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Chinas CXMT testet gebondete DRAM-Linie ohne EUV, angeblich vor Samsung und SK Hynix

2026-07-05 09:30:59

Laut südkoreanischen Medienberichten testet Chinas CXMT in Hefei eine gebondete DRAM-Produktionslinie, die EUV-Lithografie umgeht, indem sie ausschließlich Tiefultraviolett-Belichtungstechnologie (DUV) verwendet. Bonded DRAM trennt Speicherarrays und Peripherieschaltungen auf verschiedene Wafer, bevor sie zusammengebondet werden, und ermöglicht so eine ultrahochdichte Produktion ohne EUV-Anlagen. Südkoreanische Einschätzungen deuten darauf hin, dass CXMT sowohl in technologischer Leistungsfähigkeit als auch Entwicklungsgeschwindigkeit führend sein könnte – vor Samsung Electronics und SK Hynix, die ähnliche Technologien unter Samsungs Projekt „B1b“ und SK Hynix‘ parallelen Bemühungen entwickeln.

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