[Exclusive] Samsung、HBM4Eで70%の歩留まりを達成…HBM覇権へ全力推進

Samsung Electronicsは、世界初の第6世代高帯域幅メモリ（HBM4）の量産に続き、HBM4E（第7世代）および次世代DRAMの開発でも目に見える成果を上げつつある。Samsung Electronicsの最高技術責任者（CTO）兼半導体研究センター長であるSong Jai Hyuk氏は、最近の内部経営ブリーフィングで、HBM4Eの信頼性テスト歩留まり（良品率）が70%超の水準に上昇し、次世代10ナノメートルクラスの第7世代（D1d）DRAMプロセスが競合他社に対して優位性を確保したと述べた。これに基づき、Samsung Electronicsは次世代AIメモリの競争力強化に向けた取り組みをさらに加速するとみられる。
半導体業界によると、Song氏は6月30日に開催されたDevice Solutions（DS）部門の内部経営ブリーフィングで、「HBM4Eの信頼性テスト歩留まりが70%超の水準に上昇した」と述べたとされる。業界では一般的に、歩留まり80%以上を「成熟歩留まり」段階とみなし、プロセスが安定したと判断する。HBM4Eがまだ信頼性テスト段階にあることを考慮すると、70%超という水準は開発が安定域に入りつつあることを示す指標と捉えられている。
Samsung Electronicsは今年2月、業界で初めてHBM4の量産出荷を開始し、5月29日には12層HBM4E製品の詳細な技術仕様を公開し、主要顧客にサンプルを出荷した。HBM4は、Nvidiaが今年下半期に発売予定のAIアクセラレータ「Vera Rubin」に搭載され、その後継であるHBM4Eは、Nvidiaが来年発売を計画する「Vera Rubin Ultra」などの次世代AIアクセラレータに搭載される予定だ。業界では、主要顧客によるサンプル評価が進むにつれて、量産に向けた開発が順調に進んでいるとみている。
次世代DRAMプロセスの開発も順調に進んでいるという。Song氏は、D1dプロセス技術の競争力が競合に先行していると評価し、11月の生産承認（PRA）を目標に開発を進めていると説明した。PRAは、製品出荷前に行われる最終社内品質評価段階である。歩留まり、性能、生産性を総合的に検証し、量産が可能かどうかを判断する手続きであり、これを通過すれば量産体制への本格移行が可能となる。
特にD1dは、Samsung Electronicsが次世代HBM5（第8世代）から適用を計画している中核DRAMプロセスである。業界では、D1dの開発が計画通り進めば、次世代DRAMだけでなくHBM5以降の製品の競争力にもプラスの効果をもたらすと期待している。このようにHBM4Eの開発成果とD1dプロセスの安定化が相まって、次世代AIメモリ競争におけるSamsung Electronicsの技術競争力はさらに強化されるという見方が強まっている。
一方、このブリーフィング後、研究開発（R&D）組織内では、研究開発担当者の役割と報酬体系に関する不満も表面化している。メンバーからは、R&D組織の貢献がより積極的に評価されるべきだとの意見が出ているという。先日、Samsung Electronicsの労使は、事業実績（営業利益）の10.5%を原資とするDS部門向け「特別経営実績ボーナス」の創設で合意した。しかし、同じDS部門内でも、メモリ事業と研究センターを含む共通部門、および非メモリ（System LSI・ファウンドリ）事業部門との間でボーナス格差が大きく、報酬体系の改善を求める声が高まっている。