Цзисин Гэ управляет xLight, ведёт переговоры о привлечении 350 миллионов долларов, правительство США уже держит долю.

Как сообщает BlockTempo от 25 июня, Министерство торговли США в декабре 2025 года подписало письмо о намерениях, пообещав вложить до 150 миллионов долларов в xLight в рамках CHIPS Act и получить прямую долю в акционерном капитале. Это первая сделка с акциями нового офиса CHIPS R&D при администрации Трампа. Бывший генеральный директор Intel Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) является исполнительным председателем компании.

Минторг США подписал письмо о намерениях, получив долю в xLight

В заявлении к письму о намерениях министр торговли США отметил: «На протяжении долгого времени США уступали передовые рубежи литографии другим. При президенте Трампе эти дни закончились». С учётом федерального финансирования xLight на сегодня привлекла около 200 миллионов долларов, а также имеет необязывающие обязательства по проектному финансированию на сумму до 4,2 миллиарда долларов для будущего строительства заводов.

Венчурный фонд Playground Global, связанный с Гелсингером, в июле 2025 года возглавил раунд B на 40 миллионов долларов для xLight; текущий план привлечения 350 миллионов долларов одновременно приглашает к соинвестированию ASML, TSMC, Intel и Micron — статус участия каждой стороны пока не раскрыт. Гелсингер, проработавший в Intel десятилетиями, был одним из ключевых инициаторов принятия CHIPS Act в 2022 году.

Генеральный директор ASML публично заявил о сотрудничестве с xLight в области верификации технологии

Текущие EUV-источники ASML используют технологию «лазерно-индуцированной плазмы», при которой высокомощный лазер десятки тысяч раз в секунду бомбардирует расплавленные капли олова, заставляя их излучать EUV-свет с длиной волны 13,5 нм; новейшие установки стоят от 300 до 400 миллионов долларов. xLight использует путь «свободного электронного лазера»: небольшой ускоритель частиц разгоняет электроны до околосветовой скорости, и они проходят через чередующиеся магниты, колеблясь в магнитном поле и излучая EUV-свет — без бомбардировки капель олова.

xLight утверждает, что этот подход позволяет достичь длины волны 2 нм (против 13,5 нм у текущих установок ASML) и значительно снизить себестоимость производства передовых чипов для ИИ. Позиционирование xLight — войти в установки ASML в качестве поставщика источника света, а не прямого конкурента на уровне готовых машин. Генеральный директор ASML Фуке публично заявил: «ASML сотрудничает с xLight в области верификации технологии». xLight строит первый прототипный завод в кампусе Albany NanoTech, с целью запуска первого рабочего источника света к 2028 году — до этого ещё как минимум два года.

Эксперт по полупроводникам Фред Чен: проблемы совместимости материалов для мощного EUV с пелликлом и фоторезистом пока не имеют публичных решений

Фред Чен из полупроводникового форума SemiWiki прямо указывает на ключевое противоречие: «Более высокая мощность EUV определённо несовместима с пелликлом и, скорее всего, также станет несовместима с фоторезистом». Пелликл — это сверхтонкая защитная плёнка, наклеиваемая на фотошаблон для предотвращения попадания пыли на пластину; фоторезист — светочувствительное покрытие на пластине, отвечающее за перенос схемы. При слишком высокой мощности пелликл может прогореть, а химическая реакция фоторезиста выйти из-под контроля; оба вопроса пока не имеют публичных решений.

Бизнес-модель xLight строится на предпосылке, что «длина волны 2 нм может достичь высокой мощности при сохранении совместимости материалов» — эта предпосылка пока является заявлением, а не подтверждённым фактом.

Часто задаваемые вопросы

В чём ключевое различие между свободным электронным лазером xLight и текущей технологией ASML?

ASML использует технологию «лазерно-индуцированной плазмы», бомбардируя расплавленные капли олова лазером для излучения EUV-света с длиной волны 13,5 нм; новейшие установки стоят 300–400 миллионов долларов. xLight использует «свободный электронный лазер», ускоряя электроны через чередующиеся магниты для излучения EUV-света, заявляя о длине волны 2 нм; позиционирование — войти в установки ASML в качестве поставщика источника света, а не прямого конкурента.

Какова структура инвестиций правительства США в xLight?

Министерство торговли США в декабре 2025 года подписало письмо о намерениях, пообещав вложить до 150 миллионов долларов в xLight в рамках CHIPS Act и получить прямую долю в акционерном капитале. Это первая сделка с акциями офиса CHIPS R&D при администрации Трампа. С учётом предыдущих раундов xLight привлекла около 200 миллионов долларов, а также имеет необязывающие обязательства по проектному финансированию на сумму до 4,2 миллиарда долларов.

С какими уже выявленными вызовами в материаловедении сталкивается технология xLight?

Фред Чен с SemiWiki указывает на фундаментальное противоречие между высокой мощностью EUV и совместимостью материалов пелликла и фоторезиста; публичных решений пока нет. Ключевая предпосылка бизнес-модели xLight — что длина волны 2 нм может достичь высокой мощности при сохранении совместимости материалов — пока является заявлением, а не подтверждённым фактом; прототипный завод ожидается к 2028 году.