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Kioxia beginnt mit der Auslieferung von 332-Layer-NAND-Flash an KI-Rechenzentren, 59 % dichter als die vorherige Generation.

GateNews
Laut The Japan Times hat der japanische Chip-Hersteller Kioxia damit begonnen, Muster seines 332-Lagen-3D-NAND-Flash-Speichers der zehnten Generation an Betreiber von KI-Rechenzentren zu verschicken. Der neue Chip bietet eine um 59 % höhere Bitdichte als das Produkt der achten Generation und erreicht Geschwindigkeiten von 4,8 Gb/s, etwa 33 % schneller als die Vorgängergeneration, während der Stromverbrauch bei der Eingabe um 10 % und bei der Ausgabe um 34 % gesenkt wird. Die Produktion wird schrittweise im Kitakami-Werk von Kioxia in der Präfektur Iwate hochgefahren, mit nennenswerten Auslieferungen wird in der ersten Hälfte des Jahres 2026 gerechnet.
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