Samsung і Broadcom підписали партнерство з виробництва AI-чипів на суму понад 200 мільярдів доларів до 2030 року

2026-07-25 07:16:20

AVGO-2,79%

За даними Yonhap Infomax, Samsung Electronics і Broadcom підписали меморандум про стратегічне партнерство 24 липня, щоб співпрацювати над передовою напівпровідниковою інфраструктурою до 2030 року з запланованими інвестиціями понад 200 млрд доларів. Згідно з угодою, Samsung постачатиме передові продукти пам’яті, зокрема HBM (high-bandwidth memory), для AI-акселераторів Broadcom наступного покоління, тоді як чипсети Broadcom використовуватимуть ливарні процеси Samsung із нормами менш ніж 2 нм та передові технології пакування.

Переглянути джерело

Застереження: інформація на цій сторінці може походити зі сторонніх джерел і надається виключно для ознайомлення. Вона не відображає позицію чи думку Gate і не є фінансовою, інвестиційною чи юридичною консультацією. Торгівля віртуальними активами пов’язана з високим ризиком. Будь ласка, не покладайтеся лише на інформацію з цієї сторінки під час прийняття рішень. Детальніше дивіться у Застереженні.

Пов’язані новини

8год тому

Nvidia співпрацює з SK Group у межах плану з ШІ на $500+ млрд у липні 25

8год тому

Samsung і Broadcom підписали угоду про передове виробництво чипів пам’яті $200B 25 липня

8год тому

Південна Корея просуває платформи для даних зі ШІ за участі SK Telecom і Nvidia, націлившись на 2 мільйони GPU

10год тому

Qualcomm планує до 2029 року досягти доходів від ЦОД у $15B Data Center на тлі поштовху з боку ІІ-чипів

13год тому

Президент Південної Кореї зустрівся з генеральним директором Broadcom 24 липня, щоб обговорити співпрацю в екосистемі ШІ

Поглиблений аналіз