市场研究机构 SigmaIntell 最新预测指出，全球 DRAM 价格虽持续上涨，但涨幅将在 2026 年 Q2 至下半年明显放缓至 30% 至 50%。在 AI 需求强劲与消费电子走弱的现状下，DRAM 市场正出现结构性重组，供需缺口持续扩大。
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Q2 涨幅将收窄至 30% 至 50%，下半年高位趋稳
根据韩媒引述 SigmaIntell 报告指出，全球 DRAM 平均价格涨幅，预计将从 2026 年第一季的 70%，放缓至第二季的 30% 至 50% 左右。
2025Q1 至 2026Q2 主流 DRAM 合约价季增率走势 (%)
该机构分析师表示，DRAM 价格在 Q2 仍将延续上涨趋势，但各产品线的涨幅将出现明显分化：“DDR4 的涨幅将显著收窄，而 DDR5 与 LPDDR5X 则仍具备进一步上涨的空间。”
进入 2026 年下半年，SigmaIntell 预计涨幅将进一步缩减至 5% 至 20%，年底前价格有望在高位趋于稳定。
分析师将此归因于三项关键因素：DRAM 制造商产能分配逐渐稳定、AI 服务器与云端服务业者 (CSP) 紧急囤货需求逐步消退，以及市场恐慌性抢购情绪的缓和。同时，随着消费电子与 IT 产品需求走软，DRAM 供给短缺的压力也将在一定程度上获得舒缓。
AI 需求爆发带动超级周期，供需格局从过剩转为紧缺
从更宏观的供需结构来看，SigmaIntell 预测，全球 DRAM 供需平衡将从 2025 年的供过于求 8%，转为 2026 年的供不应求 12%。这波始于 2025 年下半年、由 AI 驱动的 DRAM 超级周期，预计将延续至 2026 年全年。
2025 – 2026 年全球 DRAM 需求结构预测：需求重心从消费电子转向 AI 服务器
需求端呈现明显的两极分化。AI 服务器 DRAM 需求预计年增高达 105%，传统服务器 DRAM 需求成长则仅约 3%。
在高带宽存储 (HBM) 方面，SigmaIntell 预计其占全球 DRAM 晶圆产能的比例今年将突破 20%，HBM bit 需求亦预计年增 110%。随着 HBM4 今年进入量产爬坡阶段，HBM 持续扩张的产能占比，将进一步压缩 DDR 产品的可用产能空间。
消费电子需求走弱，低阶产品首当其冲
相较于 AI 端的强劲成长，消费电子与 IT 产品的 DRAM 需求则预计出现年减，其占整体 DRAM bit 消耗的比例将从 2025 年的 54%，下滑至 2026 年的 42%。需求降幅最为明显的品类，预计集中于低价 PC、低阶智能手机及 IoT 装置。
从合约价格走势来看，服务器 DRAM 合约价至 2026 年 Q1 末，已较 2025 年 Q2 上涨 3 至 4 倍，其中 DDR4 涨约 4 倍、DDR5 涨约 3.5 倍；消费电子与 IT 产品 DRAM 则因供给短缺从 2025 年 Q4 才开始发酵，至 Q1 末涨幅相对较低，约为 2 至 2.5 倍。
存储等零部件的成本压力，已逐步转嫁至终端产品售价，而售价上涨恐将进一步抑制低阶产品需求，形成需求下行的恶性循环。SigmaIntell 对此警告，消费电子与 IT 业者将难以继续全面覆盖所有市场与产品线，必须做出明确的策略取舍。
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