ZDNETによると、韓国SKハイニックスは7月14日、ヨンサン半導体クラスター内のY1ウェハーファブにおいて、Y1ファブの第1フェーズ・クリーンルーム向けの設備調達を開始した。当初の計画では、月あたり20,000枚の1c DRAM生産能力を追加する予定。
Y1ファブの第1フェーズ・クリーンルームの立ち上げは、当初予定されていた2027年5月から前倒しされ、2027年2月に変更された。同社はそれまでにパイロット生産ラインの建設を開始し、3月から4月にかけて正式な設備設置を行う計画だ。生産ラインは、DDRおよびLPDDR製品を含む高付加価値のAI用途向けに、第6世代の10ナノメートル級1c DRAMに注力し、HBM4Eは早ければ2027年から供給する計画としている。
