido.
El segmento HBM: realidades competitivas bajo el halo
Para comprender la inversión de rentabilidad entre la DRAM tradicional y la HBM, es necesario analizar el panorama competitivo del mercado de HBM.
En la generación clave HBM4, Samsung logró la primera producción en masa y envío comercial del mundo en febrero de 2026. La compañía prevé que las ventas de HBM en 2026 tripliquen las del año anterior, con la facturación de HBM4 representando más de la mitad del total a partir del tercer trimestre.
En el ámbito tecnológico, Samsung aceleró el desarrollo de HBM4E. En la conferencia GTC de marzo de 2026, Samsung presentó públicamente muestras físicas de HBM4E, con una velocidad por pin de 16 Gbps y un ancho de banda total superior a 4,0 TB/s, aproximadamente un 21 % más que HBM4. El primer lote de muestras de ingeniería de HBM4E comenzó a producirse en el segundo trimestre, priorizando a grandes clientes que realizan validaciones a nivel de sistema.
Sin embargo, los datos de cuota de mercado muestran una realidad distinta. TrendForce estima que SK Hynix tendrá alrededor del 50 % del mercado de HBM en 2026, mientras que Micron alcanzará el 28 %. En el ranking de ingresos globales por DRAM de Counterpoint Research, Samsung lidera con el 38 %, seguido de SK Hynix con el 29 % y Micron con el 22 %.
Aunque Samsung cuenta con la ventaja temporal de la primera producción en masa de HBM4, SK Hynix mantiene el liderazgo en asignación de suministro gracias a su larga asociación con NVIDIA en HBM. Esta "barrera de primer movimiento" no depende únicamente de las especificaciones técnicas, sino de largos ciclos de certificación, historial de validaciones conjuntas y confianza acumulada en la cadena de suministro. Que la estrategia de recuperación de Samsung logre un avance en HBM4 y generaciones posteriores dependerá de su capacidad para convertir el liderazgo en producción en masa en una cuota de suministro significativa para clientes, al tiempo que mantiene el ritmo tecnológico.
El juego del poder de fijación de precios: el retraso de la rentabilidad bajo acuerdos anuales
El informe de TrendForce de mayo de 2026 señala la contradicción central en la fijación de precios de la HBM: los contratos de HBM para 2026 utilizan un marco de precios anual, con precios fijados ya desde la segunda mitad de 2025. Cuando el mercado global de DRAM entró en escasez de oferta en el primer trimestre de 2026 debido al auge de la demanda de IA, los precios contractuales de la HBM permanecieron "anclados" en niveles relativamente bajos, sin poder subir al ritmo de la DRAM estandarizada.
Además, en 2026 entraron nuevos proveedores en el mercado de HBM, aumentando la oferta y dando a los compradores mayor poder de negociación, lo que limitó aún más el potencial de subida de precios de la HBM a corto plazo.
Este marco de precios retardado ha provocado fuertes reacciones entre los proveedores. TrendForce señala que, a medida que en el segundo trimestre de 2026 comienzan las negociaciones para el suministro de HBM4 en 2027, los fabricantes aumentarán sustancialmente los precios de HBM para reflejar los desajustes entre oferta y demanda y los costes de fabricación de nueva generación. La creciente rentabilidad de la DRAM tradicional da a los proveedores mayor poder de negociación: si los beneficios de la HBM siguen siendo inferiores a los de los productos tradicionales, los fabricantes no tienen incentivos económicos para expandir la oferta de HBM, obligando a los compradores a aceptar precios contractuales más altos.
Aquí la estrategia de SK Hynix es diferente. Según TrendForce, con los precios de RDIMM superando a la HBM, SK Hynix declaró que "no busca beneficios a corto plazo, sino un desarrollo equilibrado a largo plazo entre HBM y DRAM convencional". Esta postura diferenciada sugiere que Samsung y SK Hynix pueden estar divergiendo en sus estrategias de asignación de capacidad: Samsung parece más inclinada a maximizar los beneficios a corto plazo de la DRAM tradicional de alta rentabilidad, mientras que SK Hynix se centra en consolidar la posición de suministro a largo plazo de la HBM.
Huelga laboral en mayo de 2026: riesgos de suministro en el superciclo
En un entorno de capacidad ya ajustada, Samsung Electronics afrontó en mayo de 2026 el mayor conflicto laboral de su historia. El Sindicato Nacional de Empleados de Samsung Electronics anunció un plan de huelga general de 18 días, exigiendo que el 15 % del beneficio operativo anual se destine a primas por desempeño para los empleados, mientras que la dirección solo accedía al 10 % y se negaba a hacer permanente el sistema de bonificaciones.
El 18 de mayo, el Tribunal del Distrito de Suwon concedió parcialmente la solicitud de Samsung de una orden judicial, exigiendo que durante la huelga se mantuvieran las funciones y el personal relacionados con la seguridad, y que no se permitiera el deterioro de materiales de producción. Cualquier violación supondría una multa diaria de 300 millones de KRW. La mediación entre empresa y sindicato fracasó el 20 de mayo, pero ambas partes alcanzaron finalmente un acuerdo salarial provisional a finales de mes. Tras una votación general, el 73,7 % de los miembros aprobó el acuerdo, evitando así la huelga masiva prevista.
La raíz del conflicto reside en el reparto desigual de beneficios durante el superciclo de la IA. El beneficio operativo de Samsung creció un 756 % en el primer trimestre, pero los empleados de la división de chips consideraban que no recibían una parte proporcional del auge de beneficios impulsado por la IA. Por su parte, SK Hynix alcanzó un acuerdo con su sindicato en septiembre de 2025, eliminando el anterior tope de bonificación (antes el 1 000 % del salario base) y destinando el 10 % del beneficio operativo anual al fondo de bonificaciones para todos los empleados, con una vigencia de diez años. Se estima que los empleados de SK Hynix podrían recibir entre 600 y 700 millones de KRW en bonificaciones en 2026, mientras que los empleados equivalentes de la división de chips de Samsung perciben menos de un tercio de esa cantidad. Esta brecha salarial ha llevado a que unos 200 ingenieros clave de Samsung se hayan trasladado a SK Hynix en los últimos meses.
Desde la perspectiva del sector, cualquier huelga posterior que afecte a la producción repercutiría rápidamente en la cadena global de suministro de semiconductores. JPMorgan estima que una huelga prolongada en Samsung podría afectar al beneficio operativo de 2026 en 2,1 a 3,5 billones de KRW y reducir los ingresos de la división de semiconductores entre un 1 % y un 2 %. KB Securities, en Corea, proyecta que si solo participa entre el 30 % y el 40 % de los miembros del sindicato, podría interrumpir entre el 3 % y el 4 % del suministro global de DRAM. Con el desajuste oferta-demanda ampliándose, cualquier pérdida real de capacidad impulsaría aún más los precios de los chips de memoria.
Las tres capas del superciclo
Al analizar todas estas dimensiones, se puede identificar claramente la estructura de tres capas del actual superciclo de memoria para IA:
Primera capa: impulsores estructurales de la demanda. A diferencia de las recuperaciones de corto plazo anteriores, impulsadas por ciclos de actualización en electrónica de consumo, el actual repunte del mercado de memoria está alimentado por una reevaluación estructural de la demanda derivada del entrenamiento de IA, la inferencia y la expansión masiva de centros de datos. Nomura Securities señala en su análisis que, a medida que la demanda de semiconductores para IA pasa del entrenamiento a las cargas de trabajo de inferencia, la demanda de memoria entra en una fase de crecimiento exponencial. En los escenarios de inferencia, la demanda de memoria para KV-cache es una función multiplicativa del número de usuarios, el tiempo de uso, la complejidad de las tareas de IA y el consumo de tokens, lo que implica que la demanda de memoria podría multiplicarse por miles en los próximos cinco años.
Segunda capa: estrangulamiento de capacidad y rigidez de la oferta. La expansión a gran escala de la HBM está ocupando enormes volúmenes de capacidad avanzada de wafer, lo que reduce directamente la oferta de DRAM tradicional. Tras la recesión anterior, los fabricantes de memoria se han vuelto más cautos en el gasto de capital, y los ciclos de liberación de nueva capacidad suelen tardar entre 12 y 18 meses. Zhou Zhengang, vicepresidente de IDC China, prevé que este ciclo alcista de precios de la memoria abarcará 2026 y podría prolongarse hasta 2027 o 2028.
Tercera capa: redistribución del poder de fijación de precios. A medida que los proveedores de servicios en la nube firman acuerdos de suministro a largo plazo con precios mínimos garantizados, la estructura de precios de la DRAM en 2026 presenta un patrón de "difícil de subir, más difícil de bajar". Mientras tanto, el marco anual de precios de la HBM está siendo objeto de una revisión fundamental, y se espera que las negociaciones contractuales para 2027 resulten en subidas de precios muy superiores a las previstas por el mercado. TrendForce afirma explícitamente que los fabricantes equilibrarán dinámicamente la asignación de capacidad en función de la rentabilidad comparada entre HBM y DRAM tradicional.
La interacción entre estas tres capas define la naturaleza única de este superciclo: no es solo un auge impulsado por la demanda, sino una "prosperidad disciplinada" condicionada por la rigidez de la oferta; los fabricantes, buscando maximizar los beneficios, tienen incentivos para mantener y no alterar la actual estructura de oferta y demanda. Esto hace que la duración y estabilidad del superciclo difieran radicalmente de los ciclos tradicionales de memoria de "auge-exceso-crisis".
Conclusión: la "tensión interna" del superciclo
El informe financiero de Samsung del primer trimestre de 2026 parece, a simple vista, la ilustración perfecta del "superciclo de memoria para IA": ingresos y beneficios récord, tasas de crecimiento que se duplican y envíos de HBM que se triplican. Sin embargo, bajo estas cifras deslumbrantes, el comentario de la dirección de que "la DRAM tradicional es actualmente más rentable que la HBM" revela una tensión interna poco considerada en el relato del superciclo.
Esta tensión se manifiesta en varios frentes: la inversión de la estructura de beneficios entre DRAM tradicional y HBM, el mecanismo anual de precios rezagados de la HBM y la inminente revisión de precios contractuales, la competencia continua entre Samsung y SK Hynix en cuota de mercado y ritmo tecnológico, y el tira y afloja entre el auge de beneficios impulsado por la IA y el reparto interno de beneficios. Estas tensiones no niegan el superciclo; al contrario, son claves para comprender sus características únicas.
Desde la perspectiva de la inversión, la narrativa de valoración actual para 005930 se encuentra en un punto de inflexión. Una vez que el crecimiento explosivo de beneficios esté plenamente recogido en el precio, el foco pasará a la salud y sostenibilidad de la estructura de beneficios: si los precios contractuales de la HBM podrán alcanzar a la DRAM en 2027, si los riesgos laborales pueden resolverse de forma institucional, y si la cuota de suministro de HBM logrará un avance. La evolución de estas variables determinará si Samsung Electronics puede pasar de ser un "beneficiario del ciclo" a un "líder estructural" en el superciclo de memoria para IA.
