تشكّل نمط ثلاثي لـ HBM: كيف تتنافس SK هاليكسي، سامسونج، وميموكس على السيطرة على تسعير ذاكرة الذكاء الاصطناعي؟

في عام 2026، يشهد قطاع أشباه الموصلات العالمي تحولًا هيكليًا يقوده الذكاء الاصطناعي التوليدي، وتحتل شرائح التخزين عالية النطاق الترددي (HBM) المركز المحوري في هذا التحول. في ظل التسريع المتكرر لمنصتي إنفيديا بلاكويل و روبين، والدفع المزدوج لتطوير شرائح الذكاء الاصطناعي المخصصة ذات الإنتاج الضخم من قبل مزودي خدمات السحابة، يتشكل سوق HBM في إطار احتكاري يتركز حول SK هاليكسي، سامسونج إلكترونيكس، ومايكرونتك. على عكس دورة العرض والطلب التقليدية للذاكرة DRAM، فإن توسع HBM في هذه المرحلة يتسم بخصائص تكرارية تقنية سريعة، وندرة فائقة في القدرة الإنتاجية، واستمرار تعزيز القوة التفاوضية في التسعير. في هذا الصراع، كيف يمكن لمايكروونتك، التي كانت دائمًا في المركز الثالث، أن تتحول من متأخرة إلى منافس رئيسي، ليصبح موضوعًا يستحق التحليل العميق.

تكوين نمط ثلاثي لأسواق HBM: من المنافسة الاحتكارية إلى الهيكل الهرمي

وفقًا لتقرير أبحاث السوق الأخير الصادر عن TrendForce في يونيو 2026، في الربع الأول من عام 2026، تصدرت سامسونج السوق بحصة سوقية إجمالية للذاكرة DRAM بلغت 38.5%، وبلغت إيراداتها من DRAM 37.32 مليار دولار، بزيادة فصلية قدرها 93.4%. من بين ذلك، كانت إيرادات DRAM للخوادم من سامسونج هي الأعلى في القطاع، مع ارتفاع متوسط السعر البيع (ASP) بشكل متفوق على المنافسين. أما المركز الثاني فكان من نصيب SK هاليكسي، بحصة سوقية إجمالية للذاكرة DRAM بلغت 28.8%، وإيرادات فصلية قدرها 27.98 مليار دولار، بزيادة فصلية قدرها 62.5%.

كانت نسبة شحنات وحدات HBM من SK هاليكسي هي الأعلى بين الشركات الثلاث، إلا أن أسعار عقود HBM في عام 2026 شهدت تراجعًا هيكليًا، مما قيد الارتفاعات السعرية الإجمالية لمنتجاتها. أما مايكرونتك، فبلغت إيراداتها من DRAM 21.75 مليار دولار، بزيادة فصلية قدرها 81.6%، مع الحفاظ على حصة سوقية تبلغ 22.4%.

بالتركيز على سوق HBM الفرعي، تتوقع شركة Counterpoint Research أن تصل حصة SK هاليكسي في سوق HBM4 إلى حوالي 54% في عام 2026، مقابل 28% لسامسونج، و18% لمايكرونتك. وأشارت شركة TrendForce إلى أن SK هاليكسي يمكنها الاعتماد على علاقاتها مع إنفيديا في مجال HBM للحفاظ على ميزة توزيع وحدات التوريد، مع توقع أن تظل حصة السوق الإجمالية لـ HBM حوالي 50% خلال عام 2026؛ بينما تتوقع أن تتقدم سامسونج بسرعة في اعتماد HBM4، مع بدء الإنتاج الكمي بعد إتمام الاعتماد في الربع الثاني، وأن تصل حصة السوق إلى حوالي 28% في عام 2026؛ بينما تقدر مايكرونتك أن حصتها السوقية ستكون حوالي 22%.

وهذا يعني أن سوق HBM الحالي قد تشكل بالفعل في نمط واضح من التمايز الاحتكاري. فـ SK هاليكسي، بفضل ميزة السبق، تتواجد في الطليعة، بينما تسرع سامسونج في اللحاق بها عبر توسعة قدراتها في DRAM 1c وتطوير قدراتها الذاتية في جميع مراحل الإنتاج، وتعمل مايكرونتك على توسيع حضورها بشكل ثابت عبر حصة غير كبيرة ولكن لا غنى عنها، مما يشكل نمطًا مستقرًا من "الثلاثي".

مسارات التقدم لسامسونج و SK هاليكسي: التكرار التكنولوجي وتوسعة القدرة الإنتاجية

تركز استراتيجية سامسونج الأساسية لعام 2026 على إدخال تقنية DRAM 1c على نطاق واسع، والاستعداد لإنتاج HBM4 بكميات كبيرة. تخطط سامسونج لرفع القدرة الإنتاجية الشهرية لـ DRAM 1c إلى حوالي 150,000 لوح بحلول نهاية عام 2026، لاستخدامها في الإنتاج الكمي لـ HBM4. بالإضافة إلى ذلك، تعتزم سامسونج بناء خط إنتاج كبير ومتقدم جديد في مصنع P4 في بيون، بهدف إنتاج حوالي 120,000 لوح من شرائح DRAM شهريًا، وهو ما يقارب خُمس القدرة الإنتاجية الحالية البالغة 660,000 لوح شهريًا، مما يشير إلى أن حصة القدرة الإنتاجية لـ HBM4 من إجمالي قدرة DRAM في سامسونج ستصل إلى حوالي الربع. من ناحية التكرار التكنولوجي، حصلت HBM3E من سامسونج على اعتماد إنفيديا، وسيبدأ إنتاج HBM4 بكميات كبيرة بعد اعتمادها في فبراير 2026، مع شحنات للعملاء. كما تخطط سامسونج لزيادة الإنتاج الإجمالي لـ HBM إلى أكثر من ثلاثة أضعاف عام 2025، مع أكثر من نصفها من HBM4.

أما SK هاليكسي، فهي تواصل بشكل نشط تنفيذ خطط الإنتاج الكمي لـ HBM4 و HBM4E. حيث تصل سعة منتجات HBM4 المجمعة بترتيب 16 طبقة إلى 48 جيجابايت، مع عرض نطاق ترددي إجمالي يتجاوز 2 تيرابايت في الثانية، باستخدام تقنية التعبئة المتقدمة MR-MUF وشرائح المنطق المصنعة عبر TSMC. وتخطط الشركة أيضًا لتطوير HBM4 16-طبقة، و HBM4E (8/12/16-طبقات)، وإنتاج HBM4E المخصصة بين 2026 و2028. وأكدت مجموعة SK أن الشركة ستضاعف القدرة الإنتاجية للشرائح خلال السنوات الخمس القادمة، مع إعادة التأكيد على أن "نقص شرائح التخزين الناتج عن الذكاء الاصطناعي سيستمر حتى عام 2030".

وفيما يخص تقنيات التبريد والتعبئة المتقدمة، عرضت سامسونج في معرض Computex 2026 نموذجًا أوليًا لـ HBM5، مع إدخال تقنية HPB التي تتضمن هيكلًا من النحاس داخل الرقاقة لتحسين التوصيل الحراري، مع هدف الوصول إلى الإنتاج الكمي حوالي عام 2028؛ بينما كشفت SK هاليكسي عن تقنية iHBM للتبريد، التي تقلل المقاومة الحرارية بأكثر من 30%، مع توقع أن تبدأ في الإنتاج الكمي بين 2029 و2030.

مسار مايكرونتك في اللحاق: من المتأخرة إلى المنافس

بالنسبة لمايكرونتك، فإن التركيز السوقي لا يقتصر على الحصة قصيرة الأمد، بل على قدرة الشركة على التحول من "المرتبة الثالثة" إلى "منافس لا غنى عنه".

من ناحية القدرة الإنتاجية، فإن جميع قدرات HBM الخاصة بمايكرونتك في عام 2026 قد بيعت بالكامل، وتخطط الشركة لزيادة إنتاجها من DRAM 1-gamma و HBM4 بشكل تدريجي كأولويات. وأكدت الإدارة خلال مؤتمر المستثمرين في JPMorgan أن وتيرة إنتاج HBM4 ستتضاعف تقريبًا مقارنة بـ HBM3E ذات الـ 12 طبقة، مما يدل على تحسن كبير في كفاءة تسريع القدرة الإنتاجية. بالإضافة إلى ذلك، من المقرر أن يبدأ إنتاج HBM4E بكميات كبيرة في 2027، مع دمج شرائح المنطق المتقدمة المصنعة عبر TSMC مع DRAM 1-gamma، بهدف تأمين سوق المعالجات الذكية من الجيل التالي.

على المستوى التكنولوجي، تعتمد منتجات HBM4 من مايكرونتك على تقنية 1-beta (1β) وشرائح CMOS المطورة ذاتيًا، وقد دخلت مرحلة الشحن بكميات كبيرة، مع بدء تسليم وحدات HBM4 بسعة 36 جيجابايت ذات 12 طبقة، المصممة لمنصة إنفيديا Vera Rubin، خلال مؤتمر GTC 2026. وفقًا لتوقعات السوق، من المتوقع أن يشهد سعر HBM من مايكرونتك ارتفاعًا بمعدل حوالي 22% في عام 2026، وهو الأعلى بين الشركات الثلاث، مما يعكس تميز منتجاتها ونجاح استراتيجيتها في التمايز.

بالإضافة إلى ذلك، قامت مايكرونتك بتعديل أولوياتها الاستراتيجية، حيث أوقفت في نهاية 2025 استثمار الموارد في منتجات Crucial الاستهلاكية، ووجهت جهودها بالكامل نحو حلول الذاكرة المؤسسية عالية الربحية، مع التركيز على HBM كقوة دافعة رئيسية لنموها. ويعني ذلك أن مايكرونتك تعيد تشكيل مجموعة أعمالها بشكل جذري، من الاعتماد على DRAM الاستهلاكي التقليدي إلى التركيز على منتجات الذاكرة للخوادم المدعومة بـ HBM.

قيود العرض والتسعير: تحديات القدرة الإنتاجية والاحتكار

الخصوصية في صناعة HBM تكمن في أن قدرتها على التسعير لا تعتمد فقط على الطلب، بل تتأثر بشكل كبير بالقيود الهيكلية على جانب العرض.

تشير أبحاث TrendForce إلى أن حصة الشركات الثلاث الكبرى من إنتاج شرائح HBM من إجمالي إنتاج شرائح DRAM سترتفع من حوالي 18% في نهاية 2025 إلى حوالي 22% في نهاية 2026، وإلى حوالي 30% في 2027. في الوقت ذاته، فإن كل وحدة من وحدات HBM تستهلك من القدرة الإنتاجية للشرائح حوالي ثلاثة أضعاف ما تستهلكه شرائح DDR5 القياسية، مما يخلق تأثير "استهلاك القدرة" الذي يحد من مرونة العرض، حتى مع تسريع الشركات الثلاث الكبرى لوتيرة إنتاج شرائح HBM.

من ناحية أخرى، تستغل الشركات الثلاث الكبرى قدرتها الاحتكارية على إدارة أسعار HBM ضمن نطاق معين. في الربع الأول من 2026، تجاوزت قيمة شرائح HBM من حيث الإنتاجية قيمة وحدات DDR5 بسعة 64 جيجابايت، وبدأت هوامش أرباح HBM في ذلك الربع في الانخفاض لأول مرة مقارنة بذاكرة الخوادم عالية الأداء DDR5. وتقوم الشركات الثلاث حاليًا بالتفاوض على أسعار عقود HBM4 طويلة الأمد لعام 2027، مع توقع أن ترفع بشكل كبير أسعار HBM في 2027، مستفيدة من نقص الإنتاج، وتعزيز السيطرة على تسعير HBM خلال مفاوضات الأسعار السنوية.

على جانب العملاء، لا تزال إنفيديا تمثل حوالي 60% من الطلب الإجمالي على HBM في 2026، لكن من المتوقع أن ينخفض هذا إلى حوالي 48% في 2027، مع زيادة حصة شركات مثل جوجل، AWS، ومايكروسوفت في تطوير شرائح الذكاء الاصطناعي الخاصة بها. ارتفاع الطلب على HBM المخصص يوفر أساسًا لتسعير منتجات الشركات الثلاث بشكل مميز، مع إعادة ترتيب تركيز العملاء، لكن من الصعب أن تتجاوز القدرة الإنتاجية للشركات الثلاث، مما يؤدي إلى انتقال السيطرة على التسعير من جانب الطلب إلى جانب العرض.

المخاطر المحتملة: تباطؤ زخم النمو وتأخير التحقق من العملاء

على الرغم من التوقعات الإيجابية طويلة الأمد، إلا أن سوق HBM يواجه العديد من عدم اليقين. أولاً، أشار تقرير TrendForce للربع الأول من 2026 إلى أن النمو الكلي لسوق HBM قد يتباطأ بسبب تأخير ترقية الشرائح وتراكم المخزون، مما يقيد النمو ويجعل العلاقة بين العرض والطلب تتقارب من المستويات العليا. ثانيًا، فإن معدل الإنتاجية لشرائح HBM4 من سامسونج، والذي يبلغ حالياً حوالي 50%، لا يزال غير واضح ما إذا كان سيتم تحسينه خلال النصف الأول من العام لزيادة حجم الشحنات الفعلية. أما مايكرونتك، رغم أن قدراتها الإنتاجية بيعت بالكامل، فإن تقنية EUV المستخدمة في تصنيع DRAM 1-gamma تتطلب أيضًا فترة تحسين معدل الإنتاج، ويحتاج الأمر إلى وقت للتحقق من استقرار الإنتاج بكميات كبيرة.

علاوة على ذلك، إذا تأخر الإنتاج الكمي لـ HBM4 عالي الأداء بسبب تأخيرات في تصميم وتطوير شرائح العملاء، فقد تتعرض إيرادات الشركات الثلاث الكبرى من HBM لتصحيح قصير الأمد في التقييم. وأخيرًا، فإن السيطرة على التسعير هي عملية ديناميكية: إذا تباطأ معدل الإنفاق الرأسمالي على البنية التحتية للذكاء الاصطناعي في 2027، فقد تتقلص ميزة التسعير الفائقة لـ HBM في نافذة زمنية معينة.

الخاتمة

بشكل عام، يظل سوق HBM العالمي في 2026 مكونًا من نمط ثلاثي يهيمن عليه SK هاليكسي، سامسونج إلكترونيكس، ومايكرونتك. فـ SK هاليكسي، بفضل علاقاتها العميقة مع إنفيديا وابتكاراتها المستمرة في تقنيات التعبئة MR-MUF، تظل في موقع قوي في سوق HBM4؛ بينما تعتمد سامسونج على تراكم خبراتها في تقنية وقدرات إنتاج DRAM، وتوسيع سلسلة التوريد المتكاملة من تصنيع الشرائح إلى التعبئة والتغليف ثلاثي الأبعاد، وتشن هجومًا مضادًا قويًا؛ أما مايكرونتك، فهي تتحول من موقع "المرتبة الثالثة" في دورة صناعة DRAM إلى منافس لا غنى عنه في سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي، مدعومة بمنتجات HBM متميزة، وتطوير قدرات إنتاج HBM4 بكفاءة، وتشكيلة كاملة من منتجات الذاكرة المعتمدة على HBM.

رغم أن توقعات أسعار HBM لا تزال قوية، وأن السيطرة على التسعير تتجه نحو جانب العرض، إلا أن قيود القدرة الإنتاجية، ومخاطر تحسين المعدلات، وتأخيرات ترقية الشرائح، وتباطؤ النمو الكلي في 2026، تظل عوامل غير مؤكدة يجب مراقبتها باستمرار. بالنسبة للمشاركين في الصناعة، فإن تجاوز النظرة قصيرة الأمد للعرض والطلب، وفهم العلاقة بين التكرار التكنولوجي وندرة القدرة الإنتاجية، قد يكون الطريق الأكثر استدامة لفهم المنطق التنافسي على المدى المتوسط والطويل.