El 15 de julio de 2026, se informó que Samsung Electronics planeaba construir una nueva fábrica de DRAM en Giheung, provincia de Gyeonggi, con una capacidad mensual de 100 000 obleas y una inversión total que alcanzaría decenas de billones de wones. La inteligencia artificial está transformando de manera fundamental la dinámica global de oferta y demanda, así como la lógica de precios de los chips de memoria.
Como componente clave de la infraestructura de IA, la DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio) está experimentando una reconstrucción de su ciclo impulsada por un cambio drástico en la estructura de la demanda. Este nuevo ciclo es radicalmente distinto a los ciclos tradicionales de memoria: en lugar de estar impulsado por oleadas de renovación de electrónica de consumo, se origina en la demanda explosiva de memoria de alto ancho de banda para el entrenamiento y la inferencia de IA. Comprender la evolución de este ciclo de DRAM es esencial para captar la dirección de la industria de semiconductores y los cambios en la infraestructura fundamental del mercado de activos digitales.
La brecha entre oferta y demanda se amplía hasta casi un máximo de 15 años
A julio de 2026, los precios globales de chips de memoria han subido por tercer trimestre consecutivo. En un informe publicado a principios de julio, UBS elevó drásticamente sus previsiones de precios de memoria, proyectando que los precios de los contratos DDR aumentarán un 32 % trimestre a trimestre en el tercer trimestre y otro 18 % en el cuarto. El banco prevé que la situación de escasez en la industria de DRAM se mantendrá al menos hasta la primera mitad de 2028.
Diversos datos respaldan esta evaluación. Según TrendForce, el mercado global de DRAM en el tercer trimestre de 2026 sigue extremadamente ajustado, con precios de contratos que se espera suban entre un 13 % y un 18 % trimestre a trimestre. El 7 de julio, Morgan Stanley elevó su previsión de incremento de precios trimestre a trimestre para el precio medio combinado de DRAM para PC del 3 %-8 % al 15 %-20 %, y para DRAM de servidores al 13 %-18 %.
La profundidad del desequilibrio entre oferta y demanda está alcanzando extremos históricos. Los analistas de UBS señalan que, excluyendo el efecto amortiguador de la reposición de inventarios aguas abajo, la brecha real entre oferta y demanda en 2027 se ampliará del -8,1 % en 2026 al -13,6 %, alcanzando un desequilibrio pocas veces visto en los últimos 30 años. Goldman Sachs informa que el actual desequilibrio global entre oferta y demanda de memoria es el mayor en casi 15 años. Kim Dong-won, analista de KB Securities, predice además que 2027 marcará el periodo de mayor escasez en los 70 años de historia de la industria de semiconductores de memoria.
Los aumentos de precios aguas arriba ya se han extendido por toda la cadena de suministro. Samsung Electronics planea incrementar el precio medio de venta de DRAM general un 20 % trimestre a trimestre en el tercer trimestre de 2026, con precios de memoria móvil LPDDR subiendo también más del 20 %. Según Yicai, algunos fabricantes de electrónica de consumo ya han recibido notificaciones verbales de Samsung sobre aumentos de precios de DRAM.
HBM emerge como variable estructural en el ciclo de DRAM
La clave para entender este ciclo de DRAM reside en el auge de HBM (memoria de alto ancho de banda). HBM logra un ancho de banda ultraalto apilando verticalmente varios chips de DRAM, lo que la convierte en una solución esencial de memoria para las GPU de IA.
El crecimiento de la demanda ha sido extraordinario. Li Feng, presidente de SEMI China, señaló que se espera que el mercado de HBM crezca un 58 % hasta los 54,6 mil millones de dólares en 2026, representando casi el 40 % del mercado de DRAM. Aunque Samsung, SK Hynix y Micron han destinado el 70 % de la nueva capacidad a HBM, el déficit total de capacidad sigue oscilando entre el 50 % y el 60 %. Los datos de Omdia muestran que la producción global de HBM en 2026 se espera que más que se duplique respecto al año anterior, aumentando un 103 %.
El "efecto desplazamiento" de HBM sobre la capacidad de DRAM es el mecanismo central detrás del desequilibrio entre oferta y demanda. Los datos del sector indican que la proporción de HBM en la capacidad de obleas de DRAM ha pasado del 2 % en 2020 a un estimado del 25 % en 2026. Una oblea de HBM consume aproximadamente la misma capacidad que tres obleas de DDR5. Cada chip de HBM es más del doble de grande que un chip de DRAM estándar, y para la misma capacidad de almacenamiento, HBM consume al menos tres veces el área de oblea y espacio en sala limpia frente a la DRAM estándar.
El resultado directo de esta inclinación de capacidad es una contracción estructural en el suministro de DRAM general. KB Securities prevé que la proporción de HBM en la producción global de obleas de DRAM aumente del 15 % en 2026 al 34 % en 2027. Esto significa que la mayor parte de la nueva capacidad irá destinada a HBM, limitando de facto la expansión del suministro de DRAM general.
Los servidores de IA se han convertido en el mayor mercado de aplicación para DRAM, con la demanda de servidores representando ahora más del 50 % de la demanda total de DRAM. Un servidor de IA utiliza entre 8 y 10 veces más DRAM por unidad que un servidor estándar. Se prevé que la cantidad media de DRAM instalada por servidor aumente de 1 032 GB en 2025 a 1 432 GB en 2026, un incremento de aproximadamente el 39 %. TrendForce estima que alrededor del 70 % de la capacidad de memoria de gama alta en 2026 irá a centros de datos de IA.
La carrera de capacidad y la batalla por cuota de mercado entre los tres grandes
En este ciclo impulsado por HBM, las estrategias de SK Hynix, Samsung Electronics y Micron están redefiniendo el panorama del sector.
SK Hynix es actualmente el líder indiscutible en el mercado de HBM. Los datos de Counterpoint Research muestran que en el primer trimestre de 2026, SK Hynix tenía una cuota de ingresos del 58 % en el mercado global de HBM, mientras que Samsung Electronics y Micron cada uno ostentaban el 21 %. Los analistas prevén que los ingresos de HBM de SK Hynix podrían alcanzar los 5,95 mil millones de dólares en 2026. Toda la capacidad de HBM de la empresa para 2026 ya está asegurada mediante contratos a largo plazo con proveedores de nube.
Sin embargo, esta ventaja está bajo presión. Un informe del 13 de julio de Korea Investment & Securities prevé que los ingresos de SK Hynix en el segundo trimestre serán de 80,9 billones de wones (un aumento del 264 % interanual) y el beneficio operativo de 60,4 billones de wones (un aumento del 556 % interanual), pero alrededor de un 8 % por debajo del consenso de mercado de 65 billones de wones. La razón principal es que la mayor proporción de ventas de HBM de SK Hynix, frente a sus competidores, resultó en incrementos del precio medio de venta inferiores a la media del mercado. Los analistas esperan que, con el inicio de la producción masiva de HBM4 en el tercer trimestre, los aumentos de precio medio vuelvan a la norma del mercado.
Samsung Electronics está luchando por alcanzar a sus rivales. La empresa planea invertir más de 110 billones de wones (unos 73,3 mil millones de dólares) en equipos e I+D en 2026, un aumento de alrededor del 22 % respecto al año anterior. A 15 de julio, Samsung anunció planes para construir una nueva planta de DRAM en Giheung con una capacidad mensual de 100 000 obleas, pudiendo comenzar las obras ya en el tercer trimestre de 2026.
Samsung también ha logrado la primera producción masiva y envío mundial de productos HBM4. Según un informe de TrendForce de junio, existen diferencias significativas en el progreso de validación de HBM4 entre los tres principales fabricantes, con Samsung a la cabeza. Samsung espera que sus ventas de HBM en 2026 más que tripliquen las del año anterior.
Micron, aunque cuenta con la menor capacidad de HBM entre los tres, está experimentando el crecimiento más rápido. En su tercer trimestre fiscal de 2026 (finalizado en mayo), Micron registró ingresos de 41,46 mil millones de dólares, un aumento del 346 % interanual. La DRAM aportó 31,3 mil millones, representando el 76 % de los ingresos totales. El margen bruto alcanzó el 84,9 %, superando a Nvidia.
Aún más destacable es su previsión para el cuarto trimestre: ingresos proyectados de unos 50 mil millones de dólares, margen bruto de aproximadamente el 86 % y ganancias por acción de alrededor de 31 dólares. Toda la capacidad de HBM de Micron para 2026 ha sido vendida mediante contratos a precio fijo. El plan de inversión en equipos de la empresa está previsto que aumente más del 90 % respecto al año anterior.
De cíclico a estructural: el cambio de lógica a largo plazo en DRAM
La diferencia más fundamental de este ciclo de DRAM respecto a los anteriores es el cambio estructural en sus fuerzas impulsoras.
IDC prevé que los ingresos globales del mercado de DRAM alcanzarán los 418,6 mil millones de dólares en 2026, un aumento del 177 % interanual. Los ingresos del mercado NAND se espera que lleguen a 174,1 mil millones, un aumento del 138,5 %. El valor total anual de la industria de almacenamiento superará los 550 mil millones, con el almacenamiento de servidores superando a los teléfonos móviles como principal escenario de demanda. UBS considera que el aumento de precios impulsará a la industria de memoria hasta los 992 mil millones en ingresos en 2026.
Este crecimiento no es simplemente otro repunte cíclico. IDC lo deja claro: no se trata solo de otra fase ascendente en el ciclo tradicional de auge y caída de la memoria, sino de una transformación estructural del sector. Los clientes de centros de datos a hiperescala están comprando un tipo de chip de memoria fundamentalmente distinto y más caro, y están dispuestos a pagar una prima para asegurar el suministro.
Las restricciones del lado de la oferta también son estructurales. Tras profundas pérdidas sectoriales en 2025, los fabricantes adoptaron ampliamente estrategias de control de producción y protección de precios. La I+D de procesos avanzados de semiconductores y la construcción de fábricas requieren años, a lo que se suman barreras de talento, energía y aprobaciones regulatorias, lo que imposibilita poner en marcha nueva capacidad rápidamente. Los ejecutivos de Micron creen que la situación de escasez persistirá hasta después de 2027, con una mejora gradual del lado de la oferta solo a partir de 2028.
La adopción generalizada de acuerdos a largo plazo (LTA) está cambiando los modelos de precios y beneficios del sector. SK Hynix, Samsung y Micron están fijando volúmenes y precios de suministro futuros para clientes clave como Nvidia mediante LTAs de 1-2 años. Micron ha firmado 16 acuerdos de suministro a largo plazo que cubren centros de datos, electrónica de consumo y automoción, con ingresos mínimos garantizados de estos contratos que alcanzan los 100 mil millones de dólares. Korea Investment & Securities señala que, a medida que la industria de memoria se orienta hacia LTAs de 3 a 5 años, el valor de una empresa dependerá de cuánto tiempo pueda mantener una alta rentabilidad, más que del crecimiento trimestral del precio medio de venta.
Conclusión
La demanda de servidores de IA está impulsando a la industria de DRAM hacia un ciclo nuevo y sin precedentes. Las características definitorias de este ciclo no son simplemente precios más altos, sino una reestructuración sistémica de la demanda, la asignación de capacidad, los modelos de precios y el panorama sectorial.
El auge de HBM ha transformado la matriz de productos DRAM, mientras que la inclinación de capacidad de los tres grandes ha provocado una escasez estructural de DRAM general. La proliferación de LTAs está suavizando la volatilidad cíclica en el sector. UBS prevé que la presión entre oferta y demanda de DRAM se mantendrá al menos hasta la primera mitad de 2028, y KB Securities pronostica que 2027 será el año más ajustado en los 70 años de historia del sector, lo que apunta a una conclusión: la duración e intensidad de este ciclo de DRAM podrían superar ampliamente las expectativas iniciales del mercado.
Para los inversores, comprender el paso de la DRAM de "mercancía cíclica" a "activo estratégico" puede ofrecer más valor a largo plazo que simplemente predecir el movimiento de precios del próximo trimestre. A medida que los chips de memoria se convierten en la infraestructura central de la era de la IA, la lógica de oferta y demanda y la distribución del poder de fijación de precios impactarán profundamente en toda la cadena de valor tecnológica, desde los semiconductores hasta los activos digitales.
Preguntas frecuentes
P: ¿Cuánto mayor es la demanda de DRAM para servidores de IA respecto a servidores estándar?
Un servidor de IA utiliza entre 8 y 10 veces más DRAM por unidad que un servidor estándar. Se prevé que la cantidad media de DRAM instalada por servidor aumente de 1 032 GB en 2025 a 1 432 GB en 2026. La inferencia de modelos a gran escala y la expansión de agentes de IA acelerarán aún más el crecimiento de la demanda de almacenamiento.
P: ¿En qué se diferencian HBM y la DRAM tradicional en costes de producción?
HBM se fabrica apilando verticalmente varios chips de DRAM. Cada chip de HBM es más del doble de grande que un chip de DRAM estándar, y para la misma capacidad de almacenamiento, HBM consume al menos tres veces el área de oblea y espacio en sala limpia. Una oblea de HBM consume aproximadamente la misma capacidad que tres obleas de DDR5. El elevado coste de producción se compensa con altos márgenes brutos: cada chip de HBM tiene un margen bruto del 60 %-70 %, cuatro veces mayor que el de la DRAM estándar.
P: ¿Cuándo se espera que se alivie la presión entre oferta y demanda de DRAM?
UBS considera que la situación de escasez en la industria de DRAM persistirá al menos hasta la primera mitad de 2028. KB Securities prevé que la escasez probablemente durará hasta al menos 2028. Los ejecutivos de Micron esperan que la escasez continúe hasta después de 2027, con una mejora gradual del lado de la oferta solo a partir de 2028. Las tres instituciones coinciden en la presencia de escasez; su principal diferencia es cuánto tiempo durará.
P: ¿Cómo es el panorama de cuota de mercado entre los tres gigantes de HBM?
En el primer trimestre de 2026, SK Hynix lideró con una cuota de ingresos del 58 %, mientras que Samsung Electronics y Micron cada uno ostentaron el 21 %. Para la cuota de mercado de envíos anual, se prevé que SK Hynix alcance alrededor del 52 %, Samsung el 39 % y Micron el 8 %. En el segmento HBM4, Counterpoint Research proyecta que SK Hynix tendrá aproximadamente el 54 % de cuota de mercado en 2026, Samsung alrededor del 28 % y Micron cerca del 18 %. Samsung lidera en el progreso de validación de HBM4.
P: ¿Cómo afectarán los aumentos de precios de DRAM a los precios finales de la electrónica de consumo?
Los aumentos de precios de DRAM ya han llegado desde los fabricantes aguas arriba a la electrónica de consumo. El análisis sectorial sugiere que las marcas de PC y smartphones prevén aumentar los precios de sus productos entre un 15 % y un 20 %. En centros de distribución como Huaqiangbei, los precios pueden cambiar tres veces al día, y los distribuidores aconsejan posponer compras no esenciales. Los fabricantes de automóviles también han comenzado a reevaluar algunas funciones de conducción inteligente para controlar los costes de componentes.
