29 травня Samsung Electronics оголосила, що розпочала відвантаження інженерних зразків перших у галузі 12-шарових HBM4E великим глобальним клієнтам, ще більше зміцнюючи свою лідерську позицію на ринку високошвидкісної пам’яті нового покоління (HBM). Крок спрямований на зростаючі потреби в обчисленнях для ШІ: Samsung заявляє, що 12-шаровий HBM4E забезпечує подвійне покращення енергоефективності та теплових характеристик, щоб відповідати вимогам високонавантажених обчислень для ШІ наступного покоління. До клієнтської бази Samsung належать виробники ШІ-чипів, зокрема NVIDIA та AMD, а також хмарні постачальники на кшталт Google і Microsoft — усі ключові компанії, які підтримують потреби в обчисленнях для ШІ.
Технічні характеристики продукту та показники продуктивності
Samsung HBM4E, четверте покоління вдосконаленої високошвидкісної пам’яті з великою пропускною здатністю, досягає стабільної швидкості виводів 14 гігабіт на секунду (Gbps) із масштабуванням до 16Gbps, щоб відповідати зростаючим потребам обробки даних. Порівняно з Samsung HBM4 продуктивність зростає більш ніж на 20%, а максимальна пропускна здатність пам’яті в одному стеку сягає 3,6 терабайта на секунду (TB/s), щоб максимізувати обчислювальну продуктивність для великих мовних моделей (LLM) і систем ШІ наступного покоління.
Щодо обсягу пам’яті, 12-шаровий HBM4E від Samsung пропонує 48 гігабайтів (GB) на стек, що становить приріст ємності понад 30% порівняно з попереднім поколінням. Samsung Electronics заявила, що планує розширювати лінійку продуктів залежно від потреб клієнтів, додаючи версії конфігурацій 32GB (8-шаровий стек) і 64GB (16-шаровий стек).
Технологія виробництва та інтеграція процесу
Samsung Electronics заявила, що ключова перевага HBM4E полягає в повній інтеграції повного ланцюга напівпровідникових технологій Samsung, із повторним використанням та оптимізацією передових процесів, валідованих під час масового виробництва HBM4. Продукт використовує найсучасніший шостого покоління 10-нанометровий клас процесу DRAM (процес 1c), поєднаний із базовою пластиною логіки 4 нанометри від Samsung Foundry, що дає HBM4E вищу стабільність процесу та технологічність виробництва.
Енергоефективність і теплові характеристики
Дизайнові та процесні оптимізації в архітектурі пам’яті та логіки HBM4E покращили продуктивність, енергоефективність і вихід придатної продукції. Порівняно з HBM4, HBM4E забезпечує приблизно 16% покращення енергоефективності та понад 14% зниження теплового опору. Samsung заявила, що ці покращення дозволяють ефективніше відводити тепло, підвищуючи експлуатаційну надійність високонавантажених дата-центрів наступного покоління, водночас зменшуючи споживання енергії.
Графік виробництва та ринкова позиція
Samsung заявила, що розпочне масове виробництво HBM4E за графіками клієнтів після завершення відвантаження зразків і оптимізації адаптації з боку клієнтів. HBM4, запущений у лютому цього року, отримав високе визнання з боку глобальних клієнтів, а продуктивність і енергоефективність особливо добре оцінили.
Фінансові показники
30 квітня Samsung Electronics повідомила результати за 1-й квартал, причому остаточний верифікований операційний прибуток, розрахований на основі консолідованої фінансової звітності, зріс на 756,1% у річному вимірі до 57,2328 трлн корейських вон (приблизно 263,9 млрд RMB), що стало другим поспіль кварталом рекордно високих результатів за один квартал. Підрозділ Device Solutions (DS), відповідальний за напівпровідниковий бізнес, забезпечив зростання загальних показників компанії: він досяг продажів за 1-й квартал 81,7 трлн вон і операційного прибутку 53,7 трлн вон — обидва історичні максимуми за один квартал.
FAQ
Яка ємність 12-шарового HBM4E від Samsung?
12-шаровий HBM4E від Samsung пропонує 48GB на стек, що становить приріст ємності понад 30% порівняно з попереднім поколінням. Samsung планує додати конфігурації 32GB (8-шаровий) і 64GB (16-шаровий) залежно від потреб клієнтів.
Наскільки швидше HBM4E порівняно з HBM4?
HBM4E забезпечує приріст продуктивності понад 20% порівняно з HBM4: стабільна швидкість виводів 14Gbps із масштабуванням до 16Gbps, а максимальна пропускна здатність одного стеку пам’яті сягає 3,6TB/s.
Який виробничий процес Samsung використовує для HBM4E?
HBM4E використовує 6-те покоління 10-нанометрового класу процесу DRAM Samsung (процес 1c), поєднаний із базовою пластиною логіки 4 нанометри від Samsung Foundry.
