أبل تبدأ اختبار ذاكرة DRAM من تشانغشين للتخزين لطرازات سوق الصين، وبنك أمريكا يرصد ثلاثة عقبات

وفقاً لـ wccftech، بدأت Apple اختبارات داخلية لذاكرة Changxin Storage DRAM لأجهزة iPhone وiPad المخصصة للسوق الصيني، عقب تقارير الشهر الماضي التي أفادت بأن الشركة كانت تسعى للحصول على موافقة تنظيمية أمريكية لشراء الرقائق من الشركة الصينية المصنعة للرقائق.

ومع ذلك، أعرب Bank of America عن تشكك في التبني على نطاق واسع، مستشهداً بثلاث عقبات رئيسية: القيود الجيوسياسية (Changxin مدرجة على قائمة وزارة الدفاع الأمريكية 1260H)، والفجوات في الأداء التقني في سرعة وكفاءة الطاقة لذاكرة LPDDR5X مقارنة بمواصفات iPhone الرائدة، ومخاطر التقاضي بشأن براءات الاختراع من مالكي براءات اختراع DRAM الراسخين مثل Samsung وSK Hynix وMicron. يشير تحليل BofA إلى أن أي نشر سيكون محدوداً على الأرجح في الموديلات الأساسية مثل iPhone 18e.