IBM 於 6 月 25 日宣布其 0.7 奈米節點的奈米堆疊晶片，採用三維垂直架構，擁有近 1000 億個電晶體。相較於 IBM 2021 年的 2 奈米晶片，新設計的電晶體密度約為兩倍，效能提升最高 50%，能源效率提升最高 70%，SRAM 縮放改善 40%。這項 3D 堆疊電晶體方法由 IBM 位於紐約州奧爾巴尼的研究機構開發，並在 VLSI 2026 上發表，解決 AI 加速器的晶片內記憶體頻寬限制。
IBM 預計在五年內（約 2031 年）投入量產。該公司預估奈米堆疊架構可支援至少十年的持續半導體微縮，在傳統二維縮小面臨物理限制之際，延續摩爾定律。此晶片仍為研究原型，並已展示功能性 CMOS 操作。
