29 квітня 2026 року компанія Samsung Electronics (005930.KS) оприлюднила квартальний фінансовий звіт, що може змінити історію корпоративних результатів у Південній Кореї.
Консолідований дохід досяг 133,87 трлн корейських вон (приблизно 90,1 млрд доларів США), що на 69,2% більше у річному вимірі та на 42,7% більше у порівнянні з попереднім кварталом. Це найвищий показник квартального доходу за всю історію компанії. Операційний прибуток зріс до 57,23 трлн корейських вон (близько 38,4 млрд доларів США), що на 756,1% більше у річному вимірі та на 185,1% більше у порівнянні з попереднім кварталом. Обидва показники значно перевищили як внутрішні прогнози компанії, так і ринковий консенсус у 55,28 трлн вон.
Для порівняння: загальний операційний прибуток Samsung за весь 2025 рік становив 43,6 трлн вон. Це означає, що лише за один квартал 2026 року компанія вже перевищила річний показник попереднього року.
У структурі прибутку підрозділ Device Solutions (DS), що відповідає за напівпровідниковий бізнес, став абсолютним рушієм прибутковості. Операційний прибуток DS за квартал склав 53,7 трлн вон, що становить близько 93,9% від загального операційного прибутку компанії — проти лише 1,1 трлн вон за аналогічний період минулого року. Операційна маржа DS досягла близько 65,7%, завдяки чому загальна операційна маржа Samsung зросла до приблизно 42,8%.
Після публікації звіту низка міжнародних інвестиційних банків оперативно підвищила цільові ціни на акції компанії. Goldman Sachs підняв цільову ціну для 005930 з 205 000 до 260 000 вон, зберігши рекомендацію "Buy" ("купувати"). Citi 12 травня підвищив цільову ціну з 300 000 до 460 000 вон і запровадив 90-денний "upward catalyst watch" (моніторинг потенціалу зростання). Nomura пішла ще далі, піднявши цільову ціну з 340 000 до 590 000 вон 18 травня.
Однак справжнім приводом для ринкових роздумів стала не лише вражаюча фінансова звітність, а й невимушена ремарка менеджменту під час earnings call (конференції щодо результатів): на цей момент традиційна DRAM фактично приносить більше прибутку, ніж HBM.
Ця заява прямо суперечить усталеним ринковим уявленням. У контексті "AI memory supercycle" (суперциклу пам’яті для штучного інтелекту) HBM розглядається як найприбутковіший і найскладніший сегмент. Чому ж менеджмент робить таку "контрінтуїтивну" заяву під час рекордного кварталу? Бізнес-логіка тут значно складніша, ніж просто фінансові показники.
"Контрінтуїтивна" структура прибутку
Твердження про те, що традиційна DRAM зараз прибутковіша за HBM, не є унікальною позицією Samsung — це підтверджується галузевими даними.
Згідно з останнім звітом дослідницької компанії TrendForce від 27 травня 2026 року, через річні механізми ціноутворення та інші фактори вартість пластини та маржа HBM у першому кварталі 2026 року поступилися DDR5 RDIMM. Ще у січні TrendForce зазначила, що ціни та маржа серверної DRAM перевищили HBM, зробивши її найприбутковішим продуктом.
Структурно цикл ціноутворення HBM відрізняється від стандартної DRAM. Контракти на HBM укладаються зазвичай на рік, з довгими періодами фіксації та відставанням коригування цін від спотового ринку. Традиційна DRAM (наприклад, DDR5) використовує більш гнучкий механізм формування ціни — вона швидко реагує на зміни попиту й пропозиції.
Цінові дані підкреслюють цю різницю. У першому кварталі 2026 року контрактні ціни на DRAM зросли на 90–95% квартал до кварталу, а ціни на NAND Flash — на 55–60%. Масштабне нарощування виробництва HBM зайняло значну частину доступних потужностей, через що пропозиція традиційної DRAM скоротилася швидше, ніж зріс попит. Це створило позитивну спіраль: дефіцит підвищує ціни, а зростання цін збільшує прибутки.
Динаміка глобального ринку DRAM підтверджує цей тренд. За даними Counterpoint Research від 27 травня 2026 року, світова виручка від DRAM у першому кварталі зросла на 80% квартал до кварталу та на 260% у річному вимірі, досягнувши рекордних 97 млрд доларів США — майже 100 млрд за квартал. Samsung зберігає лідерство з часткою 38% у глобальній виручці від DRAM.
За цією інверсією маржі стоїть глибша логіка потужностей: ефект "capacity squeeze" (стискання виробничих потужностей). Кристали HBM значно більші за стандартні DRAM, тому споживають набагато більше площі пластини. Зі зростанням відвантажень HBM сучасні виробничі потужності зайняті переважно під цей продукт, а ефективна пропозиція традиційної DRAM скорочується. Поєднання дисбалансу попиту й пропозиції та гнучкого ціноутворення дозволяє традиційній DRAM перевершувати HBM із жорстко фіксованими цінами за показником граничної прибутковості.
Сегмент HBM: реалії конкуренції за межами "ореолу"
Щоб зрозуміти інверсію прибутковості між традиційною DRAM і HBM, слід розглянути конкурентне середовище на ринку HBM.
Щодо ключового покоління HBM4, Samsung у лютому 2026 року першою у світі розпочала масове виробництво та комерційні поставки. Очікується, що продажі HBM у 2026 році перевищать торішній показник утричі, а виручка від HBM4 із третього кварталу становитиме понад половину всіх продажів HBM.
У технологічному аспекті Samsung прискорила розробку HBM4E. На конференції GTC у березні 2026 року компанія публічно представила фізичні зразки HBM4E зі швидкістю 16 Гбіт/с на контакт і загальною пропускною здатністю понад 4,0 ТБ/с, що приблизно на 21% більше, ніж у HBM4. Першу партію інженерних зразків HBM4E виготовили у другому кварталі, віддавши пріоритет основним клієнтам для системної валідації.
Однак дані про ринкові частки свідчать про інше. За оцінкою TrendForce, у 2026 році SK Hynix контролюватиме близько 50% ринку HBM, а Micron збільшить частку до 28%. У рейтингу глобальної виручки від DRAM за даними Counterpoint Research Samsung лідирує з 38%, далі йдуть SK Hynix із 29% і Micron із 22%.
Попри перевагу Samsung у часі запуску HBM4, SK Hynix зберігає лідерство в розподілі поставок завдяки давній співпраці з NVIDIA у сфері HBM. Цей "first-mover barrier" (бар’єр першого гравця) визначається не лише технічними характеристиками, а й тривалими циклами сертифікації, спільною історією валідації та накопиченою довірою в ланцюгу постачання. Чи зможе стратегія Samsung із наздоганяння досягти прориву в HBM4 і наступних поколіннях, залежить від здатності компанії перетворити лідерство у масовому виробництві на суттєву частку у поставках для клієнтів, не відстаючи при цьому технологічно.
Гра за цінову владу: відставання прибутку через річні контракти
У звіті TrendForce за травень 2026 року наголошується на основній суперечності у ціноутворенні HBM: контракти на HBM у 2026 році укладаються за річною схемою, з фіксацією цін ще у другій половині 2025 року. Коли у першому кварталі 2026 року на ринку DRAM виник дефіцит через зростання попиту з боку AI, контрактні ціни на HBM залишалися "pinned" (замороженими) на відносно низькому рівні й не зростали разом зі стандартною DRAM.
Крім того, у 2026 році на ринок HBM активно вийшли нові постачальники, що збільшило пропозицію та надало покупцям більше важелів у переговорах, ще більше обмеживши потенціал короткострокового зростання цін на HBM.
Ця відстала схема ціноутворення викликала різку реакцію постачальників. TrendForce зазначає, що з початком переговорів щодо постачання HBM4 на 2027 рік у другому кварталі 2026 року виробники суттєво підвищать ціни на HBM, щоб відобразити дисбаланс попиту й пропозиції та зростання витрат на нові покоління. Зростання прибутковості традиційної DRAM дає постачальникам більше простору для переговорів: якщо прибуток від HBM залишатиметься нижчим за традиційні продукти, виробники не матимуть економічних стимулів розширювати пропозицію HBM, змушуючи покупців погоджуватися на вищі контрактні ціни.
Стратегія SK Hynix тут відрізняється. За даними TrendForce, після того як ціни на RDIMM перевищили HBM, SK Hynix заявила, що "не переслідує короткостроковий прибуток, а прагне збалансованого довгострокового розвитку між HBM і традиційною DRAM". Такий підхід свідчить про розбіжності у стратегіях розподілу потужностей: Samsung схильна максимізувати короткострокову вигоду від високоприбуткової традиційної DRAM, тоді як SK Hynix фокусується на зміцненні довгострокових позицій у постачанні HBM.
Травнева страйкова хвиля 2026 року: ризики для пропозиції у суперциклі
В умовах і без того обмежених виробничих потужностей у травні 2026 року Samsung Electronics зіткнулася з найбільшим трудовим конфліктом у своїй історії. Національна профспілка Samsung Electronics оголосила про 18-денний загальний страйк, вимагаючи виділення 15% річного операційного прибутку на премії працівникам, тоді як менеджмент погоджувався лише на 10% і відмовлявся зробити систему премій постійною.
18 травня окружний суд Сувона частково задовольнив позов Samsung про забезпечення позову, зобов’язавши під час страйку підтримувати роботу персоналу, відповідального за безпеку, та не допускати псування виробничих матеріалів. За порушення — щоденний штраф у 300 млн вон. 20 травня медіація між сторонами провалилася, але згодом у травні було досягнуто тимчасової домовленості щодо зарплат. За підсумками загального голосування, 73,7% членів профспілки підтримали угоду, і масштабний страйк було відвернено.
Корінь страйку — у дисбалансі розподілу вигод під час AI-суперциклу. Операційний прибуток Samsung у першому кварталі зріс на 756%, але працівники напівпровідникового підрозділу вважають, що не отримали пропорційної частки від AI-буму. Тим часом SK Hynix ще у вересні 2025 року досягла домовленості зі своєю профспілкою: скасовано попередню стелю премій (раніше 1 000% від базової зарплати) та виділено 10% річного операційного прибутку на премії для всіх працівників терміном на десять років. За оцінками, у 2026 році працівники SK Hynix можуть отримати 600–700 млн вон премії, тоді як співробітники напівпровідникового підрозділу Samsung на аналогічних посадах — менше третини цієї суми. Через цю різницю в оплаті близько 200 ключових інженерів Samsung нещодавно перейшли до SK Hynix.
З галузевої точки зору будь-який подальший страйк, що вплине на виробництво, швидко позначиться на глобальному ланцюгу постачання напівпровідників. JPMorgan оцінює, що тривалий страйк у Samsung може скоротити операційний прибуток 2026 року на 2,1–3,5 трлн вон і знизити виручку напівпровідникового підрозділу на 1–2%. KB Securities у Південній Кореї прогнозує, що якщо у страйку візьме участь лише 30–40% членів профспілки, це призведе до перебоїв у 3–4% світової пропозиції DRAM. За умов зростаючого дефіциту будь-яка реальна втрата потужностей ще більше підвищить ціни на чіпи пам’яті.
Три шари суперциклу
Аналізуючи всі ці аспекти, можна чітко виділити трирівневу структуру нинішнього AI-суперциклу пам’яті:
Перший шар: структурні драйвери попиту. На відміну від попередніх короткострокових відновлень, зумовлених оновленням споживчої електроніки, нинішнє зростання ринку пам’яті спричинене структурним переглядом попиту з боку AI-тренування, інференсу та масштабного розширення дата-центрів. За даними Nomura Securities, у міру того як попит на AI-напівпровідники зміщується від тренування до інференсу, потреба у пам’яті входить у фазу експоненціального зростання. У сценаріях інференсу попит на пам’ять KV-cache визначається множенням кількості користувачів, часу взаємодії, складності AI-завдань і споживання токенів — тобто попит на пам’ять може зрости у тисячі разів за наступні п’ять років.
Другий шар: стискання потужностей і жорсткість пропозиції. Масштабне розширення HBM займає величезні обсяги сучасних виробничих потужностей, безпосередньо витісняючи традиційну DRAM. Після попереднього спаду виробники пам’яті стали обережнішими у капітальних витратах, а цикл введення нових потужностей зазвичай триває 12–18 місяців. Віце-президент IDC China Чжоу Чженган прогнозує, що цей ціновий цикл пам’яті триватиме у 2026 році й може продовжитися до 2027 чи навіть 2028 року.
Третій шар: перерозподіл цінової влади. Оскільки хмарні провайдери укладають довгострокові контракти з фіксацією мінімальних цін, загальна структура ціноутворення DRAM у 2026 році характеризується як "hard to rise, harder to fall" (важко підняти, ще важче знизити). Тим часом річна схема ціноутворення HBM переживає фундаментальний перегляд: переговори щодо контрактів на 2027 рік, ймовірно, принесуть підвищення цін, що значно перевищить попередні очікування ринку. TrendForce прямо зазначає, що виробники динамічно балансуватимуть розподіл потужностей, орієнтуючись на порівняння прибутковості HBM і традиційної DRAM.
Взаємодія цих трьох шарів формує унікальність поточного суперциклу: це не просто бум, зумовлений попитом, а "дисципліноване зростання", обмежене жорсткістю пропозиції — виробники, прагнучи максимізувати прибуток, зацікавлені підтримувати, а не руйнувати поточну структуру попиту й пропозиції. Це робить тривалість і стабільність суперциклу суттєво відмінними від традиційних циклів пам’яті "бум–надлишок–обвал".
Висновок: "Внутрішнє напруження" суперциклу
Фінансовий звіт Samsung за перший квартал 2026 року на перший погляд є ідеальною ілюстрацією "AI memory supercycle" — рекордні доходи й прибутки, подвоєння темпів зростання, триразове збільшення відвантажень HBM. Але за цими вражаючими цифрами заява менеджменту про те, що "традиційна DRAM наразі прибутковіша за HBM", розкриває приховане внутрішнє напруження у наративі суперциклу.
Це напруження проявляється у кількох площинах: інверсія прибутковості між традиційною DRAM і HBM, відставання річного механізму ціноутворення HBM та неминучий перегляд контрактних цін, постійне суперництво Samsung і SK Hynix за частку ринку та технологічне лідерство, а також протистояння між AI-бумом прибутків і внутрішнім розподілом вигод. Ці напруження не заперечують суперцикл — навпаки, вони є ключовими для розуміння його унікальності.
З інвестиційної точки зору нинішній наратив оцінки 005930 перебуває на переломному етапі. Коли вибухове зростання прибутку буде повністю враховано у ціні, увага зміститься на здоров’я та стійкість структури прибутку: чи зможуть контрактні ціни на HBM наздогнати у 2027 році, чи вдасться інституційно вирішити трудові ризики, чи досягне HBM прориву у частці постачання. Від розвитку цих змінних залежить, чи зможе Samsung Electronics перейти від статусу "вигодонабувача циклу" до "структурного лідера" AI-суперциклу пам’яті.
