Samsung применяет 2-нм техпроцесс к базовому кристаллу HBM5 для 50%-ного ускорения

Samsung Electronics объявила 27-го числа, что применит 2-нанометровый литейный (foundry) процесс с затвором «вокруг канала» (Gate-All-Around, GAA) к базовому кристаллу HBM5 — следующему поколению High Bandwidth Memory. Компания сообщила через свою новостную ленту для полупроводников, что рабочая скорость HBM5, как ожидается, будет более чем на 50% выше, чем у предыдущего поколения HBM4E, и что она готовит передовые процессы для повышения скорости и энергоэффективности. Базовый кристалл — это логический полупроводник, расположенный в нижней части структуры стека HBM; он соединяет данные между внешними процессорами, такими как GPU и CPU, и самой HBM. С момента того, как HBM4 начал использовать литейные процессы, базовый кристалл стал ключевым компонентом, определяющим общую производительность продукта и энергоэффективность.

Samsung поставила HBM4 и HBM4E с 4-нм процессом

Samsung Electronics поставила в феврале первые в мире HBM4 для массового производства, после чего в мае были поставлены образцы HBM4E на 12 слоёв. Базовые кристаллы HBM4 и HBM4E используют 4-нм 4-е поколение процесса Samsung Foundry, которое уже входит в третий год массового производства.

Samsung применила высокоплотные и сверхвысокопроизводительные устройства к базовому кристаллу HBM4E

Гу Джа-Ым, вице-президент и руководитель разработки технологий в Samsung Electronics Foundry Business, пояснил, что для достижения высокоскоростной работы на уровне 14 Гбит/с или выше к базовому кристаллу HBM4E были применены высокоплотные устройства и сверхвысокопроизводительные устройства. Слои металлизации были эффективно организованы, чтобы снизить энергопотребление, а также оптимизированы траектории отвода тепла.

Samsung подчёркивает «под ключ» с интеграцией памяти, foundry и упаковки

Samsung Electronics сделала акцент на своих возможностях «под ключ», когда память, foundry и передовая упаковка реализуются внутри компании. Структура предполагает, что Memory Business производит основные кристаллы, Foundry Business — базовые кристаллы, а организация упаковки собирает их в готовые продукты. По данным компании, это позволяет совместно оптимизировать скорость, энергопотребление, тепло и выход (yield) начиная со стадии проектирования. Samsung заявила, что при разработке базового кристалла HBM4 была сформирована междивизионная целевая группа, которая достигла целевых показателей по производительности и выходу (yield) уже на первом образце; на подготовку процесса и подтверждение результата потребовалось примерно три месяца.

Samsung начала производство 2-нм и планирует запуск 2-нм 2-го поколения для мобильных продуктов

Samsung Electronics расширяет области применения передовых литейных процессов — от мобильных устройств к ИИ, высокопроизводительным вычислениям (HPC), автопрому и робототехнике. Компания начала массовое производство своего 2-нанометрового процесса 1-го поколения во второй половине прошлого года. Во второй половине этого года она планирует начать массовое производство мобильных продуктов на основе 2-нанометрового процесса 2-го поколения с улучшенными показателями выхода (yield) и производительности. Кроме того, Samsung расширяет решения «в один конвейер» (one-stop) с привязкой передовой упаковки и HBM, а также развивает технологии на основе кремниевой фотоники и совместно упакованной оптики (CPO) для дата-центров. Опираясь на опыт работы с базовым кристаллом на 4 нанометрах, накопленный при HBM4, Samsung планирует заблаговременно применить 2-нм процесс к HBM5, чтобы укрепить лидерство в технологиях на рынке ИИ-полупроводников.

FAQ

Какой литейный процесс Samsung применит к базовому кристаллу HBM5?

Samsung Electronics объявила 27-го числа, что применит 2-нанометровый литейный процесс с затвором «вокруг канала» (Gate-All-Around, GAA) к базовому кристаллу HBM5. Компания заявила, что рабочая скорость HBM5, как ожидается, будет более чем на 50% выше, чем у HBM4E.

Когда Samsung поставила продукты HBM4 и HBM4E?

Samsung Electronics поставила первые в мире HBM4 для массового производства в феврале, а образцы HBM4E на 12 слоёв — в мае. Базовые кристаллы обоих продуктов используют 4-нм 4-е поколение процесса Samsung Foundry.

Каков производственный график Samsung для 2-нм процесса?

Samsung Electronics начала массовое производство 2-нанометрового процесса 1-го поколения во второй половине прошлого года. Компания планирует начать массовое производство мобильных продуктов на основе 2-нанометрового процесса 2-го поколения с улучшенными показателями выхода (yield) и производительности во второй половине этого года.