Em 30 de junho de 2026, a Roundhill lista oficialmente Micron, Samsung, SK Hynix, SanDisk e Kioxia como suas principais exposições. Documentos públicos mostram que Samsung Electronics, Micron e SK Hynix respondem cada uma por cerca de um quarto ou mais do portfólio do fundo, tornando-se as empresas-chave que impulsionam o desempenho do DRAM ETF.
Essas empresas não oferecem produtos idênticos. Micron, Samsung e SK Hynix concentram-se principalmente em DRAM, HBM e NAND, enquanto SanDisk e Kioxia dedicam-se a NAND flash, SSDs corporativos e armazenamento de alta capacidade. Essa diversificação permite ao fundo capturar tanto o processamento de dados de IA quanto segmentos de retenção de dados de longo prazo.
Quais empresas são principalmente cobertas pelas participações do DRAM ETF
As participações do DRAM ETF concentram-se nas maiores fabricantes globais de armazenamento, sem cobrir toda a cadeia de suprimentos de semicondutores. Conforme o prospecto do fundo, empresas elegíveis normalmente precisam obter pelo menos 50% da receita ou do lucro de HBM, DRAM, NAND, SSDs baseados em NAND, NOR, HDD ou segmentos especializados e embarcados de armazenamento.
A Roundhill exige ainda que as empresas selecionadas tenham valor de mercado mínimo de US$ 10 bilhões e volume médio diário de negociação de pelo menos US$ 5 milhões. Esses critérios garantem um portfólio composto por grandes empresas globais de armazenamento, reconhecidas e com alta liquidez.
Em 30 de junho de 2026, as principais exposições divulgadas oficialmente são as seguintes. As participações e os pesos do portfólio podem variar conforme a gestão ativa, oscilações de preço de mercado e rebalanceamentos trimestrais, não devendo ser considerados como fixos permanentemente.
| Empresa principal |
Principal foco em armazenamento |
Papel no portfólio |
| Samsung Electronics |
HBM, DRAM, NAND, SSD corporativo |
Exposição ampla a líder global em armazenamento |
| Micron Technology |
HBM, DRAM, NAND, SSD para data center |
Exposição pura a armazenamento listado nos EUA |
| SK Hynix |
HBM, DRAM, NAND |
Exposição focada em memória AI de alta largura de banda e servidores |
| SanDisk |
NAND, SSD corporativo e de consumo |
Expande a cobertura de memória flash e armazenamento de alta capacidade |
| Kioxia Holdings |
NAND, BiCS FLASH, SSD corporativo |
Exposição japonesa a flash e armazenamento AI |
O portfólio não adota pesos iguais. O DRAM ETF utiliza uma metodologia de ponderação modificada por capitalização de mercado, considerando participação de mercado em armazenamento e proporção de receita de armazenamento, de modo que empresas de maior porte e concentração no setor recebem pesos superiores.
O papel da Micron no DRAM ETF
A Micron é a principal empresa de armazenamento listada nos EUA e fornecedora multiproduto de memória do DRAM ETF. Seu portfólio abrange HBM, DRAM tradicional, NAND e armazenamento para data center, suprindo demandas de memória para aceleradores de IA, sistemas de servidores e armazenamento de longo prazo.
Em infraestrutura de IA, os produtos HBM da Micron são usados para fornecer dados de alta largura de banda de forma contínua para GPUs e outros aceleradores. A empresa também oferece DDR, LPDDR, NAND e SSDs para data center, sustentando diferentes níveis do pipeline de dados de IA, não dependendo apenas de HBM.
A Micron é ainda um componente central do DRAM ETF, acessível diretamente pelo mercado de ações dos EUA. Diferente de Samsung e SK Hynix, negociadas principalmente na Ásia, a Micron oferece exposição direta em dólares americanos e listagem nos EUA, equilibrando o portfólio global.
Segundo dados da Roundhill de 30 de junho de 2026, o peso da Micron é de aproximadamente 24,82%, figurando entre as três maiores participações do fundo. Assim, o preço das ações e o desempenho operacional da Micron podem impactar significativamente o NAV e o preço de mercado do DRAM ETF.
Como Samsung Electronics e SK Hynix oferecem exposição a HBM e DRAM
Samsung Electronics e SK Hynix são as principais portas de entrada do DRAM ETF para o setor de memória coreano. Ambas oferecem DRAM, HBM e NAND, mas a Samsung tem um portfólio mais diversificado, enquanto a SK Hynix é mais focada em semicondutores de memória, resultando em diferentes sensibilidades ao ciclo de armazenamento.
No DRAM ETF, a Samsung Electronics proporciona ampla exposição ao setor de memória. Suas ofertas incluem DRAM para servidores, HBM, NAND e SSDs corporativos, e, em 2026, avança na comercialização do HBM4 e implantação do HBM4E, posicionando suas participações para refletir tanto a demanda tradicional quanto a avançada por memória de IA.
A SK Hynix oferece exposição altamente focada em HBM e DRAM. A empresa se posiciona como fornecedora de DRAM e NAND, expandindo continuamente as linhas de HBM, AI-DRAM e AI-NAND, tornando seu desempenho diretamente ligado a servidores de IA, computação de alto desempenho e ciclos de preços de armazenamento.
| Fator de comparação |
Samsung Electronics |
SK Hynix |
| Principais produtos de memória |
HBM, DRAM, NAND, SSD |
HBM, DRAM, NAND |
| Escopo de negócios |
Semicondutores, eletrônicos de consumo, displays, etc. |
Foco central em semicondutores de armazenamento |
| Papel na indústria de IA |
Cobertura ampla de HBM, memória para servidores, NAND |
Maior sensibilidade à demanda por HBM e memória AI |
| Valor para o fundo |
Exposição tecnológica ampla de grande capitalização |
Exposição pura à indústria de armazenamento |
| Principais variáveis de impacto |
Fatores de negócios em armazenamento e fora dele |
Expansão de HBM, ciclos de DRAM/NAND, capacidade |
| Atributo regional |
Listada na Coreia |
Listada na Coreia |
Em 30 de junho de 2026, a Roundhill reporta Samsung Electronics com peso de 25,55% e SK Hynix com 23,60%. Juntas, são parcela relevante do fundo, de modo que dinâmicas do mercado coreano, taxas de câmbio do KRW e horários locais de negociação também afetam o valor e a negociação do DRAM ETF.
Como Kioxia, SanDisk e SSDs corporativos complementam o segmento NAND
Kioxia e SanDisk proporcionam ao DRAM ETF exposição direcionada a NAND flash e SSDs corporativos. Diferentemente de Micron, Samsung e SK Hynix, que abrangem HBM e DRAM, essas duas empresas são mais voltadas ao armazenamento não volátil, ampliando a cobertura para preservação de dados de longo prazo, SSDs para data center e flash de alta capacidade.
A Kioxia é especializada em memória flash e SSDs, com foco em BiCS FLASH e tecnologias 3D NAND. A empresa atua nos mercados de armazenamento para data centers e empresas, desenvolvendo SSDs de alta largura de banda, alto IOPS e alta capacidade para IA e processamento de dados corporativos.
A SanDisk atende ao ciclo de dados de IA com SSDs corporativos, plataformas NAND e produtos NVMe de alta capacidade. Suas soluções de armazenamento corporativo abrangem coleta de dados, treinamento de modelos, checkpointing e armazenamento de dados para inferência, oferecendo ao fundo exposição a armazenamento persistente, distinta do HBM de curto prazo.
Kioxia e SanDisk também colaboram em tecnologia e fabricação de flash 3D. Desenvolvem juntas a próxima geração de NAND e iniciarão a produção de flash 3D avançado em 2026. Assim, embora sejam participações independentes, suas capacidades tecnológicas e de cadeia de suprimentos são integradas.
Como empresas globais de armazenamento criam uma estrutura de portfólio diversificada
O DRAM ETF obtém exposição cruzada ao setor de memória ao combinar empresas dos EUA, Coreia e Japão. Micron representa os EUA, Samsung e SK Hynix oferecem exposição coreana a HBM e DRAM, e Kioxia e SanDisk reforçam as cadeias globais e japonesas de NAND e SSD.
Essa distribuição geográfica reduz a dependência de um país ou mercado, mas não implica alta diversificação. O prospecto do fundo classifica o DRAM ETF como não diversificado, informando que o portfólio terá forte concentração em emissores asiáticos e coreanos, então um número reduzido de empresas, países ou eventos pode impactar o fundo.
A diversificação do fundo está mais relacionada aos tipos de produtos e mercados de listagem, não à quantidade de componentes. As principais participações são:
- HBM e DRAM avançada: SK Hynix, Samsung, Micron
- DRAM tradicional para servidores: Micron, Samsung, SK Hynix
- NAND e SSD corporativo: Kioxia, SanDisk, Samsung, Micron
- Tecnologia diversificada: Samsung Electronics
- Armazenamento listado nos EUA: Micron, SanDisk
Essa estrutura permite ao DRAM ETF cobrir memória para aceleradores de IA, memória de sistemas de servidores e armazenamento de longo prazo. Contudo, devido à alta concentração, as três maiores empresas ainda podem responder pela maior parte do peso do portfólio.
Como ajustes de portfólio e rebalanceamento trimestral impactam o DRAM ETF
Ajustes de portfólio e rebalanceamentos trimestrais determinam como o DRAM ETF realoca exposições à medida que o setor evolui. O gestor do fundo utiliza metodologia própria para ajustar o portfólio ao menos trimestralmente, recalculando os pesos das empresas com base em capitalização de mercado modificada, participação de mercado em armazenamento e proporção de receita de armazenamento.
O peso de cada empresa é geralmente limitado a 25%, mas oscilações de mercado podem fazer com que as participações excedam ou fiquem abaixo desse limite entre rebalanceamentos. As participações publicadas pela Roundhill também agregam posições diretas em ações e exposições via swaps de retorno total, de modo que os pesos divulgados podem não coincidir exatamente com o número real de ações do fundo.
O rebalanceamento pode alterar a estrutura do fundo de três maneiras: (1) se o valor de mercado ou participação em armazenamento de uma empresa aumentar, seu peso-alvo pode crescer; (2) se a proporção de receita de armazenamento cair ou os critérios de elegibilidade não forem mais atendidos, as participações podem ser reduzidas; (3) empresas de armazenamento recém-listadas ou mais líquidas podem ser incluídas no portfólio.
A gestão ativa permite ao fundo adaptar-se às mudanças nos setores de HBM, DRAM e NAND, mas também introduz risco de julgamento do gestor. Se o gestor errar na avaliação dos ciclos de produto, competitividade das empresas ou alocação, o DRAM ETF pode ter desempenho inferior a outros índices de armazenamento ou semicondutores.
Resumo
As principais participações do DRAM ETF são líderes globais em armazenamento: Micron, Samsung Electronics, SK Hynix, SanDisk e Kioxia. As três primeiras oferecem exposição central a HBM, DRAM e NAND, enquanto as duas últimas complementam com memória flash e SSDs corporativos, permitindo ao fundo cobrir desde memória para aceleradores de IA até armazenamento de dados de longo prazo.
O fundo gerencia suas participações por meio de triagem ativa, ponderação modificada por capitalização de mercado e rebalanceamento trimestral, estabelecendo exposição via ações diretas, recibos de depósito e swaps de retorno total. Embora o portfólio abranja EUA, Coreia e Japão, os pesos permanecem concentrados em poucas grandes fabricantes de armazenamento, de modo que o desempenho das empresas centrais impacta significativamente o DRAM ETF.
Perguntas Frequentes
Quais empresas são atualmente as principais participações do DRAM ETF?
Em 30 de junho de 2026, as principais exposições são Samsung Electronics, Micron, SK Hynix, SanDisk e Kioxia. As participações e pesos reais estão sujeitos a ajustes contínuos.
Quais são as três maiores participações do DRAM ETF?
Divulgações oficiais mostram Samsung Electronics, Micron e SK Hynix como os três principais componentes, representando juntos a maior parte da exposição do fundo a HBM, DRAM e NAND.
Por que a Micron tem grande peso no DRAM ETF?
A Micron cobre HBM, DRAM, NAND e SSDs para data center, sendo uma das principais empresas de armazenamento listadas nos EUA, o que resulta em alta concentração de negócios e liquidez.
Por que a Samsung Electronics é uma participação central do DRAM ETF?
A Samsung Electronics atua em HBM, DRAM para servidores, NAND e SSDs corporativos, oferecendo ao fundo exposição abrangente a múltiplos segmentos de armazenamento.
Qual o papel de Kioxia e SanDisk no fundo?
Kioxia e SanDisk oferecem principalmente exposição a NAND, memória flash e SSDs corporativos, complementando os negócios de HBM e DRAM de Micron, Samsung e SK Hynix.
Com que frequência o DRAM ETF rebalanceia suas participações?
O DRAM ETF faz rebalanceamento ao menos trimestralmente, com o gestor ajustando os pesos do portfólio com base em capitalização de mercado, participação no negócio de armazenamento, participação de mercado e liquidez.
