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Samsung Electronics acelera o desenvolvimento da próxima geração de memória de alta largura de banda Os primeiros HBM4E serão produzidos em maio
A Samsung Electronics está a impulsionar totalmente o progresso do desenvolvimento do seu produto de memória de alta largura de banda (HBM) de próxima geração, procurando consolidar ainda mais a sua vantagem no mercado de memória de inteligência artificial de alta gama. Segundo relatos, a Samsung Electronics planeja produzir os primeiros exemplares de HBM4E compatíveis com os padrões da Nvidia já em maio de 2026. Fontes do setor revelaram que a Samsung possui um cronograma claro e compacto. O seu objetivo é, até meados do próximo mês, fazer com que o departamento de foundry produza com sucesso amostras do chip lógico central do HBM4E.