Reuters berichtete am 29. Juni unter Berufung auf drei mit der Angelegenheit vertraute Personen, dass ChangXin Memory Technologies (CXMT) mit Tencent Holdings einen langfristigen Liefervertrag im Wert von über 20 Milliarden RMB (etwa 2,94 Milliarden US-Dollar) unterzeichnet hat. Der Vertrag betrifft in erster Linie die Lieferung von Server-DRAM-Speicherchips über mehrere Jahre, mit einer maximalen Laufzeit von drei bis fünf Jahren. Die angespannte globale DRAM-Versorgung und steigende Preise veranlassen Cloud-Unternehmen, sich durch langfristige Verträge zu sichern.
Bekannte Vertragsbedingungen und noch nicht offengelegte Details
Nach Informationen von mit der Angelegenheit vertrauten Personen, auf die sich Reuters bezieht, beträgt die maximale Laufzeit des Vertrags drei bis fünf Jahre und betrifft hauptsächlich Server-DRAM-Chips. Ob der Vertrag auch die High-Bandwidth-Memory-Produkte (HBM) von ChangXin abdeckt, ist noch nicht klar. Reuters berichtete außerdem unter Berufung auf zwei informierte Personen, dass ChangXin auch mit anderen großen chinesischen Internetunternehmen über ähnliche langfristige Liefervereinbarungen verhandele; Einzelheiten wurden noch nicht bekannt gegeben.
Zulassungsprozess für den STAR-Market-IPO von ChangXin Memory Technologies
Der STAR-Market-IPO von ChangXin hat die folgenden Schritte durchlaufen: Der Antrag wurde vom Börsenzulassungsausschuss der Shanghai Stock Exchange geprüft und die Registrierungsgenehmigung der chinesischen Wertpapieraufsichtsbehörde (CSRC) wurde eingeholt. ChangXin plant, 29,5 Milliarden RMB aufzunehmen, was den höchsten geplanten Emissionsbetrag in der Geschichte des STAR-Marktes darstellt. Es ist außerdem das erste IPO-Projekt am STAR Market, das im Pre-Review-Verfahren behandelt wurde. Der konkrete Emissionszeitplan und die Preisgestaltung des IPOs wurden noch nicht bekannt gegeben.
Prognosedaten von SemiAnalysis zur Kapazitätserweiterung von ChangXin
Die Prognosen des Marktforschungsinstituts SemiAnalysis zur Kapazitätserweiterung von ChangXin lauten wie folgt:
2025: DRAM-Marktanteil von etwa 11% bis 13%
2027: Monatliche Produktionskapazität von etwa 420.000 Wafern, Marktanteil voraussichtlich auf etwa 17% gestiegen
2028: Monatliche Produktionskapazität weiter steigend auf etwa 500.000 Wafer, Marktanteil bleibt bei etwa 17% (unter Berücksichtigung der gleichzeitigen Ausweitung der globalen DRAM-Gesamtkapazität)
Die oben genannten Daten sind Prognosen von SemiAnalysis und keine offiziellen Kapazitätsplanankündigungen von ChangXin oder Tencent.
Häufig gestellte Fragen
Wie groß ist die Marktanteilslücke zwischen ChangXin und den führenden globalen DRAM-Herstellern?
Laut den Prognosedaten von SemiAnalysis wird der DRAM-Marktanteil von ChangXin im Jahr 2025 bei etwa 11% bis 13% liegen. Der globale DRAM-Markt wird derzeit hauptsächlich von den drei Herstellern Samsung, SK Hynix und Micron dominiert. ChangXin ist der größte DRAM-Speicherhersteller in China.
Warum hat Tencent sich für einen langfristigen Vertrag entschieden, anstatt DRAM auf dem Spotmarkt zu kaufen?
Die globale DRAM-Versorgung ist angespannt, die Spotpreise steigen, und die Nachfrage nach Server-Speicher in den Bereichen Cloud-Computing, Künstliche Intelligenz und Rechenzentren wächst kontinuierlich. Durch langfristige Vereinbarungen (LTAs) können Unternehmen Versorgungssicherheit und Kostenplanbarkeit gewinnen. Auch andere Internet- und Cloud-Unternehmen sichern sich derzeit auf ähnliche Weise die Versorgung.
Welche Auswirkungen hat diese Vertragsunterzeichnung auf den Zeitplan des STAR-Market-IPOs von ChangXin?
Laut Reuters-Bericht stellt die Erteilung eines langfristigen Auftrags von Tencent im Wert von über 20 Milliarden RMB am Vorabend des IPOs eine öffentliche Anerkennung der technologischen Fähigkeiten von ChangXin durch eines der größten Internetunternehmen Chinas dar. Der konkrete Emissionszeitplan und die Preisgestaltung des IPOs von ChangXin waren zum Zeitpunkt des Berichts noch nicht bekannt gegeben worden; die entsprechenden Verfahren laufen weiterhin im Rahmen des normalen Genehmigungsprozesses.