A 30 de junio de 2026, Roundhill incluye oficialmente a Micron, Samsung, SK Hynix, SanDisk y Kioxia como sus principales exposiciones. Documentos públicos muestran que Samsung Electronics, Micron y SK Hynix representan cerca o más de una cuarta parte de la cartera del fondo cada uno, convirtiéndolos en las empresas clave que impulsan el rendimiento del DRAM ETF.
Estas empresas no ofrecen productos idénticos. Micron, Samsung y SK Hynix se enfocan principalmente en DRAM, HBM y NAND, mientras que SanDisk y Kioxia se especializan en NAND flash, SSD empresariales y almacenamiento de alta capacidad. Esta diversificación permite al fondo capturar tanto el segmento de procesamiento de datos de IA como el de retención de datos a largo plazo.
Qué empresas cubren principalmente las tenencias del DRAM ETF
Las tenencias del DRAM ETF se concentran en los principales fabricantes de almacenamiento a nivel mundial, en vez de abarcar toda la cadena de suministro de semiconductores. Según el prospecto del fondo, las empresas elegibles deben obtener al menos el 50 % de sus ingresos o ganancias de HBM, DRAM, NAND, SSD basados en NAND, NOR, HDD o negocios de almacenamiento especializado y embebido.
Roundhill exige además que las empresas seleccionadas tengan una capitalización de mercado mínima de 10 000 millones de dólares y un volumen promedio de negociación diaria de al menos 5 millones de dólares. Estos criterios garantizan que la cartera esté orientada hacia empresas de almacenamiento de gran escala, reconocidas globalmente y con fuerte liquidez.
A 30 de junio de 2026, las exposiciones clave oficialmente divulgadas son las siguientes. Las tenencias y ponderaciones de la cartera pueden variar debido a gestión activa, fluctuaciones del precio de mercado y rebalanceo trimestral, y no deben interpretarse como fijas de manera permanente.
| Empresa principal |
Enfoque principal de almacenamiento |
Rol en la cartera |
| Samsung Electronics |
HBM, DRAM, NAND, SSD empresarial |
Exposición líder global de almacenamiento |
| Micron Technology |
HBM, DRAM, NAND, SSD para centros de datos |
Exposición pura de almacenamiento listado en EE. UU. |
| SK Hynix |
HBM, DRAM, NAND |
Exposición focalizada en memoria de alto ancho de banda y servidores IA |
| SanDisk |
NAND, SSD empresarial y de consumo |
Amplía cobertura de memoria flash y almacenamiento de alta capacidad |
| Kioxia Holdings |
NAND, BiCS FLASH, SSD empresarial |
Exposición japonesa de memoria flash y almacenamiento IA |
La cartera no sigue un modelo de igual ponderación. El DRAM ETF utiliza una metodología de ponderación modificada por capitalización de mercado, considerando tanto la cuota de mercado de almacenamiento como la proporción de ingresos por almacenamiento, de modo que las empresas de mayor escala y concentración suelen recibir mayor peso.
Rol de Micron en el DRAM ETF
Micron es la principal empresa de almacenamiento listada en EE. UU. y proveedor multiproducto de memoria dentro del DRAM ETF. Su gama de productos abarca HBM, DRAM tradicional, NAND y almacenamiento para centros de datos, permitiéndole atender memoria para aceleradores de IA, sistemas de servidores y necesidades de almacenamiento a largo plazo.
En infraestructura de IA, los productos HBM de Micron se emplean principalmente para suministrar datos de alto ancho de banda sostenido a GPU y otros aceleradores. La empresa también ofrece DDR, LPDDR, NAND y SSD para centros de datos, por lo que su negocio no depende únicamente de HBM, sino que soporta varios niveles del flujo de datos de IA.
Micron es también un componente central del DRAM ETF directamente accesible a través de los mercados de renta variable de EE. UU. A diferencia de Samsung y SK Hynix, que cotizan principalmente en Asia, Micron ofrece al fondo exposición directa en dólares estadounidenses y en mercados estadounidenses, contribuyendo al equilibrio global de la cartera.
Según los datos de Roundhill al 30 de junio de 2026, el peso de Micron es aproximadamente 24,82 %, situándose entre las tres principales tenencias del fondo. Por lo tanto, el precio de sus acciones y su desempeño operativo pueden impactar significativamente el valor neto de los activos (NAV) y el precio de mercado del DRAM ETF.
Cómo Samsung Electronics y SK Hynix proporcionan exposición a HBM y DRAM
Samsung Electronics y SK Hynix son las principales puertas de entrada del DRAM ETF a la industria de memoria coreana. Ambas empresas ofrecen DRAM, HBM y NAND, pero Samsung presenta una mezcla de negocios más diversificada, mientras que SK Hynix está más enfocada en semiconductores de memoria, lo que genera diferentes sensibilidades al ciclo de almacenamiento.
Dentro del DRAM ETF, Samsung Electronics brinda exposición general a la industria de memoria. Sus productos incluyen DRAM para servidores, HBM, NAND y SSD empresariales, y en 2026 está avanzando en la comercialización de HBM4 y el despliegue de productos HBM4E, posicionando sus tenencias para reflejar tanto la demanda tradicional como la avanzada de memoria IA.
SK Hynix ofrece una exposición altamente focalizada en HBM y DRAM. La empresa se posiciona como proveedor de DRAM y NAND, expandiendo continuamente sus líneas de productos HBM, AI-DRAM y AI-NAND, lo que vincula su desempeño directamente a servidores IA, computación de alto rendimiento y ciclos de precios de almacenamiento.
| Factor de comparación |
Samsung Electronics |
SK Hynix |
| Productos principales |
HBM, DRAM, NAND, SSD |
HBM, DRAM, NAND |
| Alcance de negocio |
Semiconductores, electrónica de consumo, pantallas, etc. |
Enfoque principal en semiconductores de almacenamiento |
| Rol en la industria IA |
Cobertura amplia de HBM, memoria de servidores, NAND |
Mayor sensibilidad a demanda de HBM y memoria IA |
| Valor para el fondo |
Exposición tecnológica integral de gran capitalización |
Exposición pura a la industria de almacenamiento |
| Variables clave de impacto |
Impulsores de negocio de almacenamiento y no almacenamiento |
Expansión HBM, ciclos DRAM/NAND, capacidad |
| Atributo regional |
Cotiza en Corea |
Cotiza en Corea |
A 30 de junio de 2026, Roundhill reporta un peso de 25,55 % para Samsung Electronics y 23,60 % para SK Hynix. Juntas, representan una parte significativa del fondo, por lo que la dinámica del mercado coreano, los tipos de cambio KRW y los horarios de negociación locales también pueden influir en la valoración y negociación del DRAM ETF.
Cómo Kioxia, SanDisk y los SSD empresariales complementan el segmento NAND
Kioxia y SanDisk proporcionan al DRAM ETF exposición específica a NAND flash y SSD empresariales. A diferencia de Micron, Samsung y SK Hynix, que cubren tanto HBM como DRAM, estas dos empresas se enfocan más en almacenamiento no volátil, añadiendo cobertura para la preservación de datos a largo plazo, SSD para centros de datos y memoria flash de alta capacidad.
Kioxia se especializa en memoria flash y SSD, con un enfoque prolongado en BiCS FLASH y otras tecnologías NAND 3D. La empresa apunta a mercados de almacenamiento empresarial y de centros de datos, impulsando SSD de alto ancho de banda, alta IOPS y gran capacidad para soportar inferencia IA y procesamiento de datos empresariales.
SanDisk aborda el ciclo de datos IA mediante SSD empresariales, plataformas NAND y productos NVMe de alta capacidad. Sus soluciones de almacenamiento empresarial abarcan recopilación de datos, entrenamiento de modelos, checkpointing y almacenamiento de datos de inferencia, ofreciendo al fondo exposición a almacenamiento persistente distinto del HBM a corto plazo.
Kioxia y SanDisk colaboran también en tecnología flash 3D y fabricación. Desarrollan conjuntamente la próxima generación de NAND y comenzarán la producción de flash 3D avanzada en 2026. Así, aunque son tenencias independientes, sus capacidades tecnológicas y de cadena de suministro están interconectadas.
Cómo las empresas globales de almacenamiento crean una estructura de cartera diversificada
El DRAM ETF logra exposición cruzada al sector de memoria combinando empresas de EE. UU., Corea y Japón. Micron representa a EE. UU., Samsung y SK Hynix brindan exposición coreana a HBM y DRAM, y Kioxia y SanDisk refuerzan las cadenas de suministro de NAND y SSD japonesas y globales.
Esta distribución geográfica reduce la dependencia de un solo país o mercado de valores, pero no equivale a alta diversificación. El prospecto del fondo clasifica explícitamente al DRAM ETF como un fondo no diversificado, señalando que la cartera estará fuertemente invertida en emisores asiáticos y coreanos, por lo que un pequeño número de empresas, países o eventos de la industria puede impactar significativamente el fondo.
La diversificación dentro del fondo se refleja principalmente en los tipos de productos y lugares de cotización, no en el número de componentes. Las tenencias principales se distribuyen así:
- HBM y DRAM avanzado: SK Hynix, Samsung, Micron
- DRAM tradicional para servidores: Micron, Samsung, SK Hynix
- NAND y SSD empresariales: Kioxia, SanDisk, Samsung, Micron
- Tecnología diversificada: Samsung Electronics
- Almacenamiento listado en EE. UU.: Micron, SanDisk
Esta estructura permite al DRAM ETF cubrir memoria para aceleradores IA, memoria de sistemas de servidores y necesidades de almacenamiento a largo plazo. Sin embargo, debido a la alta concentración sectorial, las tres principales empresas pueden representar la mayoría del peso de la cartera.
Cómo afectan los ajustes de cartera y el rebalanceo trimestral al DRAM ETF
Los ajustes de cartera y el rebalanceo trimestral determinan cómo el DRAM ETF reasigna exposiciones conforme evoluciona la industria. El gestor del fondo utiliza una metodología propia para ajustar la cartera al menos trimestralmente, recalculando los pesos de las empresas según capitalización de mercado modificada, cuota de mercado de almacenamiento y proporción de ingresos por almacenamiento.
El peso de una sola empresa suele estar limitado al 25 %, pero los movimientos reales del mercado pueden hacer que las tenencias superen o queden por debajo de este objetivo temporalmente entre fechas de rebalanceo. Las tenencias publicadas por Roundhill también agregan posiciones directas en acciones y exposiciones de swaps de rentabilidad total, por lo que los pesos divulgados pueden no coincidir exactamente con el número real de acciones del fondo.
El rebalanceo puede modificar la estructura del fondo de tres maneras: (1) si la capitalización de mercado o la cuota de almacenamiento de una empresa aumentan, su peso objetivo puede subir; (2) si la proporción de ingresos por almacenamiento disminuye o ya no cumple los criterios de selección, las tenencias pueden reducirse; (3) empresas de almacenamiento recién listadas o con mayor liquidez pueden añadirse a la cartera.
La gestión activa permite al fondo adaptarse a cambios en las industrias de HBM, DRAM y NAND, pero también introduce riesgo de juicio del gestor. Si el gestor interpreta erróneamente los ciclos de producto, la competitividad de las empresas o la asignación, el DRAM ETF puede tener un rendimiento inferior al de otros índices de almacenamiento o semiconductores generales.
Resumen
Las tenencias principales del DRAM ETF incluyen a las principales empresas globales de almacenamiento: Micron, Samsung Electronics, SK Hynix, SanDisk y Kioxia. Las tres primeras ofrecen exposición principal a HBM, DRAM y NAND, mientras que las dos últimas complementan con memoria flash y SSD empresariales, permitiendo al fondo cubrir todo el espectro desde memoria para aceleradores IA hasta almacenamiento de datos a largo plazo.
El fondo gestiona sus tenencias mediante selección activa, ponderación modificada por capitalización de mercado y rebalanceo trimestral, estableciendo exposición a través de acciones directas, recibos depositarios y swaps de rentabilidad total. Aunque la cartera abarca EE. UU., Corea y Japón, los pesos siguen concentrados en pocos fabricantes de almacenamiento de gran escala, por lo que el desempeño de las empresas principales tiene un impacto significativo en el DRAM ETF.
Preguntas frecuentes
¿Cuáles son actualmente las principales tenencias del DRAM ETF?
A 30 de junio de 2026, las principales exposiciones son Samsung Electronics, Micron, SK Hynix, SanDisk y Kioxia. Las tenencias y ponderaciones reales están sujetas a ajustes continuos.
¿Cuáles son las tres mayores tenencias del DRAM ETF?
Las divulgaciones oficiales muestran a Samsung Electronics, Micron y SK Hynix como los tres componentes principales, que juntos representan la mayor parte de la exposición del fondo a HBM, DRAM y NAND.
¿Por qué Micron tiene un peso elevado en el DRAM ETF?
Micron cubre HBM, DRAM, NAND y SSD para centros de datos, y es una empresa líder de almacenamiento listada en EE. UU., lo que resulta en alta concentración de negocio y liquidez.
¿Por qué Samsung Electronics es una tenencia central del DRAM ETF?
Samsung Electronics opera negocios de HBM, DRAM para servidores, NAND y SSD empresariales, proporcionando al fondo una exposición integral a múltiples segmentos de almacenamiento.
¿Cuál es el rol de Kioxia y SanDisk en el fondo?
Kioxia y SanDisk proporcionan principalmente exposición a NAND, memoria flash y SSD empresariales, complementando los negocios de HBM y DRAM de Micron, Samsung y SK Hynix.
¿Con qué frecuencia rebalancea el DRAM ETF sus tenencias?
El DRAM ETF rebalancea al menos trimestralmente, con el gestor ajustando los pesos de la cartera según capitalización de mercado, cuota de negocio de almacenamiento, cuota de mercado y liquidez.
