Samsung führt im Q1 den globalen DRAM- und NAND-Umsatz an; SK Hynix führt bei HBM mit 58%

Laut Counterpoint Research hielt Samsung Electronics im ersten Quartal 2026 einen Anteil von 38% am weltweiten DRAM-Umsatz, vor SK Hynix mit 29% und Micron mit 22%. Bei hochbandbreitigem Speicher (HBM) dominierte SK Hynix mit 58%, während Samsung und Micron jeweils 21% für sich beanspruchten. Samsung führte auch bei NAND-Flash mit 29%, gefolgt von SK Hynix mit 18% und dem chinesischen Unternehmen YMTC, das von 8% auf 13% kletterte.

Der DRAM-Markt wuchs im Quartalsvergleich um 80% und im Jahresvergleich um 260%, während NAND im Quartalsvergleich um 90% zulegte, angetrieben von höheren Preisen, KI-Server-Nachfrage und der Verlagerung der Anbieter hin zu HBM, DDR5 und Enterprise-Speicher.