東芝、U-MOS11-Hプロセスを採用した80V NチャネルパワーMOSFET TPM1R408RHを発表

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東芝、U-MOS11-Hプロセス採用の80V NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を発表
据金十数据,东芝于6月30日宣布推出TPM1R408RH,这是一款采用其最新一代U-MOS11-H工艺技术制造的80V N沟道功率MOSFET。 该新器件面向AI数据中心和电信基站中的开关电源。 发货在宣布后立即开始。
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