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如何參與:
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活動時間:2026 年 2 月 12 日 18:00 – 2 月 24 日 24:00(UTC+8)
詳情:https://www.gate.com/announcements/article/49849
【$FET 信號】1H筑底反彈,負費率轧空博弈
$FET 1H級別在0.170附近形成雙底結構,價格已站上1H EMA20(0.1734),短線動量正在修復。4H級別仍處於下降通道內的震盪,但負費率(-0.0358%)結合穩定持倉量(OI Stable),存在轧空反彈的短線機會。盘口買盤深度在0.172-0.173區間異常厚實,顯示主力護盤意圖,拒絕深跌。
🎯方向:做多 (Long)
🎯入場/掛單:0.1735 - 0.1740 (理由:1H EMA20支撐區,站穩即確認短線多頭結構)
🛑止損:0.1690 (理由:跌破4H級別前低0.1683及雙底結構)
🚀目標1:0.1780 (理由:4H級別前一個震盪平台下沿阻力)
🚀目標2:0.1815 (理由:4H級別EMA20及近期高點阻力位)
🛡️交易管理:
- 仓位建议:轻仓 (理由:4H趨勢未完全逆轉,屬於逆勢反彈博弈)
- 執行策略:價格到達0.1780(目標1)後,減倉50%鎖定利潤,並將剩餘倉位止損上移至入場價0.1735。若價格強勢突破0.1780,可持有剩餘倉位看向0.1815。
深度邏輯:價格下跌但持倉量穩定,並非主力出貨,更像是多頭被動平倉。負費率持續,空頭需支付成本,一旦價格反彈容易引發空頭平倉踩踏。1H RSI(51.74)已脫離弱勢區,買盤深度失衡達14.77%,下方支撐密集。關鍵看能否站穩0.1740並放量,這是短線多空分水嶺。
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