サムスン電子DS部門のCTOソン・ジェヒョク氏によると、HBM4Eの信頼性テストの歩留まりは6月30日時点で70%を超え、開発は安定段階に入った。2月にHBM4の量産を開始した同社は、次世代のD1d DRAMプロセス技術を進めており、11月に生産準備承認を得ることを目標としている。D1dはサムスンのHBM5およびそれ以降の製品に適用される予定である。
免責事項：本ページの情報には第三者提供の内容が含まれる場合があり、参考目的のみで提供されています。これらはGateの見解や意見を示すものではなく、金融、投資、または法律上の助言を構成するものでもありません。暗号資産取引には高いリスクが伴います。意思決定を行う際には、本ページの情報のみに依存しないでください。詳細については、
免責事項をご確認ください。
